閃存文章進入閃存技術(shù)社區(qū)

閃存出錯:軟件錯誤還是電源電壓故障(下)?

當(dāng)任意一個電源電壓低于其閾值時，激活CPU復(fù)位可以最大限度地降低閃存出錯的可能性。這可以防止在電源故障條件下，繼續(xù)執(zhí)行代碼。復(fù)位發(fā)生器激活CPU復(fù)位信號及閃存的寫保護信號。在某些情況下，復(fù)位發(fā)生器的輸出并不是直接用于CPU復(fù)位。相反，它被連接到一個CPLD來執(zhí)行一個復(fù)位分配算法。
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分析：iPhone助推2012年閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展

　　根據(jù)信息與數(shù)據(jù)分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)報告，雖然蘋果公司對閃存(NAND)需求旺盛，但由于超級本銷售仍然低迷，使得全球閃速存儲器市場收益下降了7個百分。去年，閃存(NAND)產(chǎn)業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過，經(jīng)過去年的低迷期，今年收益將有所增長，達(dá)到224億美元，并在接下來的幾年內(nèi)持續(xù)增長。　　具體可參見下表。　　 ? 　　“閃存具備高密度內(nèi)存，大容量傳輸?shù)男阅?。?012年，蘋果iPhone是NAND的
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鴻利會稱2013智能機成閃存最大消費者

據(jù)媒體報道，市場研究公司IHS iSuppli預(yù)期，2013年手機將成為全球最大的閃存消費產(chǎn)品，這主要得益于智能手機在全球技術(shù)市場中地位的日益凸顯。　　目前，市場上有大量產(chǎn)品都采用了NAND閃存，但HIS表示，2013年手機閃存出貨量在全球閃存總出貨量中的占比將升至24.6%。
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世界最快閃存有顆“武漢芯”

　　不到兩個指甲蓋大小的芯片，內(nèi)存達(dá)8GB，讀取一部4GB的高清電影，僅需43秒鐘——世界最快的45納米閃存，已在武漢誕生。29日，市長唐良智調(diào)研武漢新芯集成電路制造有限公司，該公司透露，這種最新式的閃存，將在今年一季度實現(xiàn)量產(chǎn)。　　“我們正努力把閃存的技術(shù)節(jié)點，往前推進。”剛剛履新武漢新芯CEO的楊士寧說，“我們?yōu)槊绹旧a(chǎn)的閃存，是最快、容量最高的NOR閃存?！? 　　此外，武漢新芯擬投資6.35億美元，將原每月3萬片的12
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2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮

據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場追蹤報告，2012年蘋果iPhone是推動NAND閃存消費的最大因素。由于超級本未能實現(xiàn)騰飛，2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮。
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LSI公布四季度及2012年全年業(yè)績

LSI公司(NYSE：LSI)日前公布四季度業(yè)績以及截止至2012年12月31日的全年業(yè)績。
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Microchip小巧靈活的8位閃存單片機解決方案

Microchip公司的小型低引腳數(shù)閃存PIC 單片機具有小巧靈活的特點，為開發(fā)、設(shè)計和生產(chǎn)過程帶來諸多便利。PIC 系列單片機采用小型封裝，更適用于對體積和大小有嚴(yán)格限制的應(yīng)用場合。PIC 單片機的特點簡介PIC 單片機的數(shù)
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應(yīng)用串行NOR閃存提升內(nèi)存處理能力

應(yīng)用串行NOR閃存提升內(nèi)存處理能力,在嵌入式系統(tǒng)中，NOR閃存一直以來仍然是較受青睞的非易失性內(nèi)存，NOR器件的低延時特性可以接受代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲在一個單一的產(chǎn)品。雖然NAND記憶體已成為許多高密度應(yīng)用的首選解決方案，但NOR仍然是低密度解決方案的
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NOR市場仍有可為需找尋平衡點

