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三大存儲(chǔ)模組廠商談產(chǎn)業(yè)前景
- 存儲(chǔ)模組大廠威剛認(rèn)為，以供給面而言，DRAM供給相對(duì)單純且市場(chǎng)庫(kù)存水位較低，看好DRAM價(jià)格回溫時(shí)間可望早于NAND Flash。目前消費(fèi)性需求尚未全面復(fù)蘇，第一季DRAM與NAND Flash合約價(jià)仍有小幅下跌壓力，但存儲(chǔ)器中下游業(yè)者庫(kù)存調(diào)整已歷經(jīng)近一年時(shí)間，并也降至相對(duì)健康水位，因此只要存儲(chǔ)器價(jià)格明確落底，市場(chǎng)備貨需求將可望快速啟動(dòng)，加速產(chǎn)業(yè)供需平衡。威剛預(yù)估，第一季營(yíng)收走勢(shì)可望逐月走升，第二季優(yōu)于第一季，下半年可望明顯回升，宇瞻則認(rèn)為，DRAM上半年仍會(huì)處于供過于求，但在原廠減產(chǎn)、減少資本支
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)模組 威剛 宇瞻 DRAM
外媒：存儲(chǔ)大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化
- 據(jù)外媒《BusinessKorea》報(bào)道，三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長(zhǎng)兼工藝開發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國(guó)首爾江南區(qū)三成洞韓國(guó)貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來增長(zhǎng)動(dòng)力?？紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) 3D DRAM
支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新
- 本文將解析使 3D NAND、高級(jí) DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級(jí) SoC 和封裝（用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對(duì)架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢(shì)壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(zhǎng)。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級(jí)智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺(tái)，包括一個(gè)或多
- 關(guān)鍵字： 3D NAND DRAM 5nm SoC
TrendForce：2023 年 Server DRAM 位元產(chǎn)出比重將達(dá) 37.6%，超越 Mobile DRAM
- IT之家 2 月 20 日消息，TrendForce 集邦咨詢今日發(fā)布報(bào)告稱，2023 年的 Server DRAM 位元產(chǎn)出比重約 37.6%，將正式超越 Mobile DRAM 的 36.8%?！?圖源：TrendForce 集邦咨詢報(bào)告指出，自 2022 年起 DRAM 原廠持續(xù)將原先配置給 Mobile DRAM 的產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至前景相對(duì)強(qiáng)勁穩(wěn)健的 Server DRAM，試圖減輕 Mobile DRAM 端供需失衡的壓力。2023 年由于智能手機(jī)出貨增長(zhǎng)率與平均搭載容量成長(zhǎng)率仍保守，原廠的
- 關(guān)鍵字： DRAM 市場(chǎng)
威剛：內(nèi)存產(chǎn)業(yè)需求有望從第三季度起恢復(fù)增長(zhǎng)動(dòng)能
- IT之家 2 月 10 日消息，據(jù)威剛官方消息，威剛 1 月合并營(yíng)收僅月減 7.57% 為 21.77 億元新臺(tái)幣。威剛表示，公司短期內(nèi)仍將維持彈性且謹(jǐn)慎的庫(kù)存策略，并隨時(shí)掌握產(chǎn)業(yè)變化，預(yù)期內(nèi)存產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈庫(kù)存有望在今年上半年逐步去化完成，隨著下半年消費(fèi)性需求回籠，以及各項(xiàng)產(chǎn)品單機(jī)內(nèi)存搭載容量快速成長(zhǎng)，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)需求有望從第三季起恢復(fù)成長(zhǎng)動(dòng)能。威剛董事長(zhǎng)陳立白進(jìn)一步指出，目前公司對(duì)內(nèi)存景氣展望不變，預(yù)期本季內(nèi)存價(jià)格仍處短期修正波段，但受惠于上游供應(yīng)商獲利不再且投片態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守，DRAM 與 NAND
