<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3d-mems

          臺(tái)積電OIP推3D IC設(shè)計(jì)新標(biāo)準(zhǔn)

          • 臺(tái)積電OIP(開放創(chuàng)新平臺(tái))于美西當(dāng)?shù)貢r(shí)間25日展開,除表?yè)P(yáng)包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外,更計(jì)劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn),進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新,并提高EDA工具的通用性。 臺(tái)積電設(shè)計(jì)構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示,將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn),幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計(jì)。臺(tái)積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑,與設(shè)計(jì)合作伙伴及客戶共同探討如何通過(guò)更深層次的合作,推動(dòng)AI芯片設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  OIP  3D IC設(shè)計(jì)  

          MEMS 麥克風(fēng)中 PDM 和 I2S 數(shù)字輸出接口的比較和選擇

          • 文章概述  本文將詳細(xì)討論脈沖密度調(diào)制 (PDM) 和集成電路內(nèi)置音頻 (I2S) 兩種數(shù)字接口,簡(jiǎn)介它們的獨(dú)特特性以及在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)的優(yōu)缺點(diǎn)。工程師具體選擇哪一種,將取決于對(duì)兩種技術(shù)的研究,并要了解哪種協(xié)議對(duì)于特定應(yīng)用更適合。具體要考慮的幾個(gè)關(guān)鍵因素包括:音質(zhì)功耗物料成本設(shè)計(jì)的空間限制硬件的運(yùn)行環(huán)境如果您在MEMS 麥克風(fēng)的數(shù)字輸出接口選擇上有需求,相信本文會(huì)有所幫助。麥克風(fēng)用在嵌入式系統(tǒng)中已經(jīng)有很多年了。自其誕生以來(lái),由于家居、汽車和可穿戴設(shè)備中基于語(yǔ)音的應(yīng)用范圍
          • 關(guān)鍵字: Digikey  MEMS  麥克風(fēng)  

          拜登-哈里斯政府宣布與惠普達(dá)成初步條款,以支持尖端半導(dǎo)體技術(shù)的開發(fā)和商業(yè)化

          • 擬議的投資將支持現(xiàn)有園區(qū)的擴(kuò)建和現(xiàn)代化,并創(chuàng)造 250 多個(gè)制造和建筑工作崗位
          • 關(guān)鍵字: 美國(guó)芯片法規(guī)  惠普  MEMS  

          基于ST ASM330LHH MEMS Sensor系列的智能座艙高精度慣性導(dǎo)航方案

          • 隨著汽車輔助駕駛和無(wú)人駕駛的發(fā)展,慣性導(dǎo)航越來(lái)越成為不可或缺的技術(shù)需求。在城市密集的高樓大廈下、復(fù)雜的高架下、冗長(zhǎng)的地下隧道里,GPS信號(hào)因?yàn)槭艿秸趽鹾透蓴_,提供不了導(dǎo)航服務(wù)。這時(shí)候高精度的慣性導(dǎo)航就能很好彌補(bǔ)GPS信號(hào)丟失的不足,保證正常的導(dǎo)航行程。慣性導(dǎo)航IMU的核心是慣性傳感器,當(dāng)慣性導(dǎo)航IMU安裝在車輛上時(shí),它可以通過(guò)測(cè)是車輛運(yùn)動(dòng)的加速度和角速度來(lái)計(jì)算車輛的位移和方位角。 能夠填補(bǔ)GPS信號(hào)丟失的空白,為車輛提供高精度定位,確保車輛行駛安全。ST汽車級(jí)六軸慣性傳感器ASM330LHH系列,為先進(jìn)的
          • 關(guān)鍵字: ST  ASM330LHH  MEMS Sensor  智能座艙  高精度慣性導(dǎo)航  

          內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新,大廠新招數(shù)呼之欲出

          • 制造HBM難,制造3D DRAM更難。
          • 關(guān)鍵字: HBM  3D DRAM  

          鎧俠公布藍(lán)圖:2027年實(shí)現(xiàn)1000層3D NAND堆疊

          • 近日,據(jù)媒體報(bào)道,日本存儲(chǔ)芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖,目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示,自2014年以來(lái),3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長(zhǎng),從初期的24層迅速攀升至2022年的238層,短短8年間實(shí)現(xiàn)了驚人的10倍增長(zhǎng)。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長(zhǎng)速度,預(yù)測(cè)到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時(shí)間早了近3年,據(jù)日本媒體今年4月報(bào)道,鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季學(xué)術(shù)演講會(huì)上表示,公司計(jì)劃于2030至2031
          • 關(guān)鍵字: 鎧俠  3D NAND堆疊  

          SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破:良品率已達(dá)56.1%

          • 6月25日消息,據(jù)媒體報(bào)道,SK海力士在近期于美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上,重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果,展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息,SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展,并首次詳細(xì)公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā),并已取得重大突破。SK海力士透露,目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%,這一數(shù)據(jù)意味著在單個(gè)測(cè)試晶圓上,能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元,其中超過(guò)一半(即561個(gè))為良
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  3D DRAM  

          西門子推出Calibre 3DThermal軟件,持續(xù)布局3D IC市場(chǎng)

          • ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析,幫助應(yīng)對(duì)從芯片設(shè)計(jì)和?3D?組裝的早期探索到項(xiàng)目?Signoff?過(guò)程中的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進(jìn)的設(shè)計(jì)工具,能夠在整個(gè)設(shè)計(jì)流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件,可針對(duì)?3D?
          • 關(guān)鍵字: 西門子  Calibre 3DThermal  3D IC  

