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	1β dram
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          2010年DRAM制造商資本支出將猛增80%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)DRAMeXchange的預測，2010年DRAM制造商資本支出總額將達到78.5億美元，較2009年的43億美元增長80%。雖然增長迅猛，但較2007年的214億美元還是有一定差距。
　　2011年和2012年全球DRAM制造商資本支出預算將達到100億至120億美元，成長速度較2010年相對溫和。
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          • 關鍵字：
                        半導體  DRAM                          
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          2009芯片市場收入下滑一成 Intel份額上漲
          
                                                            
            
                    	
          • 　　受經(jīng)濟回暖影響，市場調(diào)研公司Gartner近日再次提高了對2009年全球芯片市場預期至2260億美元，不過和去年相比，這一數(shù)字仍舊下降了11.4%。Gartner十月份曾認為跌幅會達到17%。
　　Gartner半導體研究主管Stephan Ohr表示，半導體領域中最早顯示出回暖跡象的是PC市場，手機、汽車行業(yè)緊跟其后。不過企業(yè)在投資支出上依舊很保守，恢復很慢。
　　Gartner還預計，芯片巨頭Intel的市場份額將稍稍提升至14.2%;受到內(nèi)存芯片價格的影響，三星和海力士本年度的收入將會增加2
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          • 關鍵字：
                        Intel  芯片  DRAM                          
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          爾必達預期明年DRAM需求大增
          
                                                            
            
                    	
          • 　　日本電腦芯片大廠Elpida Memory Inc. 預期芯片將出現(xiàn)短缺潮，因而計劃在明年4月起的財年中，增加其資本支出。
　　爾必達社長兼執(zhí)行長坂本幸雄周二在記者會上表示，爾必達下一個財年的資本支出可能將自本財年的5億美元上升至6億美元。
　　他表示：“明年(DRAM芯片產(chǎn)業(yè)狀況將大幅好轉。”
　　爾必達預期，一些驅動新需求的動力，例如微軟的Window 7個人電腦操作系統(tǒng)，有可能刺激個人電腦汰換潮發(fā)生，進而提升存儲芯片的銷售力道。
　　坂本幸雄預期，明年全球用于電腦
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          • 關鍵字：
                        Elpida  DRAM  存儲器                          
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          瑞晶將成臺第6家掛牌DRAM廠 爾必達是否釋股受注目
          
                                                            
            
                    	
          • 　　臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)暌違4年，2010年即將出現(xiàn)第6家上柜掛牌的DRAM新兵，爾必達(Elpida)旗下瑞晶計劃在2010年申請掛牌上柜，為枯木逢春的存儲器產(chǎn)業(yè)再添色彩!值得注意的是，目前爾必達對瑞晶持股達70%，申請掛牌前勢必要先釋股，持股降至50%以下，已傳出計畫引進策略聯(lián)盟伙伴的消息，產(chǎn)業(yè)上、下游供應鏈都會是潛在的合作對象;存儲器業(yè)者分析，雖然日方希望爾必達能掌握瑞晶多數(shù)股權，但若瑞晶未來可以獨立募資，這是對母、子公司都好的作法。
　　臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)共有6家DRAM廠，其中有5家已掛牌上市柜，1
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          • 關鍵字：
                        Elpida  DRAM  存儲器                          
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          海力士2010年半導體生產(chǎn)開支將增加一倍 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)《韓國時報》報道，內(nèi)存芯片廠商海力士半導體計劃在2010年向芯片生產(chǎn)投入大約2.3萬億韓元(約20億美元)，比2009年的資本開支增加一倍。
　　這項開支有1.5萬億韓元(大約13億美元)用于DRAM內(nèi)存生產(chǎn)，剩余的8000億韓元(約7億美元)用于NAND閃存和邏輯芯片的生產(chǎn)。
　　這篇報道引述消息靈通人士的話說，海力士看到了1GB DDR3內(nèi)存的需求超過了預期。這篇報道還預計海力士在2010年將在全球DRAM市場擴大領先于日本的Elpida公司的優(yōu)勢。
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          • 關鍵字：
                        海力士  DRAM  內(nèi)存芯片                          
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          臺美日DRAM廠連手 抗韓策略發(fā)酵 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　兩大韓系內(nèi)存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調(diào)高2010年資本支出，繼三星預計投入30億美元擴產(chǎn)及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺系DRAM廠合作，盡管過去喊出的臺美日廠連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒再被提起，但DRAM廠指出，實際上全球4大DRAM陣營板塊運動，仍按照臺美日廠連手抗韓局勢發(fā)展。
　　隨著三星和海力士都擴增2010年資本支出，隱約釋出對
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          • 關鍵字：
                        Samsung  DRAM  NAND                          
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          DRAM廠好光景可以延續(xù)到2013年 封測業(yè)價格調(diào)升有望
          
                                                            
            
