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臺美日DRAM廠連手 抗韓策略發(fā)酵
- 兩大韓系內(nèi)存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調(diào)高2010年資本支出，繼三星預(yù)計投入30億美元擴產(chǎn)及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺系DRAM廠合作，盡管過去喊出的臺美日廠連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒再被提起，但DRAM廠指出，實際上全球4大DRAM陣營板塊運動，仍按照臺美日廠連手抗韓局勢發(fā)展。 隨著三星和海力士都擴增2010年資本支出，隱約釋出對
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DRAM廠好光景可以延續(xù)到2013年 封測業(yè)價格調(diào)升有望
- DRAM景氣逐漸觸底反彈，相關(guān)業(yè)者預(yù)估2010年第2季DRAM每顆報價有機會落在2.2~2.5美元，不僅DRAM業(yè)者在2010~2011年大幅獲利，DRAM封測廠也有機會調(diào)漲代工價格，模塊廠的獲利能力則將由過去暴利回復(fù)到合理利潤，預(yù)期2010年DRAM產(chǎn)業(yè)將呈現(xiàn)上肥下瘦局面，DRAM好光景可望延續(xù)到2013年。 聯(lián)測科技總經(jīng)理徐英琳分析2010年第1季，預(yù)期存儲器景氣仍將延續(xù)2009年第4季榮景，預(yù)估2個季度景氣應(yīng)為持平，不像過去第1季的季節(jié)性循環(huán)會季減10%。就產(chǎn)品別而言，Nor Flash和
- 關(guān)鍵字： Spansion DRAM 存儲器
爾必達內(nèi)存有望今年實現(xiàn)三年來的首次年度盈利
- 12月11日訊，據(jù)國外媒體報道，受到內(nèi)存需求大于供給的利好影響，日本最大的內(nèi)存生產(chǎn)企業(yè)爾必達內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc)可能在2010年本財年結(jié)束時實現(xiàn)開業(yè)三年來首次出現(xiàn)年度贏利。 爾必達內(nèi)存公司首席執(zhí)行官坂本幸雄(Yukio Sakamoto)宣稱：“由于今年全球電腦市場對內(nèi)存需求大于供給，我們也將在本財年結(jié)束時首次實現(xiàn)年度盈利。” 日本東京Ichiyoshi投資管理公司的總裁秋野充(Mitsushige Akino)宣稱：“盡管這種
- 關(guān)鍵字： 爾必達 DRAM 內(nèi)存
DDR2仍未過時，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹
- 2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內(nèi)也不會過時，它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。 主要有兩個原因在推動產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 新款英特爾處理器 促進產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR2 DDR3
DDR2仍未過時，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹
- 2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內(nèi)也不會過時，它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。 主要有兩個原因在推動產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 新款英特爾處理器 促進產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
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張忠謀：臺灣企業(yè)五年內(nèi)將面臨三大挑戰(zhàn)
- 臺積電董事長張忠謀日前表示，臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負(fù)成本。 張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認(rèn)為，全球經(jīng)濟都在復(fù)蘇中，復(fù)蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復(fù)蘇，但張忠謀認(rèn)為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴(yán)峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴(yán)峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢，相對地新臺幣波
- 關(guān)鍵字： 臺積電 芯片代工 DRAM NAND
12月上旬合約價DRAM持平 Flash下跌
- 12月上旬的存儲器合約價格中，DRAM合約價意外持平開出，南亞科副總經(jīng)理白培霖表示，主要是個人計算機(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價格則反應(yīng)市場需求不佳，16Gb芯片價格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合約價格貼近現(xiàn)貨價格水平，下游存儲器業(yè)者都盡量減少庫存水位，以免營運被跌價的NAND Flash芯片庫存燙傷。 近期DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)反彈，1Gb容量DDR2價格從2美元反彈至2.5美元，屬于觸底反彈，然整個市場的交易量是相當(dāng)有限，反倒是原本各界預(yù)期12月上旬
