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1β dram 文章 進(jìn)入1β dram技術(shù)社區(qū)
金士頓砸1億美元 綁樁海力士產(chǎn)能
- 2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過(guò)景氣低潮期但口袋空空的存儲(chǔ)器大廠(chǎng)，紛積極募資搶錢(qián)，而最直接方式便是向下游存儲(chǔ)器模塊廠(chǎng)借錢(qián)，未來(lái)再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援，未來(lái)將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚(yú)幫水、水幫魚(yú)的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進(jìn)32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM NAND
海力士股東靈活掌握售股規(guī)模 欲在第二季選出買(mǎi)家
- 韓國(guó)海力士半導(dǎo)體的債轉(zhuǎn)股股東，將對(duì)出售的股份規(guī)模持靈活態(tài)度，這部分股票市值最高達(dá)35億美元。這些股東計(jì)劃在今年上半年挑選出一買(mǎi)家。 這些股東包括韓國(guó)外換銀行和國(guó)有的韓國(guó)金融公司(Korea Finance Corp)，共同持有海力士半導(dǎo)體28%的股權(quán)，將在1月29日前收到初步購(gòu)買(mǎi)要約。海力士半導(dǎo)體是全球第二大存儲(chǔ)芯片制造商。 韓國(guó)金融公司首席執(zhí)行官Ryu Jae-han稱(chēng)，“談到股票規(guī)模,可能僅會(huì)出售15%，不過(guò)這取決于股東委員會(huì)的決議。”該公司是去年末從韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM
硅晶圓需求旺 1Q報(bào)價(jià)將調(diào)漲5~10%
- 晶圓代工12寸高階產(chǎn)能吃緊，加上8寸晶圓廠(chǎng)營(yíng)運(yùn)也維持高檔，已傳出上游硅晶圓廠(chǎng)交貨不及，產(chǎn)能無(wú)法應(yīng)付晶圓代工業(yè)者所需，確定2010年第 1季硅晶圓報(bào)價(jià)將調(diào)漲5~10%;加上目前晶圓代工第2季訂單恐不俗，DRAM存儲(chǔ)器晶圓廠(chǎng)也都陸續(xù)恢復(fù)產(chǎn)能，第2季可能再接力調(diào)漲約10%。 繼大陸太陽(yáng)能電池生產(chǎn)用硅晶圓傳出調(diào)漲之后，晶圓代工廠(chǎng)用硅晶圓也確定漲價(jià)，目前2010年第1季漲價(jià)幅度介于5~10%之間。由于晶圓代工廠(chǎng)包括臺(tái)積電在內(nèi)高階制程產(chǎn)能滿(mǎn)載，更有吃緊之虞，包括硅晶圓大廠(chǎng)Shin-Etsu與代理商崇越、Su
- 關(guān)鍵字： DRAM 晶圓代工
DDR3將成為2010年主流 廠(chǎng)商以先進(jìn)制程跟進(jìn)
- DRAM業(yè)在走出低谷后，2010年前景看好，DRAM廠(chǎng)商積極擴(kuò)產(chǎn)應(yīng)對(duì)。其中臺(tái)塑集團(tuán)的南科、華亞科最為積極，華亞科全年資本支出更比2009年呈倍數(shù)成長(zhǎng)。 南科、華亞科已邁入50納米制程技術(shù)階段，南科暫定2010年資本支出約為5.9億美元，比2009年增長(zhǎng)逾45%。南科預(yù)計(jì)，在第二季度時(shí)，旗下月產(chǎn)能3萬(wàn)片的12英寸廠(chǎng)將全部以50納米制程投片，第三季度所有產(chǎn)品都采用50納米制程投片。 看好DDR3將成為2010年主流，南科計(jì)劃逐步提升DDR3產(chǎn)品的比重，目標(biāo)由2009年第四季度的30%-40%提
- 關(guān)鍵字： Elpida 50納米 DRAM 晶圓
重塑產(chǎn)業(yè)前景 迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展
