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          使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管

          • 為特定CMOS工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的SPICE模型可以增強(qiáng)集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫(kù)中預(yù)加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章,但如果我們的主要目標(biāo)是準(zhǔn)確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為,那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中,我將介紹下載用于IC設(shè)計(jì)的高級(jí)SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過(guò)程。然后,我們將使用下載的模型對(duì)NMOS晶體管進(jìn)
          • 關(guān)鍵字: CMOS,MOSFET  晶體管,Spice模型  

          安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng),您知道嗎?

          • 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升,本文則將重點(diǎn)介紹M3S產(chǎn)品的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧。寄生導(dǎo)通問(wèn)題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC,因此在最高結(jié)溫TJ(MAX) = 175°C時(shí)具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
          • 關(guān)鍵字: SiC  MOSFET  RSP  

          英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

          • 在技術(shù)進(jìn)步和低碳化日益受到重視的推動(dòng)下,電子行業(yè)正在向結(jié)構(gòu)更緊湊、功能更強(qiáng)大的系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢(shì)。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡,同時(shí)兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前,英飛凌正在通過(guò)采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列,擴(kuò)展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導(dǎo)體器件?650 V產(chǎn)品組合。這兩個(gè)產(chǎn)品系列基于Coo
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  

          MOSFET在服務(wù)器電源上的應(yīng)用

          • 服務(wù)器電源主要用在數(shù)據(jù)中心場(chǎng)景中,主要應(yīng)用于服務(wù)器、存儲(chǔ)器等設(shè)備。它和PC電源一樣,都是一種開關(guān)電源。服務(wù)器電源按照標(biāo)準(zhǔn)可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標(biāo)準(zhǔn)是Intel在1997年推出的一個(gè)規(guī)范,使用較為普遍,輸出功率一般在125瓦~350瓦之間主要用于臺(tái)式機(jī)、工作站和低端服務(wù)器。SSI(Server System Infrastructure)規(guī)范是Intel聯(lián)合一些主要的IA架構(gòu)服務(wù)器生產(chǎn)商推出的新型服務(wù)器電源規(guī)范,SSI規(guī)范的推出是為了規(guī)范服務(wù)器電源技術(shù),降低開發(fā)成本,延長(zhǎng)服務(wù)器的使用壽命
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  服務(wù)器電源  

          PANJIT最新高效能60V/100V/150V車規(guī)級(jí)MOSFET系列

          • PANJIT?推出最新的60V、100V?和?150V?車規(guī)級(jí)?MOSFET,此系列通過(guò)先進(jìn)的溝槽技術(shù)設(shè)計(jì)達(dá)到優(yōu)異性能和效率。此系列?MOSFET?專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計(jì),提供優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)(FOM),顯著降低?RDS(ON)?和電容。這確保了最低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗,從而提升了整體性能。新系列?MOSFET?提供多種封裝,包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
          • 關(guān)鍵字: PANJIT  MOSFET  

          MOSFET基本原理、參數(shù)及米勒效應(yīng)全解

          • 1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,由于緊靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單極型晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣柵兩種,因?yàn)榻^緣柵型晶體管(MOSFET,下面簡(jiǎn)稱MOS管)的柵源間電阻比結(jié)型大得多且比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管溫度穩(wěn)定性好、集成化時(shí)工藝簡(jiǎn)單,因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類,每一類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種,只要柵極-源極電壓uGS為零時(shí)漏極電流也為零的管子均屬于增強(qiáng)型管,只要柵極-源極
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  參數(shù)  米勒效應(yīng)  

          功率MOSFET的工作原理

          • 功率MOSFET的開通和關(guān)斷過(guò)程原理(1)開通和關(guān)斷過(guò)程實(shí)驗(yàn)電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形:(3)開關(guān)過(guò)程原理:開通過(guò)程[ t0 ~ t4 ]:-- 在 t0 前,MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài),t0 時(shí),MOSFET 被驅(qū)動(dòng)開通;-- [t0-t1]區(qū)間,MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對(duì)Cgs充電而上升,在t1時(shí)刻,到達(dá)維持電壓Vth,MOSFET 開始導(dǎo)電;-- [t1-t2]區(qū)間,MOSFET 的DS 電流增加,Millier 電容在該區(qū)間內(nèi)因DS 電容的放電而放電,對(duì)GS 電容的充電
          • 關(guān)鍵字: 功率  MOSFET  工作原理  

          第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET:聚焦高效驅(qū)動(dòng)方案

          • 第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET:聚焦高效驅(qū)動(dòng)方案相比傳統(tǒng)的硅MOSFET,SiC MOSFET可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。新能源、電動(dòng)汽車、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域,SiC MOSFET(碳化硅-金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能,SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)方案?jìng)涫荜P(guān)注。然而,SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性,也意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)方案展開了解,其中包括驅(qū)動(dòng)過(guò)電流、過(guò)電壓保護(hù)以及如何為SiC MOSFET選擇合
          • 關(guān)鍵字: 第三代半導(dǎo)體  SiC  MOSFET  高效驅(qū)動(dòng)  電力電子  

          Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來(lái)越受歡迎的D2PAK-7封裝

          • Nexperia近日宣布,公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品,它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴(kuò)展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布,Nexperia正在滿足市場(chǎng)對(duì)采用D2
          • 關(guān)鍵字: Nexperia  SiC MOSFET  D2PAK-7  

          用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

          • Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。IX4352NE的主要優(yōu)勢(shì)在于其獨(dú)立的9A拉/灌電流輸出,支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序,同時(shí)將開關(guān)損耗降至最低。 內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)偏置,以實(shí)現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 該驅(qū)動(dòng)器
          • 關(guān)鍵字: SiC MOSFET  IGBT  低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器  

          欠電壓閉鎖的一種解釋

          • 了解欠壓鎖定(UVLO)如何保護(hù)半導(dǎo)體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險(xiǎn)操作的影響。當(dāng)提到電源或電壓驅(qū)動(dòng)要求時(shí),我們經(jīng)常使用簡(jiǎn)化,如“這是一個(gè)3.3 V的微控制器”或“這個(gè)FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒(méi)有考慮到電子設(shè)備在一定電壓范圍內(nèi)工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作,而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導(dǎo)電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導(dǎo)性。當(dāng)VDD軌降至2.95V時(shí),接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
          • 關(guān)鍵字: 欠電壓閉鎖,UVLO  MOSFET,IC  

          MOSFET開關(guān)損耗簡(jiǎn)介

          • 本文將通過(guò)解釋MOSFET功耗的重要來(lái)源來(lái)幫助您優(yōu)化開關(guān)模式調(diào)節(jié)器和驅(qū)動(dòng)器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式:線性和開關(guān)。在線性模式中,晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過(guò)溝道,但溝道電阻相對(duì)較高。跨溝道的電壓和流過(guò)溝道的電流都是顯著的,導(dǎo)致晶體管中的高功耗。在開關(guān)模式中,柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動(dòng),或者足夠高以使FET處于“完全增強(qiáng)”狀態(tài),在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下,晶體管就像一個(gè)閉合的開關(guān):即使大電流流過(guò)通道,功耗也會(huì)很低或中等。隨著開關(guān)模式操作接近理想情況,功耗變得可
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  開關(guān)損耗  

          一文詳解電池充電器的反向電壓保護(hù)

          • 處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,這種做法會(huì)產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很簡(jiǎn)潔,但是二極管在便攜式或備份應(yīng)用中是不起作用的,因?yàn)殡姵卦诔潆姇r(shí)必須吸收電流,而在不充電時(shí)則須供應(yīng)電流。另一種方法是使用圖 1 所示的 MOSFET 電路之一。圖 1:傳統(tǒng)的負(fù)載側(cè)反向保護(hù)對(duì)于負(fù)載側(cè)電路而言,這種方法比使用二極管更好,因?yàn)殡娫? (電池) 電壓增強(qiáng)了 MOSFET,因而產(chǎn)生了更少的壓降和實(shí)質(zhì)上更高的電導(dǎo)。該電路的 NMOS 版本比 PM
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  電源電壓反轉(zhuǎn)  

          解析LLC諧振半橋變換器的失效模式

          • 在功率轉(zhuǎn)換市場(chǎng)中,尤其對(duì)于通信/服務(wù)器電源應(yīng)用,不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為最具挑戰(zhàn)性的議題。對(duì)于功率密度的提高,最普遍方法就是提高開關(guān)頻率,以便降低無(wú)源器件的尺寸。零電壓開關(guān)(ZVS)拓?fù)湟蚓哂袠O低的開關(guān)損耗、較低的器件應(yīng)力而允許采用高開關(guān)頻率以及較小的外形,能夠以正弦方式對(duì)能量進(jìn)行處理,開關(guān)器件可實(shí)現(xiàn)軟開閉,因此可以大大地降低開關(guān)損耗和噪聲。在這些拓?fù)渲?,移相ZVS全橋拓?fù)湓谥?、高功率?yīng)用中得到了廣泛采用,因?yàn)榻柚β蔒OSFET的等效輸出電容和變壓器的漏感可以使所有的開關(guān)工作在ZVS狀態(tài)下
          • 關(guān)鍵字: LLC  MOSFET  ZVS  變換器  

          談?wù)剮追N常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

          • 一、MOS管驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)述MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。在使用MOSFET設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí),大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的,MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對(duì)一個(gè)確定的MOSFET,其驅(qū)動(dòng)電路,驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流,上升速率等,都會(huì)影響MOSFET的開關(guān)性能。當(dāng)電源IC與MOS管選定之
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  
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