3d x-dram 文章進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區(qū)

Cadence推出Clarity 3D場求解器，為系統(tǒng)級分析和設(shè)計(jì)提供前所未有的性能及容量

內(nèi)容提要： ? Clarity 3D Solver場求解器是Cadence系統(tǒng)分析戰(zhàn)略的首款產(chǎn)品，電磁仿真性能比傳統(tǒng)產(chǎn)品提高10倍，并擁有近乎無限的處理能力，同時(shí)確保仿真精度達(dá)到黃金標(biāo)準(zhǔn) ? 全新的突破性的架構(gòu)針對云計(jì)算和分布式計(jì)算的服務(wù)器進(jìn)行優(yōu)化，使得仿真任務(wù)支持調(diào)用數(shù)以百計(jì)的CPU進(jìn)行求解 ? 真正的3D建模技術(shù)，避免傳統(tǒng)上為了提高仿真效率而人為對結(jié)構(gòu)進(jìn)行剪切帶來的仿真精度降低的風(fēng)險(xiǎn) ? 輕松讀取所有標(biāo)準(zhǔn)芯片和IC封裝平臺的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)，并與Cadence設(shè)計(jì)平臺實(shí)現(xiàn)專屬集成
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紅「芯」勢力崛起三星DRAM事業(yè)的危機(jī)與中轉(zhuǎn)

半導(dǎo)體無所不在，舉凡汽車、家電、手機(jī)到戰(zhàn)斗機(jī)，皆少不了半導(dǎo)體這玩意。半導(dǎo)體為韓國最具代表性產(chǎn)業(yè)，占外銷總金額的20%。然而2018年底存儲器榮景告終、價(jià)格走跌，除了讓三星電子(Samsung Electronics)存儲器事業(yè)陷入危機(jī)外，韓國經(jīng)濟(jì)前景也跟著蒙上陰影。面對中國大陸DRAM力拚崛起，及工業(yè)4.0革命可能帶來的爆炸性需求，三星半導(dǎo)體事業(yè)將采取何種策略令人好奇。
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三星18nm工藝內(nèi)存芯片曝缺陷明年全面挺進(jìn)16nm

作為占據(jù)全球DRAM內(nèi)存芯片過半市場的超級巨頭，三星電子的一舉一動都影響著整個(gè)行業(yè)。前幾年內(nèi)存價(jià)格持續(xù)暴漲，三星賺得盆滿缽滿，最近日子就不太好過了，一季度營業(yè)利潤暴跌了超過60％。
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嶄新的名字——Agilex，英特爾新FPGA有哪些黑科技？

? ? 不久前，英特爾舉辦新聞發(fā)布會，隆重宣布推出以數(shù)據(jù)為中心的一系列產(chǎn)品組合，以實(shí)現(xiàn)更全處理、更強(qiáng)存儲和更快傳輸。其中的重磅產(chǎn)品之一是10 nm英特爾? Agilex? FPGA 家族，能夠?yàn)橐詳?shù)據(jù)為中心的時(shí)代帶來靈活的硬件加速能力，將于2019年下半年開始試樣。? ? Agilex來源于Agile(敏捷的)。該產(chǎn)品是英特爾目前的高端FPGA系列——Stratx 10的下一代產(chǎn)品。它為何有個(gè)嶄新的名字Agilex？它有哪些新特性？為此，電子產(chǎn)品世界等媒體在深圳訪問
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為物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)發(fā)展做出突出貢獻(xiàn)，Entegris用了哪些方法？

當(dāng)前，我們正在經(jīng)歷第四次工業(yè)革命的歷史進(jìn)程，在這里催生了很多新技術(shù)和新市場，比如物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源、3D打印、納米技術(shù)等等。這么多新的技術(shù)和產(chǎn)品相互激勵、互相融合，共同推動半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展，從而改變?nèi)祟惖纳罘绞健?/li>
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) Entegris 3D NAND

研發(fā)主管U盤拷走Intel技術(shù)機(jī)密：獻(xiàn)給對手

　　Intel風(fēng)生水起的Optane傲騰產(chǎn)品是基于3D Xpoint存儲芯片打造的，而該技術(shù)其實(shí)是Intel和美光合研所得。不過，Intel和美光已經(jīng)宣布，將在今年上半年完成第二代3D Xpoint芯片開發(fā)后分道揚(yáng)鑣，同時(shí)，該存儲芯片誕生地、Intel美光合資的IM Flash工廠，也已經(jīng)被美光全資收購，今年底交割完成?！　∪欢P(guān)于3D Xpoint，Intel和美光之間還正爆發(fā)著一場官司?！　〖又輺|區(qū)法院3月22公布的法庭裁定顯示，Intel前研發(fā)經(jīng)理Doyle Rivers被要求不得擁有、使
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MRAM技術(shù)新突破！臺灣清大團(tuán)隊(duì)發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)

　　全球各半導(dǎo)體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM)，準(zhǔn)備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn)，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！　RAM為非揮發(fā)性存儲器技術(shù)，斷電時(shí)利用納米磁鐵所存儲的數(shù)據(jù)不會流失，是“不失憶”的存儲器。其結(jié)構(gòu)如三明治，上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開?！　∑?/li>
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集邦咨詢：DRAM均價(jià)受庫存尚未去化完成影響，跌勢恐將持續(xù)至下半年

