cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

CCD與CMOS技術(shù)，我們居然還有這么多不知道

　　在工業(yè)應(yīng)用中成像系統(tǒng)的廣泛采用持續(xù)擴(kuò)展，不僅由新的影像感測(cè)器技術(shù)和產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)所推動(dòng)，還由支援平臺(tái)的進(jìn)步所推動(dòng)，如電腦功率和高速數(shù)據(jù)介面。今天，成像系統(tǒng)的使用在各種領(lǐng)域很常見(jiàn)，如配線檢查、交通監(jiān)測(cè)/執(zhí)法、監(jiān)控和醫(yī)療及科學(xué)成像，由于影像感測(cè)器技術(shù)的進(jìn)步，使成像性能、讀取速度和解析度提高。隨著影像感測(cè)器現(xiàn)在采用電荷耦合元件(CCD)和互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)設(shè)計(jì)，審視這兩大平臺(tái)對(duì)于選擇最適合特定應(yīng)用的影像感測(cè)器很有幫助?！　‰娮映上窦夹g(shù)的發(fā)展始于上世紀(jì)60年代，諾貝爾獎(jiǎng)得主Boyle和Smit
關(guān)鍵字： CCD CMOS

如何提高抗干擾能力和電磁兼容性

　　在研制帶處理器的電子產(chǎn)品時(shí)，如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?文章為大家總結(jié)了一些方法。　　一、下面的一些系統(tǒng)要特別注意抗電磁干擾：　　1、微控制器時(shí)鐘頻率特別高，總線周期特別快的系統(tǒng)?！　?、系統(tǒng)含有大功率，大電流驅(qū)動(dòng)電路，如產(chǎn)生火花的繼電器，大電流開(kāi)關(guān)等?！　?、含微弱模擬信號(hào)電路以及高精度A/D變換電路的系統(tǒng)?！　《?、為增加系統(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施：　　1、選用頻率低的微控制器：　　選用外時(shí)鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統(tǒng)的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波，方波中的高頻成份比
關(guān)鍵字：電磁兼容 CMOS

工業(yè)成像的CCD及CMOS技術(shù)之對(duì)比

在比較CCD和CMOS技術(shù)時(shí)試圖確定一個(gè)“贏家”，但這真的對(duì)兩者都有損公正，因?yàn)槊糠N技術(shù)都是獨(dú)一無(wú)二的，提供不同的終端用戶優(yōu)勢(shì)，東西好不好要看怎么用。
關(guān)鍵字： CCD CMOS

FD-SOI會(huì)是顛覆性技術(shù)嗎？

　　全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車(chē)市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對(duì)于許多人來(lái)說(shuō)，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場(chǎng)相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書(shū)。　　“我認(rèn)為，F(xiàn)D-SOI正蓄勢(shì)待發(fā)。也許還得經(jīng)過(guò)幾年的時(shí)間，但它終將獲得新的動(dòng)能，并發(fā)展成為一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng)
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模擬IC與數(shù)字IC異同

　　處理連續(xù)性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號(hào)的IC被稱(chēng)為模擬IC。模擬IC處理的這些信號(hào)都具有連續(xù)性，可以轉(zhuǎn)換為正弦波研究。而數(shù)字IC處理的是非連續(xù)性信號(hào)，都是脈沖方波?！　∧MIC按技術(shù)類(lèi)型來(lái)分有只處理模擬信號(hào)的線性IC和同時(shí)處理模擬與數(shù)字信號(hào)的混合IC。模擬IC按應(yīng)用來(lái)分可分為標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC和特殊應(yīng)用型模擬 IC。標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調(diào)節(jié)與參考對(duì)比(VoltageRegulator/Reference)、信號(hào)界面(Interface)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(Data
關(guān)鍵字：模擬IC CMOS

中國(guó)真的對(duì)FD-SOI制程技術(shù)有興趣？

　　身為一位記者，我發(fā)現(xiàn)撰寫(xiě)有關(guān)于“熱門(mén)”公司、技術(shù)與人物的報(bào)導(dǎo)，要比我通常負(fù)責(zé)的技術(shù)主題容易得多;一旦我寫(xiě)了那些“時(shí)髦”的標(biāo)題，我會(huì)確實(shí)感受到人氣飆漲。　　因為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫(xiě)那些，以及那些新聞為何對(duì)他們重要;我馬上想到的是美國(guó)總統(tǒng)候選人川普(Donald Trump)、蘋(píng)果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫(xiě)冷門(mén)題材、比較少人討論的話題，挑戰(zhàn)性就高得多;部分讀者會(huì)有先入為主的看法，認(rèn)為那些題目不關(guān)他們
關(guān)鍵字： FD-SOI FinFET

CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端處理方法

　　本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現(xiàn)多余輸入端的解決方法，并且對(duì)每種情況進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，希望大家能從本文得到有用的知識(shí)，解決輸入端多余的問(wèn)題?！　MOS門(mén)電路　　CMOS門(mén)電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法：　　與門(mén)和與非門(mén)電路　　由
關(guān)鍵字： CMOS TTL

