- 一.TTL TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V電源?! ?.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.輸入高電平和輸入低電平 Uih≥2.0V,Uil≤0.8V 二.CMOS CMOS電路是電壓控制器件,輸入電阻極大,對于干擾信號十分敏感,因此不用的輸入端不應開路,接到地或者電源上。CMOS電路的優(yōu)點是噪聲容限較寬,靜態(tài)功耗很小?! ?/li>
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TTL CMOS
- 歐盟(E.U.)最近啟動一項為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術整合III-V族奈米半導體”(INSIGHT)研發(fā)計劃,這項研發(fā)經(jīng)費高達470萬美元的計劃重點是在標準的互補金屬氧化物半導體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來的5G規(guī)格要求,以及瞄準頻寬更廣、影像解析度更高的雷達系統(tǒng)。
除了IBM (瑞士),該計劃將由德國弗勞恩霍夫應用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國LETI、瑞典隆德大學(Lund Universi
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5G CMOS
- 半導體業(yè)自28納米進步到22/20納米,受193i光刻機所限,必須采用兩次圖形曝光技術(DP)。再進一步發(fā)展至16/14納米時,大多采用finFET技術。如今finFET技術也一代一代升級,加上193i的光學技術延伸,采用SADP、SAQP等,所以未來到10納米甚至7納米時,基本上可以使用同樣的設備,似乎己無懸念,只是芯片的制造成本會迅速增加。然而到5納米時肯定是個坎,因為如果EUV不能準備好,就要被迫采用五次圖形曝光技術(FP),這已引起全球業(yè)界的關注。
而對于更先進5納米生產(chǎn)線來說,至今業(yè)界
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5納米 finFET
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor),進一步擴展成像方案產(chǎn)品陣容,推出最新的高性能CMOS數(shù)字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件,針對消費電子產(chǎn)品如智能手機和平板電腦。AR1337結合高性能的SuperPD?相位檢測自動對焦(PDAF)像素技術,提供微光下300 ms或更少時間的對焦速度,即使微光低于25勒克斯(lux)。此外,AR1337通過采用其片上PDAF處理,大大簡化集成到智能手機平臺和提高相機模塊集成商生產(chǎn)能力,較市場上其它
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安森美 CMOS
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應用材料集團副總裁暨臺灣區(qū)總裁余定陸認為,在3D NAND和10奈米技術帶動下,今年晶圓代工資本支出有望回升。 應 用材料集團副總裁暨臺灣區(qū)總裁與全球半導體業(yè)務服務群跨區(qū)域總經(jīng)理余定陸表示,2015年看到這四年以來晶圓代工的資本支出進入谷底,預估今年投資水位有 望提升,而大部分支出將發(fā)生在下半年,其中有五成以上將集中于10奈米技術;對晶圓代工來說,10奈米不同于16奈米,最顯著變化在于鰭式場效電晶體 (FinFET)
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晶圓 FinFET
- 在正在舉行的“ISSCC 2016”(2016年1月31日~2月4日,美國舊金山)上,與積層CMOS圖像傳感器的3D(三維)化相關的發(fā)表接連不斷。在有9項演講的“SESSION6 Image Sensors”論壇上,有3項演講是與CMOS圖像傳感器的3D化有關的。以前業(yè)界就在做3D化嘗試,而此次的3項技術除了比原來具有更強的低成本和低功耗意識之外,還在3D化中輕松實現(xiàn)了“模塊化”。
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通過模塊化手段
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CMOS 傳感器
- 在英特爾(Intel)負責晶圓廠業(yè)務的最高長官表示,摩爾定律(Moore’s Law)有很長的壽命,但如果采用純粹的CMOS制程技術就可能不是如此。
“如 果我們能專注于降低每電晶體成本,摩爾定律的經(jīng)濟學是合理的;”英特爾技術與制造事業(yè)群(technology and manufacturing group)總經(jīng)理William Holt,在近日于美國舊金山舉行的年度固態(tài)電路會議(ISSCC)上對近3,000名與會者表示:“而超越CMOS,我們將看
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摩爾定律 CMOS
- 美國 CMOS 圖像感測器大廠豪威(OmniVision)28 日宣布與中國清芯華創(chuàng)為首的投資基金完成收購,從清芯華創(chuàng)等提出收購邀約到完成并購歷時長達兩年,而在消息公布同時,豪威也于 28 日暫停在那斯達克證券市場的交易。
豪威 28 日宣布,與中國清芯華創(chuàng)、中信資本與其旗下的金石投資所組成的投資基金完成收購,豪威以每股 29.75 美元、總計 19 億美元代價授予中國該基金,并于 28 日起于那斯達克證券市場暫停交易。據(jù)悉,早在 2014 年 8 月豪威即收到來自清
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OmniVision CMOS
