閃存 文章 進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)
瑞薩與臺積電聯(lián)手開發(fā)40nm閃存混載技術(shù)
- 繼長期虧損的SoC之后，瑞薩又加快了利潤最高的MCU的外包制造。該公司于2012年5月宣布，將與臺積電(TSMC)合作開發(fā)40nm工藝的閃存混載MCU制造技術(shù)，并委托臺積電生產(chǎn)。車載MCU也將成為外包對象。瑞薩表示，到2016年度將把半導(dǎo)體整體的外包生產(chǎn)比例由2011年度的15%提高到30%。 日本國內(nèi)工廠進(jìn)一步空洞化? 雖然日本企業(yè)的SoC業(yè)務(wù)相繼出現(xiàn)因承受不了巨額設(shè)備投資而轉(zhuǎn)為外包的情況，但要求高品質(zhì)的車載MCU等以前一直被認(rèn)為難以實(shí)施外包生產(chǎn)?！扒闆r因東日本大地震而發(fā)生了
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東芝世界首發(fā)19nm制程SSD 增強(qiáng)數(shù)據(jù)保護(hù)功能
- 東芝于今日正式發(fā)布了全球首個使用19nm制程MLC NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品。東芝新SSD的主要改進(jìn)之處在于主控，配合19nm閃存可實(shí)現(xiàn)對SATA 3.1標(biāo)準(zhǔn)的支持，讀取/寫入速度最大可達(dá)524MB/s和461MB/s(64GB型號440MB/s)。同時還集成有獨(dú)家的錯誤校驗技術(shù)QSBC，并 支持微軟下一代垃圾清理技術(shù)Deterministic Zeroing TRIM。 最關(guān)鍵的改善在于數(shù)據(jù)保護(hù)部分，除突發(fā)性掉電數(shù)據(jù)不丟失之外，一旦閃存出現(xiàn)故障或達(dá)到使用壽命，東芝新SSD可在接電后啟用只讀模
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LSI PCIe閃存適配器助力Cisco和EMC實(shí)現(xiàn)應(yīng)用加速
- LSI公司(紐約證交所股票代碼：LSI)日前宣布正在與Cisco和EMC開展合作，共同將PCIe閃存高速緩存技術(shù)卓越的應(yīng)用加速優(yōu)勢應(yīng)用于部署廣泛的創(chuàng)新型Cisco UCS B系列刀片服務(wù)器。 該解決方案將EMC VFCache智能緩存軟件與LSI的第二代PCIe閃存適配器系列LSI Nytro WarpDrive卡相結(jié)合，能進(jìn)一步加速應(yīng)用性能，改善EMC存儲環(huán)境下Cisco服務(wù)器的響應(yīng)時間。 目前，服務(wù)器處理器性能的提升步伐已經(jīng)超越了存儲性能的提升速度，因此，如何在不影響現(xiàn)有存儲架構(gòu)的情況
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Spansion發(fā)布SLC NAND閃存系列產(chǎn)品以及未來五年產(chǎn)品規(guī)劃圖
- 2012年5月28日，中國上海 – 嵌入式市場閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)軍者Spansion公司（紐約證交所代碼：CODE）今日宣布其首個單層單元(SLC)系列Spansion® NAND閃存產(chǎn)品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產(chǎn)品采用4x nm浮柵技術(shù)，專門用于汽車、消費(fèi)及網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲需求。Spansion SLC NAND將分為3.0V和1.8V兩個系列，存儲容量在1 Gb到8 Gb之間，該產(chǎn)品性能更為出色、溫度范圍更廣、享有長期技術(shù)支持并且符合嚴(yán)格的可靠性要求，例如1位
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閃存成智能手機(jī)最貴零部件：價格超顯示屏
- 野村證券最近發(fā)布《2012智能手機(jī)指南》，對智能手機(jī)的各種零部件及其供應(yīng)商的狀況進(jìn)行了分析，并發(fā)現(xiàn)，智能手機(jī)中成本最高的零部件并非屏幕，而是NAND閃存。 北京時間5月23日下午消息，野村證券最近發(fā)布《2012智能手機(jī)指南》，對智能手機(jī)的各種零部件及其供應(yīng)商的狀況進(jìn)行了分析，并發(fā)現(xiàn)，智能手機(jī)中成本最高的零部件并非屏幕，而是NAND閃存。 該報告顯示，要生產(chǎn)一部現(xiàn)代化的智能手機(jī)，需要25個以上的零部件。盡管屏幕曾經(jīng)一度被視為手機(jī)中最昂貴的部件，但根據(jù)野村證券的報告，最貴的應(yīng)該是NAND閃存，
