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IC Insights :DRAM價格下半年要下滑
- IC Insights 對DRAM后市提出示警，預(yù)期下半年隨著供給增加，產(chǎn)品價格恐將下滑，DRAM 市場無可避免將展開周期性修正。 IC Insighta 指出，DRAM 價格自 2016 年中以來快速走高，據(jù)統(tǒng)計，DRAM 平均售價已自 2016 年 4 月的 2.41 美元，大幅攀高到今年 2 月的 3.7 美元，漲幅高達至 54%。 在產(chǎn)品價格大漲帶動下，IC Insights 預(yù)估，今年 DRAM 產(chǎn)值可望達 573 億美元規(guī)模，將較去年成長達 39%。 IC Insight
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高啟全：長江存儲自主3D NAND、DRAM研發(fā)歡迎美光一起加入
- 臺灣DRAM教父高啟全轉(zhuǎn)戰(zhàn)大陸紫光集團操盤存儲器大計劃超過1年，日前晉升長江存儲的執(zhí)行董事、代行董事長，接受DIGITIMES獨家專訪公開未來規(guī)劃;他指出，已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3D NAND開發(fā)，也考慮研發(fā)20/18納米DRAM，會在技術(shù)開發(fā)具競爭力后才開始投產(chǎn)，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時間會對長江存儲有利! 長江存儲計劃存儲器的研發(fā)，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現(xiàn)階段長江存儲的股權(quán)結(jié)構(gòu)是大基金占25%、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和
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集邦咨詢：美光圍堵，無礙中國DRAM研發(fā)進程
- 近日，有媒體報道美國存儲器大廠在臺灣地區(qū)采取司法手段其防止技術(shù)遭遇泄露，目標(biāo)是前華亞科及前瑞晶關(guān)鍵制程和研發(fā)人員，目前已有上百人遭到約談。 市場更是傳出，美光這一行動已經(jīng)波及聯(lián)電與大陸廠商晉華的合作事宜，導(dǎo)致后者出資在聯(lián)電臺灣南科廠設(shè)置的試產(chǎn)線停產(chǎn)。 不過，4月5日，聯(lián)電方面對外表示，確實有員工收到了訴訟通知，但只是個人行為，與公司無關(guān)。此外，聯(lián)電還表示，目前DRAM仍處制程技術(shù)開發(fā)階段，尚無試產(chǎn)線，并無外傳試產(chǎn)線暫停的情況，其DRAM技術(shù)的研發(fā)計劃也將持續(xù)不變。 根據(jù)集邦咨詢觀察，近年來，中國
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DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正在制定：比DDR4快兩倍！
- 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計劃明年定稿。 據(jù)悉，用于服務(wù)器和臺式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是DDR4內(nèi)存的兩倍之多，執(zhí)行效率也更高。 同時，針對智能手機以及筆記本電腦等對續(xù)航有更高要求的設(shè)備，還會推出低電壓版的LPDDR5內(nèi)存。 雖然看起來DDR5內(nèi)存非常值得期待，但分析師卻對其前景并不看好，反而認為DDR內(nèi)存時代將在DDR4生命周期結(jié)束時謝幕。 分析師認為，DDR5會首先被應(yīng)用于服務(wù)器和高端PC領(lǐng)域，隨后才會逐漸向下普及。但
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DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正在制定：比DDR4快兩倍！
- 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計劃明年定稿。 據(jù)悉，用于服務(wù)器和臺式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是DDR4內(nèi)存的兩倍之多，執(zhí)行效率也更高。 同時，針對智能手機以及筆記本電腦等對續(xù)航有更高要求的設(shè)備，還會推出低電壓版的LPDDR5內(nèi)存。 雖然看起來DDR5內(nèi)存非常值得期待，但分析師卻對其前景并不看好，反而認為DDR內(nèi)存時代將在DDR4生命周期結(jié)束時謝幕。 分析師認為，DDR5會首先被應(yīng)用于服務(wù)器和高端PC領(lǐng)域，隨后才會逐漸向下普及。但
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IC Insights：存儲器市場前景好，DRAM、NAND報價調(diào)升兩倍
- DRAM、NAND 快閃存儲器價格漲不停，促使半導(dǎo)體研究機構(gòu) IC Insights 將今年全球芯片成長預(yù)估調(diào)升兩倍。 IC Insights 最新預(yù)期 2017 年全球芯片產(chǎn)值將成長 11%，兩倍高于原先估計的 5%。IC Insights 解釋原因為 DRAM、NAND 快閃存儲器展望明顯上修。 IC Insights 現(xiàn)在預(yù)期今年 DRAM 銷售額有望跳增 39%、NAND 快閃存儲器有望成長 25%，隨著報價走揚，未來兩者都還有進一步上修的可能。 IC Insights 指出
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2015年大陸貢獻全球IC需求29%,供給僅4%