　　Mar. 25, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，受庫存過高影響，DRAM第一季合約價(jià)跌幅持續(xù)擴(kuò)大，整體均價(jià)已下跌逾20%。然而價(jià)格加速下跌并未刺激需求回溫，預(yù)計(jì)在庫存尚未去化完成的影響下，DRAM均價(jià)跌勢恐將持續(xù)至第三季?！　「鶕?jù)DRAMeXchange調(diào)查，DRAM供應(yīng)商累積的庫存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過六周 (含wafer bank)，而買方的庫存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減，但平均至少達(dá)五周，在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過七周?！　∵M(jìn)
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中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國管制與韓國壟斷

　　根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》的報(bào)導(dǎo)指出，中國一直企望發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國存儲器大廠三星與SK海力士在市場壟斷與持續(xù)技術(shù)精進(jìn)下，加上美國對知識產(chǎn)權(quán)的嚴(yán)密保護(hù)，其目的將難以達(dá)成?！　?bào)導(dǎo)指出，2018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術(shù)上領(lǐng)先的長江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當(dāng)時(shí)就宣布將在2020年時(shí)跳過64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國的存儲器龍頭廠三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
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手機(jī)存儲芯片價(jià)格狂跌海外巨頭“圍剿”中國廠商陰謀論成真？

近日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場調(diào)研品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)公布的最新的存儲芯片行業(yè)調(diào)研報(bào)告顯示，DRAM跌價(jià)幅度超過預(yù)期，創(chuàng)8年以來最大跌幅。一度被調(diào)侃為“價(jià)格跑贏了房價(jià)”的內(nèi)存條，如今突然迎來8年來最大跌幅，國際巨頭對中國廠商“圍剿”的爭議也再次出現(xiàn)。
關(guān)鍵字：存儲 DRAM

DRAM價(jià)格暴跌韓國前景“一片烏云”

　　根據(jù)據(jù)韓媒《韓鮮日報(bào)》報(bào)導(dǎo)，DRAM的價(jià)格接連下跌，零售的計(jì)算機(jī)用DRAM價(jià)格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢比預(yù)期要快許多，預(yù)計(jì)今年出口的前景也不樂觀?！　≡陧n國電子產(chǎn)品價(jià)格比較網(wǎng)“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價(jià)格是4萬8900韓元，已經(jīng)下跌到5萬韓元以下，與去年4月9萬9270韓元的高點(diǎn)相比下跌了50.7%?！　2B(企業(yè)間交易)市場價(jià)格指標(biāo)也呈暴跌的趨勢，據(jù)市調(diào)公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價(jià)格是比起今年1月
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DRAM大幅跌價(jià) 三星的半導(dǎo)體老大位置懸了

　　據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange公布的調(diào)查報(bào)告指，今年以來DRAM內(nèi)存價(jià)格大幅下跌，其估算一季度的跌幅從預(yù)期的25%擴(kuò)大至30%，這對于依靠存儲芯片取得了全球半導(dǎo)體老大位置的三星來說顯然不是好消息，其或因存儲芯片價(jià)格持續(xù)下跌導(dǎo)致位置不保。　　存儲芯片價(jià)格持續(xù)上漲助三星取代Intel　　自2016年以來，受PC、智能手機(jī)等產(chǎn)品對存儲芯片需求不斷擴(kuò)大，PC正將機(jī)械硬盤轉(zhuǎn)換為速度更快的SSD硬盤、DRAM內(nèi)存的容量在不斷增大，智能手機(jī)的閃存和內(nèi)存容量也在不斷擴(kuò)大，存儲芯片價(jià)格進(jìn)入了快速上漲的階段。　　作為
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集邦咨詢：第一季DRAM合約價(jià)大幅下修，創(chuàng)8年以來最大跌幅

　　Mar. 5, 2019 ---- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，由于供過于求的市況，DRAM產(chǎn)業(yè)大部分交易已經(jīng)改為月結(jié)價(jià)(Monthly Deals)，2月份更罕見出現(xiàn)價(jià)格大幅下修。目前季跌幅從原先預(yù)估的25%調(diào)整至逼近30%，是繼2011年以來單季最大跌幅?！　RAMeXchange指出，從市場面來觀察，整體合約價(jià)自去年第四季開始下跌，隨后庫存水位持續(xù)攀升。近期DRAM原廠庫存(含wafer bank)普遍來到至少一個(gè)半月的高水位。同時(shí)，Intel低
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STRATASYS攜最新3D打印解決方案和高級新型材料亮相2019年TCT亞洲展

3D打印和增材制造解決方案供應(yīng)商Stratasys（Nasdaq：SSYS）今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會（TCT Asia 2019），以其業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新型增材制造技術(shù)與智能制造解決方案引領(lǐng)行業(yè)新發(fā)展。展會期間，Stratasys所展示的體素級3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料，能夠突破3D打印原型應(yīng)用極限，大幅降低生產(chǎn)耗時(shí)及人工成本，滿足客戶多元化的專業(yè)、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業(yè)頂級的行業(yè)盛會，匯聚了3D打印技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展
關(guān)鍵字：醫(yī)療，3D

Stratasys攜最新3D打印方案和高新材料亮相TCT亞洲展

3D打印和增材制造解決方案供應(yīng)商Stratasys（Nasdaq：SSYS）今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會（TCT Asia 2019），以其業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新型增材制造技術(shù)與智能制造解決方案引領(lǐng)行業(yè)新發(fā)展。展會期間，Stratasys所展示的體素級3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料，能夠突破3D打印原型應(yīng)用極限，大幅降低生產(chǎn)耗時(shí)及人工成本，滿足客戶多元化的專業(yè)、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業(yè)頂級的行業(yè)盛會，匯聚了3D打印技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展和最新應(yīng)用，
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