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記取DRAM再造失敗教訓(xùn) 臺“經(jīng)濟部”擬推動“產(chǎn)業(yè)再造法”
- 臺“經(jīng)濟部”主導(dǎo)的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」幾乎已確定翻案無望，“經(jīng)濟部”長施顏祥29日首度松口表示，若國發(fā)基金無法投資臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)，或許可改由民間資金投入。由于產(chǎn)業(yè)經(jīng)常會遇到再造的需求，“經(jīng)濟部”也可能要仿效日本，制定「產(chǎn)業(yè)再造法」，作為政府解決產(chǎn)業(yè)危機的主要依據(jù)。 “經(jīng)濟部”長施顏祥29日舉行“經(jīng)濟部”年終記者會，對于TIMC停擺，政府的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方
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DRAM內(nèi)存芯片2010年將嚴(yán)重缺貨 廠商受益
- 由于消費者需求增長，以及企業(yè)進(jìn)入PC更換周期，2010年下半年DRAM內(nèi)存將嚴(yán)重缺貨。 2009年，DRAM芯片價格在大部分時間內(nèi)都呈增長趨勢，因為受經(jīng)濟低迷影響許多廠商都削減了產(chǎn)量，只是在剛剛過去的兩個月內(nèi)趨于穩(wěn)定。 調(diào)研公司DRAMeXchange認(rèn)為：“受PC銷量增長推動，DRAM芯片明年下半年將出現(xiàn)嚴(yán)重缺貨。對于DRAM廠商而言，2010年全年盈利的機會較大。” DRAMeXchange預(yù)計，2010年P(guān)C出貨量將增長13%。其中，筆記本將增長22.5
- 關(guān)鍵字： DRAM 芯片
海力士調(diào)高資本支出 規(guī)模逼近華亞科
- 國際DRAM廠相繼傳來調(diào)高資本支出的消息，韓國大廠海力士(Hynix)宣布調(diào)高2010年資本支出，預(yù)估將從1兆韓元調(diào)高至1.5兆韓元，相當(dāng)于12.7億美元，雖然以全球的角度來看，2010年的資本支出仍高居全球第三大，然經(jīng)此一調(diào)高，海力士明年資本支出規(guī)模已經(jīng)接近華亞科(3474)的13.85億美元，且資本支出的規(guī)模也是2007年的高峰以來，最大規(guī)模的一次行動。 目前已知將調(diào)高資本支出的國際廠商包括爾必達(dá)、三星半導(dǎo)體、華邦電，上周25日，韓國大廠海力士也跟進(jìn)宣布調(diào)高資本支出。 根據(jù)外電指出，海
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機構(gòu)預(yù)計2010年下半年內(nèi)存芯片緊缺
- 業(yè)界分析機構(gòu)DRAMeXchange表示，受消費者需求和企業(yè)更新PC拉動影響，預(yù)計明年下半年計算機芯片將出現(xiàn)緊缺。 芯片廠商受經(jīng)濟低迷打擊削減產(chǎn)量和資本支出，導(dǎo)致DRAM芯片緊缺，其價格在今年一直上漲，DRAM價格在過去兩個月中已企穩(wěn)。 DRAMeXchange周四預(yù)計明年P(guān)C發(fā)貨量將增長13%,筆記本發(fā)貨量將增長22.5%至1.6億臺，上網(wǎng)本發(fā)貨量將增長22%至3500萬臺。 DRAMeXchange稱：“在PC熱銷的拉動下，DRAM芯片將在2010年下半年面臨嚴(yán)重的緊
- 關(guān)鍵字： DRAM 芯片
DRAMeXchange：明年下半年內(nèi)存市場將出現(xiàn)嚴(yán)重缺貨現(xiàn)象
- 據(jù)DRAMeXchange預(yù)測，由于同期的PC銷量看好，加上OEM廠商為了保證庫存會開始大量進(jìn)貨，因此明年下半年內(nèi)存市場可能會出現(xiàn)嚴(yán)重的缺貨現(xiàn)象。另外，內(nèi)存價格的低迷走勢有望于明年第二季度開始減緩，而各大內(nèi)存廠商則有望于明年年底實現(xiàn)扭虧為盈。 DRAMeXchange還預(yù)測稱，明年第一季度，DDR3內(nèi)存將力壓DDR2成為內(nèi)存市場的主流產(chǎn)品，到明年年底，DDR3內(nèi)存的銷量將可占據(jù)內(nèi)存市場整體份額的80%。相比另外一家市場分析機構(gòu)iSuppli上個月的預(yù)測而言，DRAMeXchange對DDR3的信
- 關(guān)鍵字： PC DRAM DDR3
明年全球PC出貨將增13% DRAM芯片或出現(xiàn)缺貨
- 據(jù)國外媒體報道，亞洲最大的半導(dǎo)體交易市場Dramexchange提供的數(shù)據(jù)顯示，受消費者需求增加及企業(yè)紛紛更換PC的推動，明年下半年計算機存儲芯片可能會出現(xiàn)缺貨。 在過去的兩個月中，DRAM芯片的售價一直保持穩(wěn)定。受制造商降低產(chǎn)能導(dǎo)致供不應(yīng)求的影響，在經(jīng)歷了去年的價格下跌之后，DRAM芯片售價在今年絕大部分時間一直處于上漲之中。 Dramexchange周四同時預(yù)計，受筆記本電腦出貨增加的推動，明年全球PC出貨總量將增長13%。其中，筆記本電腦出貨將增長22.5%，達(dá)到1.60億臺;上網(wǎng)本
