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          10位65MSPS模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片ADC10065的原理和應(yīng)用

          •   ADC10065是NS(National Semiconductor)公司推出的一款高速低功耗A/D轉(zhuǎn)換器,它的轉(zhuǎn)換速率可達(dá)65MSPS,標(biāo)稱(chēng)功耗僅為68.4mW,且保證不失碼。文中介紹了該芯片的主要參數(shù)、工作原理和引腳功能,給出了ADC10065的簡(jiǎn)單應(yīng)用電路?! ?ADC10065的主要特點(diǎn)  ADC10065是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司推出的一款低功耗、單電源供電的CMOS 模數(shù)轉(zhuǎn)換器。該芯片在3V單電源供電時(shí),能以65MSPS的采樣速率將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)為精確的10 位數(shù)字信號(hào),而功耗僅為68.4mW,其備
          • 關(guān)鍵字: CMOS  ADC10065  

          使用CMOS集成電路需注意的幾個(gè)問(wèn)題

          •   集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi),TTL以速度見(jiàn)長(zhǎng),CMOS以功耗低而著稱(chēng),其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí),除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料,了解其引腳分布及極限參數(shù)外,還應(yīng)注意以下幾個(gè)問(wèn)題?! ?、電源問(wèn)題  (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V,但當(dāng)應(yīng)用電路中有門(mén)電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線(xiàn)性放大)時(shí),最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬,故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
          • 關(guān)鍵字: CMOS,集成電路  

          25億美元CIS大項(xiàng)目開(kāi)創(chuàng)南京新產(chǎn)業(yè)板塊

          •   上周五,德科碼“CMOS圖像傳感器芯片(CIS)產(chǎn)業(yè)園”項(xiàng)目正式落戶(hù)南京開(kāi)發(fā)區(qū)。該項(xiàng)目總投資約25億美元,建成后將填補(bǔ)中國(guó)CIS產(chǎn)業(yè)的空白,主導(dǎo)中國(guó)的CIS市場(chǎng)?! D像傳感器是數(shù)字?jǐn)z像頭的重要組成部分。根據(jù)元件不同,可分為CCD(電荷耦合元件)和CMOS(金屬氧化物半導(dǎo)體元件)兩大類(lèi)。相機(jī)和智能手機(jī)的拍照 功能離不開(kāi)圖像傳感器芯片,市場(chǎng)很大。但CIS所屬的集成電路產(chǎn)業(yè)是內(nèi)地的薄弱產(chǎn)業(yè),芯片目前已超過(guò)石油,成為我國(guó)第一大進(jìn)口商品。  “中國(guó)必須擁有自己的CIS設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和自主品牌?!毕愀鄣驴拼a科技有限
          • 關(guān)鍵字: CMOS  CCD  

          “芯”技術(shù),“芯”夢(mèng)想

          •   2015年11月27日,全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導(dǎo)體有限公司之全資子公司上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(“華虹宏力”)2015年度技術(shù)論壇,繼9月23日首場(chǎng)在深圳獲得熱烈反響后,于今日在北京麗亭華苑酒店再度拉開(kāi)帷幕。來(lái)自北京、長(zhǎng)三角、西部地區(qū)的150多位IC設(shè)計(jì)精英、知名合作伙伴、行業(yè)分析師和媒體朋友齊聚一堂,就產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)和市場(chǎng)熱點(diǎn)進(jìn)行了深入交流,并分享了華虹宏力新的技術(shù)成果?! 」緢?zhí)行副總裁范恒先生和執(zhí)行副總裁孔蔚然博士等公司高層親臨論壇現(xiàn)場(chǎng),與參會(huì)嘉賓互動(dòng)交流。同時(shí)公司派出了陣容
          • 關(guān)鍵字: 華虹  RF-CMOS  

          我國(guó)研發(fā)的世界最高分辨率CMOS圖像傳感器亮相高交會(huì)