- 編者點(diǎn)評(píng)(莫大康 SEMI China顧問(wèn))：國(guó)際上有許多市場(chǎng)分析公司與機(jī)構(gòu)，如 Gartner，iSuppli，IC Insight，Semico，VLSI及SEMI，SIA，WSTS等。為什么它們的預(yù)測(cè)值不同，有時(shí)差異還不小。據(jù)編者的看法任何預(yù)測(cè)都有三類(lèi)，即樂(lè)觀(guān)、中等和悲觀(guān)。另外，由于每個(gè)市場(chǎng)分析公司其數(shù)據(jù)來(lái)源及分析的范圍各不同，所以數(shù)據(jù)不一樣是正常的。那該如何來(lái)觀(guān)察與判斷呢?通常要找品牌，即有些公司的數(shù)據(jù)相對(duì)可靠(經(jīng)驗(yàn)值)，如半導(dǎo)體數(shù)據(jù)是WSTS，SIA，Gartner，iSuppli，而設(shè)備材
- 關(guān)鍵字： IC NAND DRAM
爾必達(dá)40納米制程正式對(duì)戰(zhàn)美光
- 一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(dá)(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達(dá)狀況更顯得困窘，在經(jīng)過(guò)近1年臥薪嘗膽后，爾必達(dá)2010年開(kāi)春終于宣布，40納米6F2制程技術(shù)已于廣島廠(chǎng)順利完成試產(chǎn)，良率水平優(yōu)于預(yù)期，確定2010年可一舉進(jìn)入40納米世代，子公司瑞晶更宣示只要花新臺(tái)幣120億元，就可將旗下8萬(wàn)片12寸晶圓廠(chǎng)全數(shù)轉(zhuǎn)到40納米制程，與美光及南亞科、華亞科陣營(yíng)對(duì)戰(zhàn)煙硝味濃厚。 DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米制程是重要分水嶺，除技術(shù)難度外，1臺(tái)動(dòng)輒逾新臺(tái)幣
- 關(guān)鍵字： Elpida DRAM 50納米
韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠(chǎng)操縱價(jià)格
- 韓國(guó)公平交易委員會(huì)(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國(guó)或其它地區(qū)有操縱市場(chǎng)價(jià)格的行為，也宣告終止近3年來(lái)對(duì)該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對(duì)計(jì)算機(jī)記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、DRAM芯片等) 相關(guān)的價(jià)格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對(duì)NAND快閃記憶芯片制造商進(jìn)行反壟斷調(diào)查，偵查是否有操縱價(jià)格的事實(shí)，之后已針對(duì)全球4家企業(yè)進(jìn)行調(diào)查，其中2家位于韓國(guó)，另外2家分別在美國(guó)和日本，但FTC并未公布詳細(xì)的企業(yè)名單。 韓國(guó)快閃記
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM DRAM
美光爭(zhēng)取華亞科主導(dǎo)權(quán) 臺(tái)塑拒絕成瑞晶翻版
- 華亞科辦理6.4億股的現(xiàn)金增資，南亞科和美光(Micron)等大股東按原持股比例認(rèn)購(gòu)現(xiàn)增額度，但近期傳出美光向臺(tái)塑集團(tuán)攤牌，希望能增加認(rèn)購(gòu)比例，爭(zhēng)取華亞科更多股權(quán)，惟臺(tái)塑集團(tuán)回決此提議，認(rèn)為目前「等權(quán)共治」策略較佳。內(nèi)存業(yè)者表示，在瑞晶股權(quán)落入爾必達(dá)(Elpida)手中后，華亞科主導(dǎo)權(quán)亦成為臺(tái)、美雙方角力戰(zhàn)場(chǎng)，背后意義在于DRAM產(chǎn)能分配和潛在市占率。不過(guò)，針對(duì)美光要求提高華亞科持股一事，華亞科與南亞科均不予置評(píng)。 2009年臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)整合計(jì)劃白忙1年，而茂德與海力士(Hynix)分手，亦使
- 關(guān)鍵字： 華亞科 DRAM DDR3
2010年全球DRAM市場(chǎng)展望
