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          PCIM2024論文摘要|離網(wǎng)場景下SiC MOSFETs應(yīng)用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢

          • 梗概隨著全球低碳化的進程,可再生能源發(fā)電占比及滲透率越來越高,此種背景下,儲能系統(tǒng)的引入有效抑制了新能源發(fā)電的波動性,PCS作為儲能系統(tǒng)的核心裝置應(yīng)用廣泛。在工商業(yè)應(yīng)用里,存在單相負(fù)載與三相不平衡負(fù)載,為了滿足單相供電需求以及對三相不平衡電壓的抑制,三相四線變流器拓?fù)涫欠浅1匾模R姷耐負(fù)湫问接幸韵聨追N:a)三橋臂分裂電容式拓?fù)鋌) 平衡橋臂拓?fù)鋱D一分裂電容式拓?fù)?,由于N線電流流過母線電容,電容容量需求增大,且直流電壓利用率較低,諧波畸變較大,抑制三相不平衡能力相對有限,平衡橋臂式拓?fù)渫ㄟ^硬件電路增強中
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  MOSFET  

          Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設(shè)計靈活性

          • Nexperia近日宣布,公司正在持續(xù)擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合,并推出了幾款采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優(yōu)化,可在服務(wù)器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應(yīng)用以及各種電信、電機控制和其他工業(yè)設(shè)備中提供高效率和低尖峰。設(shè)計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇,RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。許多MOSFET
          • 關(guān)鍵字: Nexperia  NextPower  MOSFET  

          ROHM開發(fā)出安裝可靠性高的車載Nch MOSFET,非常適用于汽車車門、座椅等所用的各種電機以及LED前照燈等應(yīng)用!

          • ~符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101,有助于車載應(yīng)用的高效運行和小型化~全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出具有低導(dǎo)通電阻*1優(yōu)勢的車載Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新產(chǎn)品非常適用于汽車門鎖和座椅調(diào)節(jié)裝置等所用的各種電機以及LED前照燈等應(yīng)用。目前,3種封裝10種型號的新產(chǎn)品已經(jīng)開始銷售,未來會繼續(xù)擴大產(chǎn)品陣容。在汽車領(lǐng)域,隨著安全性和便捷性的提高,電子產(chǎn)品逐漸增加,使得所安裝的電子元器件數(shù)量也
          • 關(guān)鍵字: ROHM  Nch MOSFET  汽車車門  座椅  電機  LED前照燈  

          很基礎(chǔ)的MOS管知識

          • 半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子,所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,所以也稱為單極型三極管,因為這種管子是利用電場效應(yīng)控制電流的,所以也叫場效應(yīng)三極管(FET),簡稱場效應(yīng)管。場效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。在如果你在某寶里搜索“場效應(yīng)管”你會發(fā)現(xiàn),搜索出來的基本上是絕緣柵場效應(yīng)管。即使搜索“結(jié)型場效應(yīng)管”,出來的也只有幾種,你是不是懷疑結(jié)型場效應(yīng)管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺,沒錯,JFE
          • 關(guān)鍵字: 三極管  MOSFET  JFET  

          實現(xiàn)3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案

          • 隨著社會經(jīng)濟發(fā)展、能源結(jié)構(gòu)變革,近幾年全球?qū)矣脙δ芟到y(tǒng)的需求量一直保持相當(dāng)程度的增長。2023年,全球家用儲能系統(tǒng)市場銷售額達(dá)到了87.4億美元,預(yù)計2029年將達(dá)到498.6億美元,年復(fù)合增長率(CAGR)為33.68%(2023-2029);便攜儲能市場經(jīng)過了一輪爆發(fā)式增長的狂歡后,現(xiàn)在也迎來了穩(wěn)定增長期,從未來看,預(yù)計在2027年便攜儲能市場將達(dá)到900億元;AI Server市場規(guī)模持續(xù)增長,帶來了數(shù)字化、智能化服務(wù)器所需的高功率服務(wù)器電源的需求,現(xiàn)在單機3KW的Power也成為了標(biāo)配。對于
          • 關(guān)鍵字: Infineon  XMC1400  CoolSiC  Mosfet   高功率密度  雙向圖騰柱  PFC  數(shù)字電源  

          還分不清結(jié)型場效應(yīng)管與絕緣柵?看這一文就夠了,圖表展現(xiàn)

          • JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于,通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場引導(dǎo),而在 MOSFET 中,導(dǎo)電性是由于嵌入在半導(dǎo)體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。JFET 與 MOSFET的區(qū)別兩者之間的下一個關(guān)鍵區(qū)別是,JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小,因為后者嵌入了絕緣體,因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具,具有低漏極電阻,而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”,
          • 關(guān)鍵字: 結(jié)型場效應(yīng)管  jfet  MOSFET  電路設(shè)計  

          貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

          • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術(shù),開啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章,適用于光伏逆變器、能量儲存系統(tǒng)、電動汽車充電、電源和電機驅(qū)動應(yīng)用。貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見電源方案組合(AC-DC、DC-DC和DC-A
          • 關(guān)鍵字: 貿(mào)澤  英飛凌  CoolSiC G2  MOSFET  