          •   長(zhǎng)久以來(lái),我國(guó)用于高端光學(xué)成像的核心元器件一直受制于人。然而,在本月16日在深圳召開(kāi)的第十七屆中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)(高交會(huì))上,由我國(guó)研發(fā)的世界上像素分辨率最高、靶面最大的CMOS傳感器GMAX3005正式亮相。其以1.5億像素的超高分辨率,打破了我國(guó)一直以來(lái)都不具備高分辨率和高靈敏度CMOS圖像傳感器研發(fā)能力的窘境。   圖像傳感器可以將光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào),是所有成像設(shè)備中的核心關(guān)鍵器件。其光電參數(shù)直接決定了成像設(shè)備的成像質(zhì)量。今天亮相的GMAX3005擁有著1.5億像素的超高分辨率,成像速
          • 關(guān)鍵字: CMOS  圖像傳感器  

          關(guān)于運(yùn)放的參數(shù)和選擇

          •   本文講述運(yùn)放的參數(shù)和選擇方面的知識(shí),希望對(duì)有需要的讀者有幫助。   偏置電壓和輸入偏置電流   在精密電路設(shè)計(jì)中,偏置電壓是一個(gè)關(guān)鍵因素。對(duì)于那些經(jīng)常被忽視的參數(shù),諸如隨溫度而變化的偏置電壓漂移和電壓噪聲等,也必須測(cè)定。精確的放大器要求偏置電壓的漂移小于200μV和輸入電壓噪聲低于6nV/√Hz。隨溫度變化的偏置電壓漂移要求小于1μV/℃ 。   低偏置電壓的指標(biāo)在高增益電路設(shè)計(jì)中很重要,因?yàn)槠秒妷航?jīng)過(guò)放大可能引起大電壓輸出,并會(huì)占據(jù)輸出擺幅的一大部分。溫度感應(yīng)和張力測(cè)
          • 關(guān)鍵字: 運(yùn)放  CMOS  

          東芝正式宣布半導(dǎo)體業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)改革計(jì)劃

          •   東芝于2015年10月28日正式發(fā)布了半導(dǎo)體業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)改革相關(guān)事宜。改革方針有以下幾點(diǎn)。   第一,退出CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)。將把生產(chǎn)該產(chǎn)品的大分工廠的300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)及相關(guān)資產(chǎn)轉(zhuǎn)讓給索尼。完成轉(zhuǎn)讓后,該工廠將成為索尼全資子公司——索尼半導(dǎo)體(SCK)的生產(chǎn)基地之一,主要用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器。   另外,利用300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)的CMOS圖像傳感器以外的半導(dǎo)體產(chǎn)品將委托SCK生產(chǎn)。隨著300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)轉(zhuǎn)讓?zhuān)c之相關(guān)的東芝及其相關(guān)公司的員工(大約1100人)
          • 關(guān)鍵字: 東芝  CMOS  

          手機(jī)鏈考量?技術(shù)分水嶺抉擇? 大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI

          •   DIGITIMES Research觀察,大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI,有時(shí)也稱(chēng)Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù),包含拜會(huì)關(guān)鍵晶圓片底材供應(yīng)商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線(xiàn),而非臺(tái)積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)路線(xiàn),估與手
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  FinFET  

          最簡(jiǎn)單的上下拉的問(wèn)題

          •   本文介紹了上下拉電阻的作用、使用方法等問(wèn)題。   重要信號(hào)線(xiàn)的上下拉問(wèn)題   一般說(shuō)來(lái),不光是重要的信號(hào)線(xiàn),只要信號(hào)在一段時(shí)間內(nèi)可能出于無(wú)驅(qū)動(dòng)狀態(tài),就需要處理。   比如說(shuō),一個(gè)CMOS門(mén)的輸入端阻抗很高,沒(méi)有處理,在懸空狀況下很容易撿拾到干擾,如果能量足夠甚至?xí)?dǎo)致?lián)舸┗蛘唛V鎖,導(dǎo)致器件失效。祈禱輸入的保護(hù)二極管安全工作吧。如果電平一直處于中間態(tài),那輸出就可能是不確定的情況,也可能是上下MOS都導(dǎo)通,對(duì)器件壽命造成影響。   總線(xiàn)上當(dāng)所有的器件都處于高阻態(tài)時(shí)也容易有干擾出現(xiàn)。因?yàn)檫@時(shí)讀寫(xiě)控制
          • 關(guān)鍵字: CMOS  TTL  

          中國(guó)借力美國(guó)矽谷“超越摩爾定律”