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存儲(chǔ)設(shè)備庫(kù)存擠壓嚴(yán)重，各類儲(chǔ)存卡、SSD 價(jià)格暴跌：最低 3.59 元起
- 2023 年 2 月 7 日消息，據(jù) DT 報(bào)道稱主要存儲(chǔ)廠商包括美光、SK海力士、三星等存儲(chǔ)大廠們的芯片庫(kù)存仍在不斷膨脹擠壓中，庫(kù)存壓力巨大。不斷增長(zhǎng)的庫(kù)存壓力也讓供銷商對(duì)終端出貨的預(yù)期保持謹(jǐn)慎，甚至預(yù)測(cè)到 2023 年第四季度才能回暖。價(jià)格方面，目前 DRAM 內(nèi)存芯片價(jià)格預(yù)計(jì)一季度下跌 20%，二季度下跌 11%；而 NAND 閃存價(jià)格預(yù)計(jì)一季度下跌 10%，二季度下跌 3%，各位有需求入手儲(chǔ)存卡、固態(tài)硬盤 SSD 的用戶，近期好價(jià)可以選擇入手！
- 關(guān)鍵字： DRAM 市場(chǎng)
TrendForce：預(yù)計(jì)一季度服務(wù)器 DRAM 價(jià)格跌幅約 20%-25%
- IT之家 2 月 1 日消息，TrendForce 集邦咨詢最新報(bào)告指出，全球經(jīng)濟(jì)持續(xù)疲軟，促使北美四大云服務(wù)供應(yīng)商下修 2023 年服務(wù)器采購(gòu)量，且數(shù)字可能持續(xù)下修，下修幅度由多到少依次為 Meta、Microsoft（微軟）、Google（谷歌）、AWS（亞馬遜云科技）。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢預(yù)計(jì)，四家廠商服務(wù)器采購(gòu)量由原先預(yù)估的同比增長(zhǎng) 6.9%，降至 4.4%，此將影響 2023 年全球服務(wù)器整機(jī)出貨年增率下降到 1.87%，進(jìn)一步加劇 Server DRAM 供
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三星電子計(jì)劃明年擴(kuò)大晶圓代工與 DRAM 產(chǎn)能，擬新設(shè)至少 10 臺(tái) EUV 光刻機(jī)
- IT之家 12 月 26 日消息，韓國(guó)《首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》表示，盡管明年全球經(jīng)濟(jì)將放緩，三星電子仍計(jì)劃明年在其最大半導(dǎo)體工廠增加芯片產(chǎn)能。據(jù)稱，三星 2023 年存儲(chǔ)器和系統(tǒng)半導(dǎo)體的晶圓產(chǎn)能提高約 10%。業(yè)內(nèi)消息人士稱，三星電子將在位于韓國(guó)平澤的 P3 工廠增加 DRAM 設(shè)備，12 英寸晶圓月產(chǎn)能可達(dá) 7 萬(wàn)片，明年將把 P3 代工晶圓產(chǎn)能提高 3 萬(wàn)片（共 10 萬(wàn)），高于目前 P3 廠 DRAM 產(chǎn)線的每月 2 萬(wàn)片產(chǎn)能。三星電子計(jì)劃利用新的設(shè)備生產(chǎn) 12 納米級(jí) DRAM。截至今
- 關(guān)鍵字： 三星 晶圓代工 DRAM
三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開發(fā)成功
- 三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米（nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung Lee表示："三星12nm級(jí)DRAM將成為推動(dòng)整個(gè)市場(chǎng)廣泛采用DDR5 DRAM的關(guān)鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等領(lǐng)域更可持續(xù)運(yùn)營(yíng)的基礎(chǔ)。"AMD高級(jí)副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計(jì)算
- 關(guān)鍵字： 三星電子 12納米 DDR5 DRAM
業(yè)界最快：SK 海力士開發(fā)出數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá) 8Gbps 的服務(wù)器 DDR5 內(nèi)存模組
- IT之家 12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官網(wǎng)宣布，成功開發(fā)出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組樣品，這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達(dá) 8Gbps，較之目前 DDR5 產(chǎn)品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方稱，該 MCR DIMM 產(chǎn)品采用了全新的方法來以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認(rèn)為 DDR5 的運(yùn)行速度取決于單個(gè) DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程師在開發(fā)該產(chǎn)品時(shí)另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個(gè) DRAM 芯