　　近日Spansion公司推出業(yè)界首款45nm單芯片8Gb(千兆)NOR閃存產(chǎn)品，這是繼美光(Micron)公司后，第二家對外宣稱推出45nm工藝節(jié)點的產(chǎn)品。這對在與NAND閃存競爭中處于下風(fēng)的NOR來說無疑是一大利好。這一技術(shù)對NOR閃存的市場發(fā)展會帶來怎樣的助推力?今后NOR與NAND閃存的市場格局是否會發(fā)生變化成為業(yè)界關(guān)注熱點。　　NOR技術(shù)仍在進步　　截至2020年，每個用戶擁有的聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)量預(yù)計將達(dá)到7臺左右，實現(xiàn)具備豐富圖形元素的功能和快速無縫的設(shè)備間連接。在此過程中，閃存&ldqu
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探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)

　　三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個新時代，TLC NAND閃存首次用于消費級產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。　　遺憾的是，沒有任何廠商公開談?wù)撨^TLC閃存的可靠程度，只能猜測編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。　　不過還是有個變通方法
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LSI AIS峰會變大數(shù)據(jù)挑戰(zhàn)為機遇

LSI公司(NYSE：LSI)日前宣布，在美國召開第五屆加速創(chuàng)新年度峰會(AIS)。個人和企業(yè)使用越來越多的設(shè)備在網(wǎng)上做更多工作，共享更多內(nèi)容，這個現(xiàn)象不僅形成了數(shù)據(jù)大爆炸，同時給數(shù)據(jù)中心、移動網(wǎng)絡(luò)和設(shè)備提出了前所未有的挑戰(zhàn)。
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存儲器：唯持續(xù)獲利和研發(fā)方能立足

　　最近半導(dǎo)體廠商第三季度財報陸續(xù)出爐，可謂有人歡喜有人愁。Spansion公司第三季度銷售額為2.397億美元，毛利率為32.7%，這也是其連續(xù)8個季度持續(xù)嬴利，可謂走出去年被破產(chǎn)傳聞困擾的陰霾。Spansion如何在波動不止的市場中保持正增長，未來存儲器市場格局將如何演變?為此，《中國電子報》記者獨家專訪了Spansion首席執(zhí)行官兼董事會成員John Kispert。　　貢獻來自NOR和新NAND閃存　　談及Spansion增長的動力，John Kispert坦言，業(yè)績穩(wěn)定增長主要是因為NO
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在嵌入式設(shè)計中將FRAM用作閃存的替代方案

在嵌入式設(shè)計中將FRAM用作閃存的替代方案,　如今，有多種存儲技術(shù)均具備改變嵌入式處理領(lǐng)域格局的潛力。然而，迄今為止還沒有哪一種技術(shù)脫穎而出成為取代微控制器（MCU）中閃存技術(shù)的強勁競爭者，直到FRAM的出現(xiàn)這種情況才得以改變。鐵電隨機存取存儲器（FRA
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Spansion公司發(fā)布2012年第三季度財報

行業(yè)領(lǐng)先的閃存解決方案廠商Spansion公司(紐約證交所代碼: CODE)日前發(fā)布截至2012年9月30日第三財季的運營成果。
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宏力攜手同方穩(wěn)定量產(chǎn)0.13微米微縮版嵌入式閃存

　　提供卓越差異化技術(shù)的晶圓制造服務(wù)公司上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡稱“宏力半導(dǎo)體”)與國內(nèi)主要的智能卡設(shè)計公司之一，北京同方微電子有限公司(以下簡稱“同方微電子”)共同宣布, 同方微電子采用宏力半導(dǎo)體0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)生產(chǎn)的SIM卡芯片出貨量已超過2億顆，生產(chǎn)良率穩(wěn)定，產(chǎn)品性能突出，已大量投放國內(nèi)市場。　　宏力半導(dǎo)體的0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)是在現(xiàn)有成熟的0.13微米嵌入式閃存技術(shù)基礎(chǔ)上，進一步優(yōu)化生產(chǎn)工藝，將原來0.38平方微米的閃存存儲單元面積顯著減小了近50%(小于
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]