                    	
          • 　　DRAM景氣逐漸觸底反彈，相關業(yè)者預估2010年第2季DRAM每顆報價有機會落在2.2~2.5美元，不僅DRAM業(yè)者在2010~2011年大幅獲利，DRAM封測廠也有機會調(diào)漲代工價格，模塊廠的獲利能力則將由過去暴利回復到合理利潤，預期2010年DRAM產(chǎn)業(yè)將呈現(xiàn)上肥下瘦局面，DRAM好光景可望延續(xù)到2013年。
　　聯(lián)測科技總經(jīng)理徐英琳分析2010年第1季，預期存儲器景氣仍將延續(xù)2009年第4季榮景，預估2個季度景氣應為持平，不像過去第1季的季節(jié)性循環(huán)會季減10%。就產(chǎn)品別而言，Nor Flash和
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          • 關鍵字：
                        Spansion  DRAM  存儲器                          
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          爾必達內(nèi)存有望今年實現(xiàn)三年來的首次年度盈利
          
                                                            
            
                    	
          • 　　12月11日訊，據(jù)國外媒體報道，受到內(nèi)存需求大于供給的利好影響，日本最大的內(nèi)存生產(chǎn)企業(yè)爾必達內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc)可能在2010年本財年結束時實現(xiàn)開業(yè)三年來首次出現(xiàn)年度贏利。
　　爾必達內(nèi)存公司首席執(zhí)行官坂本幸雄(Yukio Sakamoto)宣稱：“由于今年全球電腦市場對內(nèi)存需求大于供給，我們也將在本財年結束時首次實現(xiàn)年度盈利。”
　　日本東京Ichiyoshi投資管理公司的總裁秋野充(Mitsushige Akino)宣稱：“盡管這種
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          • 關鍵字：
                        爾必達  DRAM  內(nèi)存                          
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          DDR2仍未過時，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術。
　　DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內(nèi)也不會過時，它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。
　　主要有兩個原因在推動產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。
　　新款英特爾處理器
　　促進產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
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          • 關鍵字：
                        DRAM  DDR2  DDR3                           
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          DDR2仍未過時，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術。
　　DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內(nèi)也不會過時，它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。
　　主要有兩個原因在推動產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。
　　新款英特爾處理器
　　促進產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
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          • 關鍵字：
                        DRAM  存儲  DDR3  DDR2                          
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          張忠謀：臺灣企業(yè)五年內(nèi)將面臨三大挑戰(zhàn) 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　臺積電董事長張忠謀日前表示，臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。
　　張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經(jīng)濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。
　　第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢，相對地新臺幣波
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          • 關鍵字：
                        臺積電  芯片代工  DRAM  NAND                          
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          12月上旬合約價DRAM持平　Flash下跌
          
                                                            
            
                    	
          • 　　12月上旬的存儲器合約價格中，DRAM合約價意外持平開出，南亞科副總經(jīng)理白培霖表示，主要是個人計算機(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價格則反應市場需求不佳，16Gb芯片價格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合約價格貼近現(xiàn)貨價格水平，下游存儲器業(yè)者都盡量減少庫存水位，以免營運被跌價的NAND Flash芯片庫存燙傷。
　　近期DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)反彈，1Gb容量DDR2價格從2美元反彈至2.5美元，屬于觸底反彈，然整個市場的交易量是相當有限，反倒是原本各界預期12月上旬
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                        南亞科  NAND  DRAM                          
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          張忠謀：臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　12月9日消息，臺積電董事長張忠謀昨日表示，臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。
　　張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經(jīng)濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。
　　第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢
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                        臺積電  芯片代工  DRAM  NAND                          
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          爾必達與臺灣茂德簽DRAM代工 預計明年量產(chǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，日本記憶體晶片大廠爾必達與臺灣茂德、華邦結盟，市場揣測會趁勢入股茂德與華邦。爾必達社長坂本幸雄昨日首度對入股茂德與華邦猜測松口表示：“目前沒有，但以后的事很難說。”強調(diào)爾必達會積極與臺灣DRAM廠“共同抗韓”的立場。
　　茂德董事長陳民良透露，將引進新的投資對象，目前潛在合作對象有四個集團，但堅決不透露是誰中選。
　　業(yè)內(nèi)揣測，有意入股或金援茂德者，可能是結盟的爾必達，或已是茂德大股東的聯(lián)電。另外，外傳旺宏有意買下茂德竹科8吋與1
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                        爾必達  DRAM                          
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          TIMC案觸礁　施顏祥提出3大處理原則 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在臺灣“立法院”受到空前阻力的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」幾乎確定無法過關之后，國發(fā)基金投資臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)也面臨停擺。“經(jīng)濟部”長施顏祥對此表示，“立法院”和社會各界對于國發(fā)基金投資TIMC有意見，“經(jīng)濟部”都聽到了。目前經(jīng)濟部對DRAM產(chǎn)業(yè)再造的僵局有3大處理原則，分別是調(diào)整 DRAM產(chǎn)業(yè)結構、持續(xù)與立法委員溝通、思考新的替代方案。
　　施顏祥表示，臺灣每年支付DRAM技術母廠新臺幣200億
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                        TIMC  DRAM                          
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