- 關(guān)鍵字： 存儲芯片 DRAM
研究稱內(nèi)存芯片明年下半年將出現(xiàn)供應(yīng)不足
- 12月24日消息，行業(yè)研究公司DRAMeXchange稱，電腦內(nèi)存芯片或?qū)⒃诿髂晗掳肽瓿霈F(xiàn)供應(yīng)不足，因消費者需求升溫，且公司將開始進(jìn)行推遲了的電腦更新工作。 DRAMeXchange周四預(yù)計，明年個人電腦出貨量將增長13%，其中筆記本增長22.5%至1.6億臺，上網(wǎng)本將增長22%至3,500萬臺。 該公司稱：“2010年下半年動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)或?qū)⒚媾R嚴(yán)重短缺，因個人電腦預(yù)計將熱賣，DRAM價格跌勢可能會在明年第二季放緩。也就是說，DRAM企業(yè)可以獲得保持全年獲利的絕
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
2010年下半年存儲器芯片供給料出現(xiàn)短缺
- 行業(yè)研究公司DRAMeXchange稱，電腦存儲芯片或?qū)⒃诿髂晗掳肽瓿霈F(xiàn)供應(yīng)不足，因消費者需求升溫，且公司將開始進(jìn)行推遲了的電腦更新工作。 DRAMeXchange周四預(yù)計，明年個人電腦出貨量將增長13%，其中筆記本增長22.5%至1.6億臺，上網(wǎng)本將增長22%至3，500萬臺。 該公司稱：“2010年下半年動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)或?qū)⒚媾R嚴(yán)重短缺，因個人電腦料將熱賣。DRAM價格跌勢可能會在明年第二季放緩。也就是 說，DRAM企業(yè)可以獲得保持全年獲利的絕佳機會。&
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 存儲芯片
TIMC驚傳B計畫 力晶爭取買回瑞晶股權(quán)
- 盡管臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)瀕臨解散邊緣，但對于力晶而言，仍是揮之不去的心腹大患，尤其近期業(yè)界不斷傳出TIMC有一套「B計畫」版本，可能藉由與爾必達(dá)(Elpida)合作滲入瑞晶，再度于DRAM產(chǎn)業(yè)復(fù)活。因此，力晶對于手上瑞晶持股偏低問題，始終耿耿于懷，不斷宣示要買回合作伙伴爾必達(dá)手上瑞晶股權(quán)，不過，爾必達(dá)會不會同意釋股仍是大問題。 存儲器業(yè)者透露，力晶不只一次對外宣布要買回瑞晶持股，盡管業(yè)界多認(rèn)為并沒有這個必要，因為力晶對瑞晶持股不論是30%或40%，其實都不能改變主導(dǎo)權(quán)旁落爾必達(dá)的事實，
- 關(guān)鍵字： TIMC DRAM 存儲器
消息稱力晶董事會批準(zhǔn)從爾必達(dá)手中購瑞晶股份
- 12月23日消息，據(jù)國外媒體報道，臺灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司管理人士周三表示，公司董事會批準(zhǔn)了從日本合作伙伴爾必達(dá)手中收購合資企業(yè)瑞晶電子股份有限公司股份的計劃。 這位要求匿名的管理人士向道瓊斯通訊社透露，該計劃的細(xì)節(jié)，如力晶將收購的股份數(shù)以及收購價格等，還沒有確定。 爾必達(dá)曾于10月份表示，正考慮在年底前將其在瑞晶電子的持股比例增加到70%以上。就在當(dāng)月，為了與全球最大的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)韓國三星電子展開競爭，爾必達(dá)曾將其在瑞晶電子的股權(quán)比例由52%增加至64%。 DRAM
- 關(guān)鍵字： 力晶 DRAM
PC DRAM容量提升至2.92GB DRAM現(xiàn)貨價大漲3%
- 沈寂已久的DRAM價格再度動起來，存儲器廠對于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看法相當(dāng)樂觀，DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài)，目前個人計算機(PC)搭載存儲器 平均容量成長16%至2.92GB，未來消費性PC機種搭載DRAM容量可望升級至4GB，市場對于后市看法相當(dāng)樂觀，原本外界預(yù)期12月合約價格會開始下跌，反應(yīng)淡季效應(yīng)，但目前開出是持平，反映市場供給不多，而22日現(xiàn)貨價格又開始蠢蠢欲動，一口氣大漲3%;此外，下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場表現(xiàn)將優(yōu)于NAND Flash市場。 存儲器模塊廠一致看好2010
- 關(guān)鍵字： 南亞科 DRAM 存儲器 NAND
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