據businesskorea報道,中國計劃在未來六年內將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元),大約是目前水平的五倍?! ∪欢?,許多專家表示,美國急于遏制中國的半導體野心,不太可能接受中國的提議,因為它將增加對中國的半導體依賴?! №n國企業(yè)對該計劃持謹慎態(tài)度,主要有兩個原因?! ∈紫?,中國沒有提及將購買哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進口何種半導體芯片,無論是內存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導體芯片。在這種情況下,很難預測對韓國企業(yè)的影響。
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NAND DRAM
作為IC晶圓生產直接的原材料,全球硅片行業(yè)經歷了從6寸向12寸的迭代,同時生產中心由美國轉移到了日本。目前日本憑借半導體產業(yè)分工帶來的機遇占據硅片行業(yè)50%以上份額,但......
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硅片 DRAM
據外媒消息,第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內存即DDR6的研發(fā),預期速率12Gb/s,也就是DDR6-12000。 接受采訪時,SK海力士研發(fā)Fellow Kim Dong-kyun前瞻,DDR6將在5~6年內發(fā)展起來?! im
Dong-kyun透露,“后DDR5”產品已經有幾套技術概念成型,其中一套延續(xù)現(xiàn)有的數據傳輸規(guī)范,另一套則是將DRAM和CPU等片上系統(tǒng)的處理技術結合?! ≠Y料顯示,去年11月,SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的DD
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DRAM DDR6
業(yè)界都謹慎地觀察2019年中國半導體業(yè)的發(fā)展態(tài)勢,用呈”不確定性”,而一言以蔽之。本文擬從以下三個方面,包括2019年全球半導體業(yè)的弱勢;中國集成電路產業(yè)發(fā)展由產能擴充階段轉向產品增長的攻堅戰(zhàn);以及在貿易戰(zhàn)下心理因素的影響等來初探2019年中國半導體業(yè)的增長。
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半導體 DRAM 存儲器
盡管隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產量擴增計劃,2019年全球半導體業(yè)者在Flash業(yè)務上的資本支出將會大幅下滑,但該支出金額仍然會繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務上的支出?! CInsights最新資料顯示,2016年全球半導體業(yè)者在Flash業(yè)務上的資本支出金額為144億美元,低于同年晶圓代工業(yè)務資本支出金額的219億美元?!?/li>
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DRAM 晶圓 Flash
非易失性存儲器技術是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候數據不會丟失的技術。非易失性存儲器技術得到了快速發(fā)展,非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類?! ≡诤芏嗟拇鎯ο到y(tǒng)的寫操作程序中,內存作為控制器和硬盤之間的重要橋梁,提供更快速的性能,但是如果發(fā)生突然間斷電的情況,如何保護內存中的數據不丟失,這是存儲系統(tǒng)中老生常談的議題。易失性存儲器就是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候,里面的數據會丟失,就像內存。非易失性存儲器在上面的情況下數據不會丟失,像硬盤等外存。RRAM是一
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存儲器 DRAM
根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查,2018年12月正值歐美年節(jié)時期,DRAM成交量清淡,因此不列入合約價計算,意味著12月份合約價與11月份大致持平。主流模組8GB均價仍在60美元左右,而4GB約在30美元水位,但兩種模組的最低價分別已跌破60與30美元關卡。DRAMeXchange指出,2019年第一季合約價已于去年12月開始議定,綜合庫存過高、需求比原先預估更為疲弱,以及短中期經濟展望不明朗等因素,買賣雙方已有8GB均價降至55美
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DRAM,價格
隨著中美談判嘗試結束貿易戰(zhàn),對于兩國沖突的一個關鍵方面——針對涉嫌盜竊商業(yè)機密的刑事起訴,美國謀求新的策略來打擊中國實現(xiàn)內存芯片量產的愿景。據外媒報道,當地時間本周三,福建晉華與其合作伙伴臺灣聯(lián)電被控竊取商業(yè)機密一案在舊金山聯(lián)邦法院審理,預計晉華和聯(lián)電將做無罪辯護。
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晉華 DRAM 聯(lián)電
據BusinessKorea北京時間1月8日報道,受內存行業(yè)的增長推動,去年全球半導體市場同比增長了13%。三星電子以15.9%的市場份額維持住了全球龍頭老大的位置;SK海力士排名第三(注),營收同比增長38.2%,在行業(yè)前十大公司中增速最快?! 袌鲅芯抗綠artner日前發(fā)布的2018年全球半導體市場初步報告顯示,全球半導體營收去年達4767億美元,同比增長13.4%。存儲芯片占半導體總營收的比重從2017年的31%上升至了2018年的34.8%,占比最大?! ∪请娮尤ツ甑陌雽w營收達759
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三星 半導體 DRAM
CES 2019展會上,英特爾宣布了因應5G時代的“Snow Ridge”。此外,該公司還同時發(fā)布了10nm工藝的下代桌面和移動處理器Ice Lake、服務器處理器Ice Lake、Foveros 3D立體封裝處理器Lakefield。
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CES2019 5G芯片 Snow Ridge Foveros 3D
DRAM內存降價已是必然,內存大廠也紛紛消減明年DRAM產能。不過這內存漲的時候猛漲不止,降價的勢頭也同樣比預期更狠。與此同時,NAND Flash產能超出預期,以致市場供過于求,價格連續(xù)走跌。
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存儲器 DRAM
2018年,手機廠商在圍繞提升屏占比、充電速度、拍照素質等方面上都有不少突破和嘗試。衍生出滑蓋屏、水滴屏、打孔屏的設計,充電速度最高也提升到了50W、拍照則出現(xiàn)各種“超級夜景”,這些設計與創(chuàng)新為消費者提供了更多的選擇,但這些創(chuàng)新相比上述三種,它們出現(xiàn)并沒有讓消費者對手機的使用體驗有著超預期的提升,實用但并不令人心生向往。
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屏下指紋 3D ToF
每年十二月,在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個論壇,在其中報告半導體、電子元件技術、設計、制造、物理與模型等領域中的技術突破。這個會會議就是IEEE國際電子元件會議(International
Electron Devices Meeting,縮寫:IEDM) 在每一界的IEDM上,全球工業(yè)界與學界的管理者、工程師和科學家將會聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術、先進內存、顯示、感測器、微機電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級規(guī)模元件、粒子物理學現(xiàn)象、光電工程、
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DRAM GAA-FET
2018年12月11日,以“智數據·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數據峰會在北京拉開帷幕。作為中國數據與存儲行業(yè)頂級的交流平臺,本次峰會匯集了全球近百位來自產業(yè)界、學術界的專家,就數據洪流時代下,企業(yè)如何實施數據戰(zhàn)略、深挖數據價值,變數據資源為實現(xiàn)更廣泛商業(yè)價值的數據資產等話題展開深入探討。
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數據 存儲 傲騰 QLC 3D NAND
全球DRAM市場上,三星一家獨大,接著是SK
Hynix及美光,這三家的DRAM份額占到了全球95%左右,而華亞科被美光全資收購之后,Nanya南亞科技也就變成全球第四大內存芯片廠商了,雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫?! ? DRAM連漲之后持續(xù)下跌 在DRAM內存漲價超過9個季度之后,內存芯片價格終于在10月份大跌了一次,DRAMxChange稱10月份DRAM現(xiàn)貨價格跌了10%,預計2019年還會繼續(xù)跌20%?! ∈艽擞绊?,全球第四大內存芯片廠商南亞科
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DRAM NAND
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