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一種支持多種閃存的自適應(yīng)驅(qū)動設(shè)計
- 引言Flash存儲器具有快速訪問、低功耗、尺寸小、重量輕等特性，在系統(tǒng)電源關(guān)閉的情況下依然可保留數(shù)據(jù)。隨著技術(shù)的發(fā)展，F(xiàn)lash因其在性能和成本方面的優(yōu)勢逐漸成為系統(tǒng)存儲的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。目前市面上，NOR Flash和NAND
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英研發(fā)新型存儲器 速度比閃存快百倍
- 英國研究人員最近報告說，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。 電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材料，這種材料的特殊性在于，在外加電壓時其電阻會發(fā)生變化，隨后即使取消外加電壓，它也能“記住”這個電阻值。在此基礎(chǔ)上開發(fā)出的存儲設(shè)備與現(xiàn)有閃存相比更快更節(jié)能，是業(yè)界近來的研發(fā)熱點(diǎn)。但以前開發(fā)出的這種存儲設(shè)備只能在高度真空環(huán)境中運(yùn)行。 英國倫敦大學(xué)學(xué)院等機(jī)構(gòu)研究人員日前在《應(yīng)用物理學(xué)雜
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新技術(shù)讓24nm閃存壽命延長13倍
- NAND閃存工藝技術(shù)不斷進(jìn)步，但是可靠性和使用壽命卻在倒退。盡管從理論上說依然足夠絕大多數(shù)人用上好幾年的，但這種趨勢終歸讓人很不爽。固態(tài)硬盤廠商STEC近日宣布了一項新技術(shù)“CellCare”，能讓NAND閃存的壽命一下子延長多達(dá)13倍。 CellCare是一項硬件和固件綜合技術(shù)，核心內(nèi)容包括：每個內(nèi)核的閃存參數(shù)追蹤，可帶來更少的、受控的磨損;終生閃存管理，可減少磨損、控制性能、改進(jìn)性能、降低讀寫延遲;高級錯誤糾正與數(shù)字信號處理，可改進(jìn)數(shù)據(jù)可靠性、最大程度減少重新讀取。
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內(nèi)存芯片放顯屏上？透明柔性3D內(nèi)存芯片制成顯示屏
- 據(jù)麻省理工 新發(fā)明的透明柔性3D存儲芯片會成為小存設(shè)備中的一件大事。這種新的內(nèi)存芯片透明柔韌，可以像紙一樣折疊，而且可以耐受1000華氏度的溫度，是廚房烤箱最高溫度的兩倍，而且可以耐受其他有害條件，有助于開發(fā)下一代內(nèi)存，可與閃存競爭，用于明天的隨身碟，手機(jī)和電腦，這是科學(xué)家在3月27日報道的。 在美國化學(xué)學(xué)會(American Chemical Society)第243屆全國會議暨博覽會(243rd National Meeting & Exposition)上，發(fā)明者說，一些設(shè)備使用這
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東芝慶祝其閃存技術(shù)發(fā)明二十五周年
- 據(jù)國外媒體報道，NAND閃存技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)有25年的歷史了，而東芝打算來合理地慶祝這一上個世紀(jì)80年代在其實(shí)驗室被發(fā)明的革命性技術(shù)。東芝稱，幸虧有了閃存，現(xiàn)在人們才得以在他們生活的各個方面享受內(nèi)容上的創(chuàng)新及先進(jìn)的電子產(chǎn)品。 東芝稱，“NAND閃存市場增長的很快，其閃存發(fā)貨量在2011年要比DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)多很多，NAND閃存已經(jīng)成為多數(shù)人選擇的硅存儲方式。NAND閃存現(xiàn)在應(yīng)用在一系列的存儲卡上及USB設(shè)備中，在許多消費(fèi)者、工業(yè)及企業(yè)的云程序中也可以見到?！?
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閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]
閃存電路
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