- 隨著數(shù)字電路向高集成度、高性能、高速度、低工作電壓、低功耗等方向發(fā)展,數(shù)字電路中的△I噪聲正逐步成為數(shù)字系統(tǒng)的主要噪聲源之一,因此研究△I噪聲的產(chǎn)生過程與基本特點,對認識△I噪聲特性進而抑制△I噪聲具有實際意義?! 》聪嗥魇菙?shù)字設計的核心。本文從反相器入手,分析了TTL和CMOS中△I噪聲的產(chǎn)生過程與基本特點?! ? △I噪聲的產(chǎn)生 1.1 TTL中△I噪聲的產(chǎn)生 TTL反相器的基本電路如圖1所示。在穩(wěn)定狀態(tài)下,輸出Vo分別為高電平VOH和低電平VOL時,電源提供的電流IH和I
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TTL CMOS
- 一直在先進制程晶圓代工技術領域與臺積電(TSMC)激烈競爭的三星電子(Samsung Electronics),可能以其第二代14奈米FinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的訂單?三星最近宣布推出了采用其14奈米LPP (Low-Power Plus)技術的商業(yè)化量產(chǎn)邏輯制程。
香港Maybank Kim Eng分析師Warren Lau表示,高通在兩年前約貢獻所有臺積電訂單的近兩成,到2017年之后會將大多數(shù)10/14奈米訂單轉往三星:“三星會是未來高通14奈米晶片與數(shù)據(jù)
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三星 FinFET
- 盡管GPU(繪圖處理器)市場剩下AMD與NVIDIA兩大供應商,但在先進技術的投入上,仍然沒有手軟過。
AMD的GPU主力產(chǎn)品Radeon系列,在去年推出導入HBM(高頻寬記憶體)技術后,引來市場關注。AMD又在今天發(fā)布Radeon新一代的產(chǎn)品Polaris架構,采用14奈米FinFET制程,目前已經(jīng)送樣給主要的OEM客戶,預計在今年年中進入量產(chǎn)時程,該產(chǎn)品適用于筆記型電腦、VR(虛擬實境)與桌上型電腦等領域。
據(jù)AMD資深副總裁Raja Koduri公開表示,Polaris架構有別于過往
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AMD FinFET
- 汽車行業(yè)(汽車電子、車聯(lián)網(wǎng))已經(jīng)成為科技和互聯(lián)網(wǎng)巨頭紛紛布局的下一個熱門領域,其中蘋果也跟進谷歌(微博),開始研發(fā)電動車。而在日前,日本索尼公司也對架構進行了重組,設立了獨立的汽車業(yè)務部門,擬開發(fā)車用CMOS圖像傳感器的市場。
據(jù)“今日日本”網(wǎng)站12月28日報道,索尼日前對外公布了公司架構的重組事宜以及人事變化,架構調整將會從2016年1月1日生效。
索尼宣布,在“設備解決方案業(yè)務集團”下,新設立三個部門,“汽車業(yè)務”
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索尼 CMOS
- 索尼公布了將于2016年1月1日實施的人事及機構改革方案。在機構改革方案中,引人注目的是在器件解決方案事業(yè)本部中新設了3個組織。
新設的三個組織分別是車載事業(yè)部、模塊事業(yè)部、商品開發(fā)部。雖然詳情未公布,不過可以看出此舉目的是強化圖像傳感器業(yè)務等。最近,索尼從東芝手中接收了用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器的300mm晶圓生產(chǎn)線和員工。
在智能手機及數(shù)碼相機等使用的CMOS圖像傳感器方面,索尼占有絕對優(yōu)勢。而在車載攝像頭使用的圖像傳感器方面,美國安森美半導體表示自己份額第一,“索尼并不是
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索尼 CMOS
- 索尼公布了將于2016年1月1日實施的人事及機構改革方案。在機構改革方案中,引人注目的是在器件解決方案事業(yè)本部中新設了3個組織?! ⌒略O的三個組織分別是車載事業(yè)部、模塊事業(yè)部、商品開發(fā)部。雖然詳情未公布,不過可以看出此舉目的是強化圖像傳感器業(yè)務等。最近,索尼從東芝手中接收了用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器的300mm晶圓生產(chǎn)線和員工(參閱本站報道)?! ≡谥悄苁謾C及數(shù)碼相機等使用的CMOS圖像傳感器方面,索尼占有絕對優(yōu)勢。而在車載攝像頭使用的圖像傳感器方面,美國安森美半導體表示自己份額第一,“索尼并不是第一
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索尼 CMOS
- 由于具有較低的偏置電流,人們經(jīng)常選用CMOS和JFET運算放大器。然而你應該意識到,這個事實還與很多其它的原因相關?! MOS晶體管的柵極 (CMOS運算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設計附加的電路來對脆弱的柵極進行ESD和EOS保護。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來源。這些保護電路一般都通過在電源軌之間接入鉗位二極管來實現(xiàn)。圖1a中的OPA320就是一個例子。這些二極管會存在大約幾皮安的漏電流。當輸入電壓大約達到電源軌中間值的時候,漏電流匹配的相當好,僅僅會存在小于1皮安的殘余誤差電流
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CMOS JFET
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您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos finfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對cmos finfet的理解,并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。
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