          英飛凌OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET ,助力汽車控制器應(yīng)用

          • OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。如下圖所示,英飛凌40V MOSFET不同代際產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻的演進。英飛凌40V MOSFET比導(dǎo)通電阻代際演進英飛凌OptiMOS? 7 技術(shù)是英飛凌開發(fā)的第五代溝槽技術(shù),是當(dāng)今領(lǐng)先的雙多晶硅溝槽技術(shù)。無引腳封裝結(jié)合銅夾技術(shù)的使用,大幅提高了產(chǎn)品的電流能
          • 關(guān)鍵字: OptiMOS  MOSFET  英飛凌  

          用先進的SPICE模型模擬MOSFET電流-電壓特性

          • 在本文中,我們使用90nm CMOS的SPICE模型來繪制NMOS晶體管的關(guān)鍵電學(xué)關(guān)系。在前一篇文章中,我解釋了如何獲得集成電路MOSFET的高級SPICE模型,并將其納入LTspice仿真中。然后,我們使用這個模型來研究NMOS晶體管的閾值電壓。在本文中,我們將使用相同的模型來生成直觀地傳達(dá)晶體管電氣行為的圖。繪制漏極電流與漏極電壓我們將從生成漏極電流(ID)與漏極-源極電壓(VDS)的基本圖開始。為此,我們將柵極電壓設(shè)置為遠(yuǎn)高于閾值電壓的固定值,然后執(zhí)行直流掃描模擬,其中VDD的值逐漸增加。圖1顯示了
          • 關(guān)鍵字: LTspice  MOSFET  NMOS  

          英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,適用于高成本效益的先進電源應(yīng)用

          • 英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結(jié)(SJ)MOSFET產(chǎn)品系列。該系列器件結(jié)合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7產(chǎn)品系列的后續(xù)產(chǎn)品。全新超結(jié)MOSFET實現(xiàn)了具有高成本效益的硅基解決方案,豐富了英飛凌的寬帶隙產(chǎn)品陣容。該系列產(chǎn)品配備集成式快速體二極管,適用于服務(wù)器和工業(yè)開關(guān)模式電源裝置(SMPS)、電動汽車充電器、微型太陽能等廣泛應(yīng)用。這些元件采
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  oolMOS 8  SJ  MOSFET  電源應(yīng)用  

          瞻芯電子:第三代SiC MOSFET通過車規(guī)認(rèn)證

          • 6月23日,瞻芯電子宣布,公司基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試認(rèn)證。同時,瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn),后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。瞻芯電子成立于2017年,是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司,致力于開發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅(qū)動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品。瞻芯電子表示,第三代1200V 13
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          英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V,重新定義AI服務(wù)器電源的功率密度和效率

          • 隨著人工智能(AI)處理器對功率的要求日益提高,服務(wù)器電源(PSU)必須在不超出服務(wù)器機架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率,這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末,每顆高級GPU芯片的能耗可能達(dá)到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應(yīng)用和相關(guān)特定客戶需求的出現(xiàn),促使英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)開發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產(chǎn)品?,F(xiàn)在,英飛凌基于今年早些時候發(fā)布的第二代(G2)CoolSiCTM技術(shù),推出全新CoolSiC??MOS
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  CoolSiC MOSFET  AI服務(wù)器電源  

          英飛凌推出集成高精度溫度傳感器的新型600V CoolMOS S7TA MOSFET

          • 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出適用于汽車功率管理應(yīng)用的600 V CoolMOS? S7TA超級結(jié)MOSFET。S7TA專為滿足汽車電子部件的特殊要求而設(shè)計,其集成溫度傳感器在工業(yè)應(yīng)用同類產(chǎn)品(CoolMOS? S7T)取得的進步基礎(chǔ)上,顯著提高了結(jié)溫傳感的精度,因此具有諸如更高的耐用性、安全性和效率等對于汽車領(lǐng)域至關(guān)重要的優(yōu)勢。與同系列中的工業(yè)級產(chǎn)品一樣,車規(guī)級CoolMOS? S7TA?尤其適合固態(tài)繼電器(SSR)應(yīng)用。它具有出色的RDS(on)?
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  溫度傳感器  CoolMOS  MOSFET  

          一文了解SiC MOS的應(yīng)用

          • 作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率,并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中,應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可以實現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗,同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力,顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度,從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應(yīng)用碳化硅MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車空調(diào)、新能
          • 關(guān)鍵字: SiC  MOS  碳化硅  MOSFET  

          新型OptiMOS 7 MOSFET改進汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計穩(wěn)健性和開關(guān)效率

          • 英飛凌科技股份公司正在擴大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合,在40 V?產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件,并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標(biāo)準(zhǔn)和未來的48 V汽車應(yīng)用進行了優(yōu)化,包括電動助力轉(zhuǎn)向、制動系統(tǒng)、新區(qū)域架構(gòu)中的功率開關(guān)、電池管理、電子保險絲盒,以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應(yīng)用中的直流/直流和BLDC驅(qū)動器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動汽車(LEV)、電動二輪車、電動踏板車、電動摩
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌科技  汽車應(yīng)用  OptiMOS? 7   MOSFET  
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