- 全球DRAM廠(chǎng)商自2006年紛紛投入“擴(kuò)廠(chǎng)競(jìng)賽”以來(lái)，DRAM市場(chǎng)嚴(yán)重供過(guò)于求的陰霾就揮之不去，在這樣心理預(yù)期下，DRAM價(jià)格持續(xù)性下跌也就顯得理所當(dāng)然。 所幸，金融海嘯的發(fā)生，迫使除三星電子(Samsung Electronics)外的全球DRAM廠(chǎng)商都必須削減資本支出，停止原先擴(kuò)廠(chǎng)計(jì)劃，單就臺(tái)灣各家DRAM業(yè)者為例，2008年第4季以來(lái)就有5座12吋廠(chǎng)、合計(jì)31萬(wàn)片12吋晶圓月產(chǎn)能的建廠(chǎng)計(jì)劃遭到凍結(jié)或延后，茂德更為確?，F(xiàn)金，暫時(shí)退出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM生產(chǎn)行列，轉(zhuǎn)而投入晶圓
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM
臺(tái)12寸DRAM廠(chǎng)廢墟變黃金 美日都覬覦
- 臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)成也12吋晶圓廠(chǎng)、敗也12吋晶圓廠(chǎng)!在金融風(fēng)暴期間，臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)身背2,000億元的負(fù)債，每天搖旗吶喊希望政府金援，否則整個(gè)產(chǎn)業(yè)面臨垮臺(tái)的命運(yùn)，根本原因就是過(guò)去幾年間，業(yè)者太容易拿到資本市場(chǎng)的資金，因此盲目蓋了太多的12吋廠(chǎng)，隨著微軟(Microsoft)的Vista換機(jī)潮成夢(mèng)一場(chǎng)，DRAM供需失衡的問(wèn)題浮出，全球金融風(fēng)暴成為壓垮駱駝的最后1根稻草，DRAM產(chǎn)業(yè)從此陷入惡夢(mèng)。 熬過(guò)2009年，第1個(gè)出局的，反而不是始終為人詬病沒(méi)有技術(shù)扎根的臺(tái)灣DRAM廠(chǎng)，而是奇夢(mèng)達(dá)(Qimo
- 關(guān)鍵字： 奇夢(mèng)達(dá) DRAM 晶圓
2010年內(nèi)存市場(chǎng)預(yù)測(cè):價(jià)格走高 產(chǎn)能不足
- 隨著2010年寒假及春節(jié)的臨近，電子賣(mài)場(chǎng)即將迎來(lái)新一輪的銷(xiāo)售高潮。記者在走訪(fǎng)中關(guān)村電子賣(mài)場(chǎng)時(shí)了解到，步入2010年，多數(shù)型號(hào)內(nèi)存價(jià)格已有小幅上漲，或已計(jì)劃漲價(jià)。銷(xiāo)售人員向記者介紹道，從2009年中旬至今，內(nèi)存價(jià)格一路上揚(yáng)，其主要原因在于金融危機(jī)對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的影響逐漸消逝，而各廠(chǎng)家的出貨量沒(méi)有迅速提高，導(dǎo)致部分廠(chǎng)家、型號(hào)的內(nèi)存出現(xiàn)短時(shí)間缺貨。 據(jù)商家預(yù)計(jì)，2010年內(nèi)存價(jià)格仍會(huì)緩慢上漲，寒假銷(xiāo)售情況被普遍看好。 據(jù)國(guó)外專(zhuān)業(yè)分析機(jī)構(gòu)DRAMeXchange報(bào)道，受2010年P(guān)C銷(xiāo)量看漲以及OEM
- 關(guān)鍵字： 奇夢(mèng)達(dá) DRAM DDR3 內(nèi)存
韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠(chǎng)操縱價(jià)格
- 韓國(guó)公平交易委員會(huì)(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國(guó)或其它地區(qū)有操縱市場(chǎng)價(jià)格的行為，也宣告終止近3年來(lái)對(duì)該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對(duì)計(jì)算機(jī)記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關(guān)的價(jià)格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對(duì)NAND快閃記憶芯片制造商進(jìn)行反壟斷調(diào)查，偵查是否有操縱價(jià)格的事實(shí)，之后已針對(duì)全球4家企業(yè)進(jìn)行調(diào)查，其中2家位于韓國(guó)，另外2家分別在美國(guó)和日本，但FTC并未公布詳細(xì)的企業(yè)名單。 韓國(guó)快閃記
