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e-mode gan fet 文章 進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)
硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比照明
- 傳統(tǒng)的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍(lán)寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因?yàn)檫@兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
- 關(guān)鍵字： GaN LED 光萃取技術(shù)
功率器件的利器 GaN
- GaN是什么? 什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學(xué)元素來(lái)解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結(jié)構(gòu)，為直接帶隙半導(dǎo)體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質(zhì)量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學(xué)氣相淀積法制備。 GaN材料的研究與應(yīng)用是全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被
- 關(guān)鍵字： GaN 功率器件
SiC和GaN是“下一代”還是“當(dāng)代”？
- SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別。”這是因?yàn)?，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布，在學(xué)會(huì)和展會(huì)的舞臺(tái)上，這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)代”的色彩。 那么，在使用功率半導(dǎo)體的制造現(xiàn)場(chǎng)，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導(dǎo)體使用者的心目中，此類產(chǎn)品已逐漸由
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
E INK透露電子墨水屏新技術(shù) 柔性屏Kindle將于2014年發(fā)布
- 今天E Ink公司項(xiàng)目經(jīng)理Giovanni Mancini向外媒CNET展示了公司即會(huì)推廣到Kindle，Nook和索尼Reader上的新電子墨水顯示技術(shù)。首先新技術(shù)改善減少了重影的次數(shù) (在翻頁(yè)后依然殘留部分文字)，這樣你就不需要頻繁的進(jìn)行刷新操作。目前的設(shè)備往往翻六七頁(yè)之后就需要進(jìn)行一次刷新，而新技術(shù)有望達(dá)到100頁(yè)。 Mancini表示目前還不能分享這項(xiàng)技術(shù)的更多的細(xì)節(jié)，但是將會(huì)于今年年底之前搭配在Kindle等設(shè)備上進(jìn)行發(fā)售。 Mancini表示目前電子墨水顯示屏技術(shù)已經(jīng)比較成熟，這
- 關(guān)鍵字： E-INK 柔性屏 電子墨水
未來(lái)十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的速度穩(wěn)增
- 在未來(lái)十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。 據(jù)有關(guān)報(bào)告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測(cè)，未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。 SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
- 關(guān)鍵字： GaN 半導(dǎo)體 SiC
未來(lái)十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的速度穩(wěn)增
- 在未來(lái)十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。 據(jù)有關(guān)報(bào)告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測(cè)，未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。 SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
- 關(guān)鍵字： GaN 半導(dǎo)體 SiC
三菱化學(xué)計(jì)劃擴(kuò)增LED用GaN基板產(chǎn)能
- 因照明用LED需求大增，三菱化學(xué)計(jì)劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍。 目前，三菱化學(xué)利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板，生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸，月產(chǎn)能分別為1,000片、數(shù)百片。 而為了要達(dá)到穩(wěn)定獲利的水平，有必要將產(chǎn)品尺寸擴(kuò)大至4-6寸，所以，三菱化學(xué)計(jì)劃借由調(diào)整水島事業(yè)所現(xiàn)有設(shè)備的制程，開始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板，月產(chǎn)能為200-300片，并計(jì)劃憑借新設(shè)生產(chǎn)設(shè)備或增設(shè)廠房等措施，開始生產(chǎn)6寸GaN基板，將GaN基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍
- 關(guān)鍵字： LED GaN
傳聞：Intel將在第四季度推出Ivy Bridge-E
- 自從Intel推出Sandy Bridge-E處理器以來(lái)，已經(jīng)過(guò)去了14個(gè)月了。原本計(jì)劃于今年推出的Ivy Bridge-E卻又一再延期，根據(jù)Fudzilla的消息該芯片將再次跳票。該網(wǎng)站的消息來(lái)源稱，Ivy Bridge-E原本應(yīng)在第三季度推出，但目前的情況是，這款設(shè)備將在第四季度推出。英特爾Haswell處理機(jī)將在6月份正式上市，而Ivy Bridge-E應(yīng)該是Haswell后的又一個(gè)產(chǎn)品，但是根據(jù)目前的情況來(lái)看，Ivy Bridge-E的推出并沒(méi)有一個(gè)非常清晰的時(shí)間表。 據(jù)消息稱，Hasw
- 關(guān)鍵字： Intel 處理器 Ivy Bridge-E
eGaN FET與硅功率器件比拼之六：隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器
- 隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應(yīng)用于電信系統(tǒng)，為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供電，這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標(biāo)準(zhǔn)尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
- 關(guān)鍵字： eGaN FET 硅功率器 轉(zhuǎn)換器
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