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張忠謀：臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)
- 12月9日消息，臺積電董事長張忠謀昨日表示，臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負(fù)成本。 張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認(rèn)為，全球經(jīng)濟都在復(fù)蘇中，復(fù)蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復(fù)蘇，但張忠謀認(rèn)為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴(yán)峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴(yán)峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢
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TIMC案觸礁 施顏祥提出3大處理原則
- 在臺灣“立法院”受到空前阻力的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」幾乎確定無法過關(guān)之后，國發(fā)基金投資臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)也面臨停擺。“經(jīng)濟部”長施顏祥對此表示，“立法院”和社會各界對于國發(fā)基金投資TIMC有意見，“經(jīng)濟部”都聽到了。目前經(jīng)濟部對DRAM產(chǎn)業(yè)再造的僵局有3大處理原則，分別是調(diào)整 DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、持續(xù)與立法委員溝通、思考新的替代方案。 施顏祥表示，臺灣每年支付DRAM技術(shù)母廠新臺幣200億
- 關(guān)鍵字： TIMC DRAM
爾必達蠶食臺12寸廠DRAM產(chǎn)能
- 日系DRAM大廠爾必達(Elpida)社長坂本幸雄再度訪臺，8日將與新策略聯(lián)盟伙伴茂德董事長陳民良聯(lián)合召開記者會，說明雙方合作代工細(xì)節(jié)。由于坂本幸雄過去慣常與力晶合作亮相，這次換成茂德，變化過程頗耐人尋味，爾必達2009年以來除拉攏茂德合作DDR3代工，亦與華邦電展開繪圖存儲器(GDDR)代工合作，日廠在臺灣存儲器領(lǐng)域勢力越來越龐大，不論臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)未來怎么走，爾必達可說是這場臺美日DRAM廠整并下的大贏家。 爾必達經(jīng)過2008年DRAM產(chǎn)業(yè)崩盤襲擊，2009年元氣逐漸恢復(fù)后，
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中國臺灣芯片公司改變策略應(yīng)對市場下滑危機
- 臺灣半導(dǎo)體生產(chǎn)商期望通過轉(zhuǎn)變策略來應(yīng)對電腦存儲芯片市場占有率下降帶來的挑戰(zhàn)，但此舉可能導(dǎo)致它們?nèi)P退出核心業(yè)務(wù)。 由于芯片行業(yè)從2007年起陷入有史以來最嚴(yán)重的滑坡，南亞科技及臺灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司(簡稱：力晶)等臺灣芯片行業(yè)的支柱公司已在虧損中掙扎了兩年多。盡管今年芯片價格出現(xiàn)反彈，但力晶和茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)等公司仍處于貸款違約的邊緣。 與此同時，韓國和日本的競爭對手憑藉更先進、成本更低的生產(chǎn)技術(shù)持續(xù)發(fā)展壯大。 為應(yīng)對上述局面，臺資公司
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三星每年提高一倍代工芯片產(chǎn)能 目標(biāo)直指臺積電
- 據(jù)報道，為了更加快速的追趕臺積電，三星計劃將以后每年的代工芯片產(chǎn)能提高一倍直至達到臺積電的規(guī)模。 根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計，去年全球芯片代工市場的產(chǎn)值為190億美元，而臺積電獨自占據(jù)了其中的100億美元。 三星是全球第二大芯片制造商，在DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場處于領(lǐng)先地位，但是他們在代工市場的收入?yún)s只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示，三星已經(jīng)決定擴大其代工產(chǎn)能，目標(biāo)直指臺積電。 三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠，專門用于代工業(yè)務(wù)。三星一直強調(diào)
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DRAM廠資本支出競賽 三星更勝臺廠一籌
- 臺系DRAM廠開始規(guī)劃2010年資本支出，估計包括南亞科、華亞科、力晶和茂德4家DRAM廠2010年資本支出逾新臺幣700億元，且主要支出集中在臺塑集團身上，臺DRAM廠似乎又生龍活虎起來，開始擴大投資規(guī)模，然相較于三星電子(Samsung Electronics)2010年在存儲器領(lǐng)域資本支出至少30億美元來看，臺系4家DRAM廠合計資本支出仍遠(yuǎn)落后三星，未來三星不僅將穩(wěn)坐龍頭，且恐將再度侵蝕臺DRAM廠既有市占率。 三星是這一波DRAM產(chǎn)業(yè)海嘯大贏家，這波巨浪吹倒臺DRAM產(chǎn)業(yè)，亦讓美、日系
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