干貨分享：工程師教你如何設(shè)計(jì)D類(lèi)放大器

　　D類(lèi)放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來(lái)。那么，什么是D類(lèi)放大器?它們與其它類(lèi)型的放大器相比如何? 為什么D類(lèi)放大器對(duì)于音頻應(yīng)用很有意義?設(shè)計(jì)一個(gè)“優(yōu)質(zhì)”D類(lèi)音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問(wèn)題?！　∫纛l放大器背景　　音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實(shí)、高效和低失真的輸入音頻信號(hào)。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內(nèi)具有良好的頻率響應(yīng)(當(dāng)驅(qū)動(dòng)頻帶有限的揚(yáng)聲器時(shí)頻率
關(guān)鍵字： D類(lèi)放大器 CMOS

對(duì)比工業(yè)成像中的CCD及CMOS技術(shù)

在工業(yè)應(yīng)用的成像系統(tǒng)中，CCD是采用定制的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)，高度優(yōu)化于成像應(yīng)用，并需要外部電路將模擬輸出電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)用于后續(xù)處理。具有高效的電子快門(mén)能力、寬動(dòng)態(tài)范圍和出色的圖像均勻性。而CMOS圖像傳感器不像CCD將電荷傳送到有限的輸出端，而是放置晶體管在每一像素內(nèi)，來(lái)進(jìn)行電荷——電壓轉(zhuǎn)換。這令電壓在整個(gè)器件中傳輸，使更快和更靈活的圖像讀取成為可能。
關(guān)鍵字：成像系統(tǒng) 圖像傳感器 CCD CMOS 201604

FD-SOI與FinFET互補(bǔ)，是中國(guó)芯片業(yè)彎道超車(chē)機(jī)會(huì)

本文介紹了Soitec半導(dǎo)體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點(diǎn)、最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域和應(yīng)用前景。
關(guān)鍵字： FD-SOI FinFET 制造 201604

什么是TTL電平、CMOS電平？?jī)烧叩膮^(qū)別

　　TTL電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是很理想的。COMS集成電路的許多基本邏輯單元都是用增強(qiáng)型PMOS晶體管和增強(qiáng)型NMOS管按照互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)形式連接的，下面來(lái)說(shuō)一下兩者的區(qū)別?！　∈裁词荰TL電平　　TTL電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定，+5V等價(jià)于邏輯"1"，0V等價(jià)于邏輯"0"，這被稱(chēng)做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng)，這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)?！　TL電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制
關(guān)鍵字： TTL CMOS

芯片光傳輸突破瓶頸頻寬密度增加10~50倍

　　整合光子與電子元件的半導(dǎo)體微芯片可加快資料傳輸速度、增進(jìn)效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無(wú)法廣泛應(yīng)用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國(guó)加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文，表示已成功利用現(xiàn)有CMOS標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。　　據(jù)HPC Wire網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，這顆整合7，000萬(wàn)個(gè)電晶體和850個(gè)光子元件的芯片，采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作，與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)和電子設(shè)計(jì)工具均相容，因此可以大量生產(chǎn)。芯片內(nèi)建的光電發(fā)射器和接收器
關(guān)鍵字：芯片 CMOS

針對(duì)高性能計(jì)算7納米 FinFET工藝，ARM與臺(tái)積電簽訂長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作協(xié)議

ARM和臺(tái)積電宣布簽訂針對(duì)7納米 FinFET工藝技術(shù)的長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作協(xié)議，涵蓋了未來(lái)低功耗，高性能計(jì)算SoC的設(shè)計(jì)方案。該合作協(xié)議進(jìn)一步擴(kuò)展了雙方的長(zhǎng)期合作關(guān)系，并將領(lǐng)先的工藝技術(shù)從移動(dòng)手機(jī)延伸至下一代網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心。此外，該協(xié)議還拓展了此前基于ARM? Artisan? 基礎(chǔ)物理IP 的16納米和10納米 FinFET工藝技術(shù)合作?！　RM全球執(zhí)行副總裁兼產(chǎn)品事業(yè)群總裁
關(guān)鍵字： ARM FinFET

使用CMOS集成電路需要注意的幾個(gè)問(wèn)題

　　集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi)，TTL以速度見(jiàn)長(zhǎng)，CMOS以功耗低而著稱(chēng)，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個(gè)問(wèn)題?！　?、電源問(wèn)題　　(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門(mén)電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時(shí)，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
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三星14nm LPE FinFET電晶體揭密

　　三星(Samsung)即將量產(chǎn)用于其Exynos 8 SoC的14奈米(nm) Low Power Plus (LPP)制程，這項(xiàng)消息持續(xù)引發(fā)一些產(chǎn)業(yè)媒體的關(guān)注。三星第二代14nm LPP制程為目前用于其Exynos 7 SoC與蘋(píng)果(Apple) A9 SoC的第一代14nm Low Power Early (LPE)制程提供了進(jìn)一步的更新。　　業(yè)界目前共有三座代工廠有能力制造這種鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)：英特爾(Intel)、三星和臺(tái)積電(TSMC)。TechInsights曾經(jīng)在去年
關(guān)鍵字：三星 FinFET