          • 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)因?yàn)閯?chuàng)投社群對(duì)硬件開(kāi)發(fā)領(lǐng)域興趣缺缺而沮喪了好長(zhǎng)一段時(shí)間,“超越摩爾定律”有足夠的吸引力嗎?
          • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  CMOS  

          Sony欲強(qiáng)化CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù) 不排除并購(gòu)可能

          •   Sony于8月推出全球首款內(nèi)建4K錄影功能的數(shù)位相機(jī)α7R II后,將續(xù)推高階α7R系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品不采用化學(xué)低通濾鏡(bandpass filter),故圖像更為銳利。像素自3,640萬(wàn)提高至4,240萬(wàn),同時(shí)加強(qiáng)自動(dòng)對(duì)焦(AF)與防手震功能。   日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)報(bào)導(dǎo),該相機(jī)并有399個(gè)相位對(duì)焦點(diǎn)、5軸圖像穩(wěn)定系統(tǒng)與4K錄影等特色,感光值(ISO)最高可達(dá)ISO 102,400,結(jié)合了高解析、高感光及高速對(duì)焦的機(jī)種,實(shí)際售價(jià)約45.1萬(wàn)日?qǐng)A(約3,800美
          • 關(guān)鍵字: Sony  CMOS  

          臺(tái)積電16nm好過(guò)三星14nm的真相

          • 最近,關(guān)于iPhone6s A9處理器版本的事情的話(huà)題很熱,最后都鬧到蘋(píng)果不得不出來(lái)解釋的地步,先不評(píng)判蘋(píng)果一再?gòu)?qiáng)調(diào)的整機(jī)綜合續(xù)航差2~3%的準(zhǔn)確性,但是三星14nm工藝相比臺(tái)積電16nm工藝較差已經(jīng)可以說(shuō)是板上釘釘?shù)氖铝恕?/li>
          • 關(guān)鍵字: A9處理器  臺(tái)積電  三星  Finfet  

          Intel憑何獨(dú)步天下!

          • Intel曾經(jīng)自己高調(diào)宣揚(yáng)過(guò),整個(gè)世界也都承認(rèn),無(wú)與倫比的先進(jìn)制造工藝是這家芯片巨頭永遠(yuǎn)令人眼紅的優(yōu)勢(shì)。14nm工藝雖然從年初拖到了年底,但到時(shí)候仍然是這個(gè)地球上最先進(jìn)的。其他半導(dǎo)體企業(yè)紛紛減緩腳步或者合縱連橫的同時(shí),Intel仍在堅(jiān)持獨(dú)行,仍在引領(lǐng)世界。
          • 關(guān)鍵字: Intel  FinFET  14nm  

          一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路

          •   在DC-DC電源管理芯片中,電壓的穩(wěn)定尤為重要,因此需要在芯片內(nèi)部集成欠壓鎖定電路來(lái)提高電源的可靠性和安全性。對(duì)于其它的集成電路,為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性,欠壓鎖定電路同樣十分重要。   傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡(jiǎn)單、實(shí)用,但忽略了欠壓鎖定電路的功耗,使系統(tǒng)在正常工作時(shí),仍然有較大的靜態(tài)功耗,這樣就降低了電源的效率,并且無(wú)效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負(fù)擔(dān),影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。   基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路,本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路,并通過(guò)HSPICE仿真。此電路可以在1.
          • 關(guān)鍵字: DC-DC  CMOS  

          艾邁斯半導(dǎo)體推出可拓展的高壓CMOS晶體管

          •   全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體公司晶圓代工事業(yè)部今日宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的0.35µm高壓CMOS專(zhuān)業(yè)制程平臺(tái)。基于該高壓制程平臺(tái)的先進(jìn)“H35”制程工藝,使艾邁斯半導(dǎo)體能涵蓋一整套可有效節(jié)省空間并提升設(shè)備性能的電壓可拓展的晶體管。   新的電壓可拓展的高壓NMOS和PMOS晶體管器件針對(duì)20V至100V范圍內(nèi)的各種漏源電壓進(jìn)行了優(yōu)化,顯著降低了導(dǎo)通電阻,因此可節(jié)省器件空間。在電源管理應(yīng)用中,用優(yōu)化的30V NMOS晶體管代替固定的50V晶
          • 關(guān)鍵字: 艾邁斯  CMOS  
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