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DRAM大廠：消費(fèi)端整體市況回穩(wěn)恐得等到2023年下半年
- 12月5日，DRAM大廠南亞科發(fā)布公告11月自結(jié)合并營(yíng)收為新臺(tái)幣27.71億元，較上月減少0.40%，較去年同期減少61.81%。累計(jì)合并營(yíng)收為新臺(tái)幣545.52億元，較去年同期減少30.65%。據(jù)TrendForce集邦咨詢11月16日研究顯示，南亞科（Nanya）因consumer DRAM產(chǎn)品比重高，第三季營(yíng)收衰退達(dá)40.8%，衰退幅度為第三季前六大業(yè)者最甚。南亞科已于第四季小幅減少投片，但轉(zhuǎn)進(jìn)1Anm的進(jìn)度仍舊持續(xù)，預(yù)期2023上半年推出樣本，然客戶端因需求展望保守，導(dǎo)入意愿可能并不積極，預(yù)計(jì)
- 關(guān)鍵字： DRAM 南亞科
1TB降到100元可期！SSD還要降價(jià) 原廠顆粒賣不動(dòng)：內(nèi)存閃存市場(chǎng)價(jià)繼續(xù)走跌
- 很顯然內(nèi)存市場(chǎng)的需求依然很淡，不少消費(fèi)者依然沒有出手，當(dāng)然還是覺得廠商能繼續(xù)降價(jià)。調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce現(xiàn)發(fā)布了最新的研究報(bào)告，表明目前DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)仍在保持下跌的趨勢(shì)，主要買家對(duì)未來皆抱持跌價(jià)心態(tài)，整體市況仍因大環(huán)境因素影響價(jià)格難以止跌。具體來說：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交價(jià)在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE報(bào)價(jià)下調(diào)至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即將到貨而降至 2.00~2.03 美元。
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DRAM，三星 SK海力士
韓國(guó)芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價(jià)甩賣：SK海力士、三星虧到家
- 作為韓國(guó)的重要支柱，芯片出口的多少，直接關(guān)系著幾大財(cái)團(tuán)的營(yíng)收，比如三星、SK海力士等等。據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑，導(dǎo)致對(duì)芯片的需求下滑，尤其是存儲(chǔ)芯片，需求與價(jià)格雙雙下滑。韓國(guó)關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示，在11月份的前20天，韓國(guó)芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國(guó)重要的出口產(chǎn)品還有智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備，但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標(biāo)志性的一個(gè)現(xiàn)象是，全球智能手機(jī)老大已經(jīng)在不停的砍單了，至少在3000萬(wàn)部，這也
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 DRAM NAND
美光發(fā)布 HSE 3.0 開源存儲(chǔ)引擎
- IT之家 11 月 20 日消息，2020 年初，美光的軟件工程師宣布了一款專為 SSD 和持久內(nèi)存設(shè)計(jì)的開源存儲(chǔ)引擎 HSE，這是一款快速鍵值存儲(chǔ)數(shù)據(jù)庫(kù)。去年 HSE 2.0 首次亮相，不再依賴于對(duì) Linux 內(nèi)核的修改，改為完全基于用戶空間的解決方案。本周，美光發(fā)布了 HSE 3.0 開源存儲(chǔ)引擎，帶來了更多功能改進(jìn)。據(jù)介紹，HSE 3.0 改進(jìn)了數(shù)據(jù)管理，提高了各種重要工作負(fù)載的性能。此外，HSE 3.0 引擎圍繞具有單調(diào)遞增鍵（例如時(shí)間序列數(shù)據(jù)）的工作負(fù)載、多客戶端工作負(fù)載、將壓縮和未壓縮值存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字： 美光 SSD DRAM HSE
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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