- 2013年，中國從海外進口了2,330億美元的半導(dǎo)體，進口金額首度超越石油，也促成了中國「半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要」的出現(xiàn)，并在2014年9月募集第一波的「大基金」。 2015年，半導(dǎo)體的進口金額維持2,307億美元的高檔，大約貢獻了全球29%的半導(dǎo)體需求量，但中國能自己供應(yīng)的比重僅有4%。 中國政府希望到2020年為止，能夠維持每年20%的成長。 相較于海外的購并工作不斷的受到干擾，中國顯然更積極于自建工廠的努力。 整體而言，我們可以用「自建工廠」，發(fā)展3D Flash，也同步發(fā)展材料設(shè)備業(yè)等幾個字
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三星美光1xnm DRAM 接連出狀況，市場供貨吃緊仍沒改善
- 自 2016 年中開始，DRAM 內(nèi)存供貨不足，造成市場價格全面上漲的情況，如今又要多加一個變量。 那就是 DRAM 內(nèi)存的市場龍頭三星，在 2017 年 2 月中旬陸續(xù)召回部分序號的 18 奈米制程的內(nèi)存模塊，并且再重新出貨給客戶之后，仍然發(fā)生有瑕疵的狀況。 而且，此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠在 DPPM (每百萬臺的不良率) 有大幅提升的狀況。 再加上，不僅是三星出現(xiàn)這樣的情況，連美光 (Micron) 的 17 奈米制程 PC DRAM 內(nèi)存模塊都有類似的情形發(fā)生，如此也為 2017 年
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紫光國芯第四代DRAM存儲器成功通過科技成果評價
- 2017年3月22日，受工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報研究所委托，北京中企慧聯(lián)科技發(fā)展中心在北京主持召開由紫光國芯股份有限公司/西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司自主研發(fā)的“高性能第四代DRAM存儲器”科技成果評價會。 北京中企慧聯(lián)評價機構(gòu)嚴(yán)格按照《科技成果評價試點暫行辦法》的有關(guān)規(guī)定和要求，秉承客觀、公正、獨立的原則，聘請同行專家對該項科技成果進行了評價。評價委員會聽取了項目完成單位的技術(shù)總結(jié)報告，對評價資料進行了審查，經(jīng)嚴(yán)格質(zhì)詢和充分討論形成了評價意見。 &nb
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韓國與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應(yīng)對專利紛爭
- 大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導(dǎo)的長江存儲在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地引起全球關(guān)注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導(dǎo)體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習(xí)大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。 據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內(nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習(xí)大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導(dǎo)體技術(shù)暫時還
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韓國與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應(yīng)對專利紛爭
- 大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導(dǎo)的長江存儲在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地引起全球關(guān)注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導(dǎo)體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習(xí)大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。 據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內(nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習(xí)大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導(dǎo)體技術(shù)暫時還
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Micron宣布在臺成立DRAM卓越制造中心
- Micron 宣布于本月14日成功標(biāo)得達鴻先進科技的拍賣資產(chǎn)，并將以此建立Micron在臺之后段生產(chǎn)基地。Micron現(xiàn)已取得這新生產(chǎn)基地之所有權(quán)。 經(jīng)由此收購案， Micron取得與其臺中廠相鄰的無塵室和設(shè)備，并將使Micron 的晶圓制造與后段封測得以集中于同一據(jù)點，并專注于建立集中式的后段封測營運。 全球制造副總裁Wayne Allan指出：“此舉為Micron在臺建立DRAM卓越制造中心的重要一步。將晶圓制造和后段封測結(jié)合在同一地點，構(gòu)建一個完整連貫的高效制造支援組織，
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