          博世推出堅(jiān)固耐用的高能效四合一 MEMS 室內(nèi)空氣質(zhì)量傳感器

          • ※? ?四合一?MEMS?傳感器采用緊湊封裝,可精準(zhǔn)測(cè)量氣體、濕度、溫度和氣壓?!? ?與上一代產(chǎn)品相比,功耗最多可降低?50%,是電池供電設(shè)備的理想之選?!? ?完全符合?WELL?和?RESET?室內(nèi)空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),確保一流的監(jiān)測(cè)性能。※? ?更堅(jiān)固耐用,可在冷凝水平較高的環(huán)境中使用??諝獾馁|(zhì)量與清潔度對(duì)于健康而言至關(guān)重要。我們平均約有?90%&
          • 關(guān)鍵字: 博世  MEMS  空氣質(zhì)量傳感器  

          生成式人工智能音頻快速發(fā)展:高信噪比MEMS麥克風(fēng)功不可沒

          • 最新一代人工智能或?qū)㈤_啟新一輪科技革命,全面提升各種人機(jī)交互體驗(yàn)。人工智能日益融入人們的日常生活,在方方面面帶來(lái)深刻變化?;谌斯ぶ悄艿奈谋竞蛨D像生成工具可以創(chuàng)建出令人難以置信的內(nèi)容。不僅如此,人工智能的觸角已從視覺和文字媒介,伸向語(yǔ)音轉(zhuǎn)文字(STT)和自然語(yǔ)言處理(NLP)等音頻應(yīng)用,展現(xiàn)出巨大潛力。然而,音頻應(yīng)用質(zhì)量大幅提高是否僅僅歸功于最新一代基于大語(yǔ)言模型的生成式人工智能?還是說(shuō)硬件依然功不可沒?就拿高信噪比(SNR)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)麥克風(fēng)來(lái)說(shuō),它為實(shí)現(xiàn)這種必將改變?nèi)藗內(nèi)粘I畹男沦|(zhì)人機(jī)交互
          • 關(guān)鍵字: NLP  STT  SNR  MEMS  麥克風(fēng)  

          邁向 3D 內(nèi)存:三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

          • IT之家 5 月 21 日消息,綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報(bào)道,三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會(huì)上表示該企業(yè)計(jì)劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上:一種是 4F2 VCT(IT之家注:Vertical Channel Transistor,垂直通道晶體管) DRAM;另一種是 VS-CAT(Vertical Stacke
          • 關(guān)鍵字: 3D 內(nèi)存  存儲(chǔ)  三星  

          “8英寸硅基壓電薄膜及壓電MEMS傳感器制造工藝平臺(tái)”項(xiàng)目啟動(dòng)

          • 據(jù)賽微電子消息,近日,2023年度國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“智能傳感器”重點(diǎn)專項(xiàng)“8英寸硅基壓電薄膜及壓電MEMS傳感器制造工藝平臺(tái)”項(xiàng)目啟動(dòng)暨實(shí)施方案論證會(huì)在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)召開。該項(xiàng)目由賽微電子控股子公司賽萊克斯微系統(tǒng)科技(北京)有限公司牽頭,聯(lián)合武漢大學(xué)、蘇州大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院空天信息創(chuàng)新研究院、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、武漢敏聲新技術(shù)有限公司、北京智芯微電子科技有限公司、成都纖聲科技有限公司、上海矽??萍脊煞萦邢薰镜葐挝还餐瑢?shí)施。資料顯示,賽萊克斯微系統(tǒng)科技(北京)有限公司專業(yè)從事半導(dǎo)體晶
          • 關(guān)鍵字: 傳感器  MEMS  賽微電子  

          SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

          • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨(dú)特的性能。
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  3D NAND  

          5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

          • 聯(lián)電昨(2)日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案,此55奈米R(shí)FSOI制程平臺(tái)上所使用的硅堆棧技術(shù),在不損耗射頻(RF)效能下,可將芯片尺寸縮小逾45%,聯(lián)電表示,此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR,為加速5G世代鋪路,且該制程已獲得多項(xiàng)國(guó)際專利,準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示,RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對(duì)頻段數(shù)量需求的不斷增長(zhǎng),聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案,利用晶圓對(duì)晶圓的鍵合技術(shù),并解決了芯片堆棧時(shí)常見的射頻干擾問(wèn)題,將裝置中
          • 關(guān)鍵字: 5G  聯(lián)電  RFSOI  3D IC  

          聯(lián)電:3D IC解決方案已獲得客戶采用,預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)

          • 近日,晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì),公布2024年第一季財(cái)報(bào),合并營(yíng)收546.3億元新臺(tái)幣,較2023年第四季549.6億元新臺(tái)幣減少0.6%,較2023年第一季542.1億元新臺(tái)幣成長(zhǎng)0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%,歸屬母公司凈利104.6億元新臺(tái)幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示,由于電腦領(lǐng)域需求回升,第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(zhǎng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%,成本控管及營(yíng)運(yùn)效率提升,仍維持相對(duì)穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下,特殊制程占總營(yíng)收
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  3D IC  
          共2088條 1/140 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

          3d-mems介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d-mems!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d-mems的理解,并與今后在此搜索3d-mems的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

          熱門主題

          樹莓派    linux   
          關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
          備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();