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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 閃存

          第三方證實(shí)第五代Emulex光纖技術(shù)可在HP StoreFabric網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品中提供卓越性能

          • 網(wǎng)絡(luò)連接、監(jiān)控和管理領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Emulex公司(NYSE:ELX)日前宣布,最新的Demartek實(shí)驗(yàn)室評(píng)估 顯示,基于第五代Emulex LightPulse?光纖通道(FC)主機(jī)總線適配器(HBA)的存儲(chǔ)解決方案在性能和動(dòng)力上大大優(yōu)于基于上一代8Gb FC的解決方案。
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          PMC推出完整的12Gb/s SAS存儲(chǔ)解決方案提升SSD閃存性能

          • 引領(lǐng)大數(shù)據(jù)連接、傳送以及存儲(chǔ),提供創(chuàng)新半導(dǎo)體解決方案的PMC?公司(納斯達(dá)克代碼:PMCS)今天宣布推出適用于高性能服務(wù)器和網(wǎng)聯(lián)存儲(chǔ)的Adaptec? 8系列 12Gb/s SAS RAID陣列卡。
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          Spansion拓寬串行閃存產(chǎn)品線

          • 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼:CODE)日前宣布投產(chǎn)新的產(chǎn)品系列,即 16 Mb、32 Mb 與 64 Mb Spansion? FL-1K 串行閃存。
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          PMC并購IDT公司贏取市場先機(jī)確立閃存領(lǐng)導(dǎo)地位

          • 大數(shù)據(jù)時(shí)代下能夠減少延遲、增加帶寬和降低存儲(chǔ)成本的技術(shù)將受到格外的重視,其中最為重要的就是閃存技術(shù)的出現(xiàn)和普及。而基于閃存技術(shù)的SSD相較硬盤,可將I/O性能提升近2000倍,同時(shí)降低延遲至百分之一以下,并大幅提升帶寬。
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          LSI引領(lǐng)大數(shù)據(jù)時(shí)代的渠道轉(zhuǎn)型

          • 2013年7月12日,LSI公司宣布全新的渠道戰(zhàn)略計(jì)劃,將面向存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)加速解決方案,在中國構(gòu)建強(qiáng)大的渠道體系。這一渠道計(jì)劃包括五大戰(zhàn)略舉措:
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          LSI宣布構(gòu)建最新渠道體系,滿足大數(shù)據(jù)增長需求

          • LSI公司(NASDAQ:LSI)日前宣布,將在中國構(gòu)建強(qiáng)大且面向存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)加速解決方案的渠道體系的戰(zhàn)略。為此LSI提出了五大渠道戰(zhàn)略:
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          日系半導(dǎo)體公司一季度恢復(fù)盈利

          •   根據(jù)Digitimes的研究報(bào)告顯示,日本前三大半導(dǎo)體公司,東芝,瑞薩電子和索尼,盡管2012財(cái)年(從2012年4月至2013年3月)收入按年繼續(xù)降低,但利潤已經(jīng)提高。   其中,東芝今年第一季度NAND閃存營業(yè)收入達(dá)到了1730億日元(17.1億美元),達(dá)到2010年第一季度以來的最高水平。NAND閃存營業(yè)收入上升是由于出貨量增加和價(jià)格穩(wěn)定。東芝已經(jīng)看到半導(dǎo)體營業(yè)收入和營業(yè)利潤連續(xù)三個(gè)季度增長。   瑞薩電子今年第一季度營業(yè)收入,環(huán)比下降1.9%,達(dá)到1739億日元。然而,在連續(xù)七個(gè)季度的經(jīng)營虧
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          非易失性存儲(chǔ)器主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)

          • 閃存幾乎無處不在,特別是在移動(dòng)設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸,隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不斷增 ...
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          MAXQ構(gòu)架上閃存和SRAM存儲(chǔ)器的分配