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND DRAM
華亞科現(xiàn)金增資案過(guò)關(guān)
- 2010年DRAM產(chǎn)業(yè)前景看好，臺(tái)系DRAM廠(chǎng)忙著搶錢(qián)擴(kuò)大產(chǎn)能，華亞科日前宣布辦理現(xiàn)金增資，預(yù)計(jì)再募資超過(guò)新臺(tái)幣百億元，日前已正式獲得證期局的同意。華亞科預(yù)計(jì)2010年資本支出上看450億元，與同為臺(tái)塑集團(tuán)的南亞科合計(jì)資本支出高達(dá)640億元，2家DRAM廠(chǎng)雙雙展開(kāi)搶錢(qián)大作戰(zhàn)，一同轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程世代，且同時(shí)增加DDR3新產(chǎn)品的出貨比重，屆時(shí)生產(chǎn)成本可持續(xù)降低。
- 關(guān)鍵字： 華亞科 DRAM 晶圓
韓國(guó)FTC：NAND Flash大廠(chǎng)無(wú)操控價(jià)格
- 據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)公平貿(mào)易委員會(huì)(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NAND Flash存儲(chǔ)器大廠(chǎng)有任何操控價(jià)格的證據(jù)，將結(jié)束為期將近3年的調(diào)查。此外，韓國(guó)FTC表示，至目前為止所有和存儲(chǔ)器市場(chǎng)相關(guān)的操控價(jià)格調(diào)查皆已完成，包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場(chǎng)。 韓國(guó)FTC自2007年1月開(kāi)始調(diào)查存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)是否存在操控價(jià)格的不法行為，并調(diào)查4家全球存儲(chǔ)器大廠(chǎng)，包括兩家韓國(guó)廠(chǎng)商、1家日本及1家美國(guó)廠(chǎng)商，然FTC并未透露遭調(diào)查的廠(chǎng)商名稱(chēng)。 存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)近年來(lái)遭數(shù)個(gè)國(guó)家調(diào)查是否存在柯斷，近期
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM 存儲(chǔ)器芯片 NAND
華亞科現(xiàn)金增資案過(guò)關(guān)
- 2010年DRAM產(chǎn)業(yè)前景看好，臺(tái)系DRAM廠(chǎng)忙著搶錢(qián)擴(kuò)大產(chǎn)能，華亞科日前宣布辦理現(xiàn)金增資，預(yù)計(jì)再募資超過(guò)新臺(tái)幣百億元，日前已正式獲得證期局的同意。華亞科預(yù)計(jì)2010年資本支出上看450億元，與同為臺(tái)塑集團(tuán)的南亞科合計(jì)資本支出高達(dá)640億元，2家DRAM廠(chǎng)雙雙展開(kāi)搶錢(qián)大作戰(zhàn)，一同轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程世代，且同時(shí)增加DDR3新產(chǎn)品的出貨比重，屆時(shí)生產(chǎn)成本可持續(xù)降低。 經(jīng)歷2008年金融風(fēng)暴洗禮，全球DRAM廠(chǎng)從破產(chǎn)邊緣逐漸爬起，也使得各廠(chǎng)都沒(méi)有多余的資金可以擴(kuò)產(chǎn)和進(jìn)行制程微縮，配合終端需求有Windo
- 關(guān)鍵字： 華亞科 DRAM DDR3
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