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通過基片薄型化降低導(dǎo)通電阻漸成趨勢(shì)
- 通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于,越是低耐壓產(chǎn)品,基片上層積的漂移層就越薄,因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中,基片的電阻成分所占比例就越大。 目前,SiC基片的厚度以350μm為主流,超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度,許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 比如,羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm,并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
- 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī) SiC
SiC二極管 通過基片薄型化降低導(dǎo)通電阻
- 通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于,越是低耐壓產(chǎn)品,基片上層積的漂移層就越薄,因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中,基片的電阻成分所占比例就越大。 目前,SiC基片的厚度以350μm為主流,超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度,許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 比如,羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm,并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
- 關(guān)鍵字: SiC 二極管
基于ATmega8515的USB-CAN適配器的實(shí)現(xiàn)
- 摘要: 該文通過分析目前PC機(jī)和CAN總線之間通信的“瓶頸”問題,從通信的實(shí)際效率角度出發(fā),設(shè)計(jì)了基于微控制 ...
- 關(guān)鍵字: ATmega8515 USB-CAN 適配器
CAN總線知多少?
- CAN 是Controller Area Network 的縮寫(以下稱為CAN),是ISO國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化的串行通信協(xié)議,形成并通過ISO11898 及ISO11519標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。在歐洲已是汽車網(wǎng)絡(luò)的標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議。
- 關(guān)鍵字: CAN 汽車網(wǎng)絡(luò) 通信
山東天岳及韓國(guó)SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
- 在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,以韓國(guó)和中國(guó)為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊,零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢(shì)。在2013年9月29日~10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上,最近開始擴(kuò)大SiC晶圓業(yè)務(wù)的亞洲企業(yè)紛紛出展。 山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開始對(duì)外銷售的直徑2~4英寸(50mm~100mm)的SiC裸晶圓。該公司當(dāng)前的目標(biāo)
- 關(guān)鍵字: SiC 晶圓
示波器技術(shù)新突破 助力控制和傳感檢測(cè)系統(tǒng)的高效設(shè)計(jì)
- 安捷倫科技公司(NYSE:A)日前宣布為其 InfiniiVision 4000 X 系列和全部 Infiniium 系列示波器提供 CAN-dbc 字符解碼和觸發(fā)以及兩個(gè)新的差分有源探頭,非常適合包括控制器局域網(wǎng)串行總線(CAN)在內(nèi)的汽車測(cè)量應(yīng)用。CAN 總線在汽車應(yīng)用以及眾多的工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備應(yīng)用中得到廣泛使用,主要用于控制和傳感器監(jiān)測(cè)等系統(tǒng)中。 多年以來,汽車和工業(yè)行業(yè)的工程師一直依賴示波器作為最主要的測(cè)量工具,對(duì) CAN 總線物理層的信號(hào)完整性進(jìn)行調(diào)試和驗(yàn)證。借助安捷倫示波器新增的 CA
- 關(guān)鍵字: 示波器 CAN
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