          • MAXQ架構(gòu)是一種基于標(biāo)準(zhǔn)Harvard結(jié)構(gòu)、功能強(qiáng)大的單周期RISC微控制器,程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)總線相互獨(dú)立。這種組織 ...
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          NAND閃存深入解析

          • 對(duì)于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言,NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案,這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn) ...
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          德州儀器聯(lián)手Continental推出65 納米安全ARM? Cortex? 微控制器

          • 日前,德州儀器 (TI) 與國際汽車供應(yīng)商 Continental 愉悅宣布,雙方合作推出首款支持閃存技術(shù)的 65 納米 ARM Cortex 安全微控制器已投入量產(chǎn)。支持電子制動(dòng)系統(tǒng) (PACE) 高級(jí)控制的 Continental 處理器是 Continental MK 100 系列電子穩(wěn)定控制 (ESC) 系統(tǒng)的基礎(chǔ)。
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          生產(chǎn)商過多 NOR閃存前景黯淡

          •   據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場動(dòng)態(tài)簡報(bào),NOR閃存市場2013年一定會(huì)再度面臨挑戰(zhàn)。該市場中廠商眾多,都在爭食一張日益萎縮的大餅。   今年NOR營業(yè)收入預(yù)計(jì)從2012年的34.8億美元下降到34.1億美元左右,這將只是2004年93億美元峰值的40%。雖然該產(chǎn)業(yè)一直積極建立多存儲(chǔ)(multimemory)策略以提高業(yè)務(wù)多元化和改善NOR前景,但未來的營業(yè)收入前景仍然令人泄氣。   尤其是,在一個(gè)已經(jīng)比較分散和不斷萎縮的市場中竟然有16家以上的NOR廠商,全部廠商都繼續(xù)成長和共存似乎不太可
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          NOR閃存營業(yè)收入預(yù)計(jì)下降

          •   據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)與嵌入存儲(chǔ)市場追蹤報(bào)告,NOR閃存前景不妙。在智能手機(jī)與平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品領(lǐng)域,NOR已經(jīng)輸給NAND閃存。   今年NOR閃存營業(yè)收入預(yù)計(jì)從2012年的34.8億美元降到34.1億美元。與10年前的輝煌時(shí)期相比,近幾年NOR營業(yè)收入水平相形見絀。2004年光景最好的時(shí)候,NOR營業(yè)收入創(chuàng)出了90億美元的最高記錄。   2013年NOR營業(yè)收入將進(jìn)一步降至34.1億美元,2014年降到32.5億美元,2015和2016年略有回升,然后2017年降到32.7億美元,
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          NAND閃存去年第四季度意外增長

          •   據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場簡報(bào),2012年第四季度NAND閃存產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入創(chuàng)出最高紀(jì)錄,結(jié)束了之前連續(xù)五個(gè)第四季度的下滑局面。   2012年第四季度NAND產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入為56億美元,比第三季度的48億美元?jiǎng)旁?7%。從兩個(gè)方面來看,這種環(huán)比增長具有重要意義:一是結(jié)束了最近第四季度營業(yè)收入均呈現(xiàn)下滑的趨勢,二是創(chuàng)出了產(chǎn)業(yè)歷史上的最高營業(yè)收入記錄。   三星電子占總體營業(yè)收入的三分之一以上,名列前茅。NAND閃存產(chǎn)業(yè)由少數(shù)幾家廠商嚴(yán)密控制。2012年NAND閃存營業(yè)收入為202億美元,
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          閃存與磁盤的區(qū)別

          • 在過去的幾年里,閃存與磁盤之間的爭議很多,也發(fā)生了顯著的變化?,F(xiàn)在,我們已經(jīng)不再討論閃存是否可以在企業(yè)中使用了,而是更多地關(guān)注其性價(jià)比,以及它在現(xiàn)代化軟件定義數(shù)據(jù)中心作為一個(gè)關(guān)鍵的構(gòu)建模塊的接受力度。
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          閃存介紹

          【閃存的概念】 閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]

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