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e-mode gan fet
e-mode gan fet 文章 進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)
ADI公司推出快速FET運(yùn)算放大器
- 2009年1月22日，中國(guó)北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商，最新推出一款業(yè)界最快的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)運(yùn)算放大器——ADA4817。這款產(chǎn)品工作頻率高達(dá)1GHz，設(shè)計(jì)用于高性能的便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備和儀器儀表設(shè)備。與競(jìng)爭(zhēng)器件相比，可提供兩倍的帶寬，同時(shí)噪聲降低一半。它已被領(lǐng)先的醫(yī)療、測(cè)試和測(cè)量設(shè)備公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫(yī)療設(shè)備。與ADA4
- 關(guān)鍵字： ADI 運(yùn)算放大器 FET ADA4817
德州儀器1.5A 線(xiàn)性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： FET TI IC－bq2407x
IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺(tái)
- 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布，成功開(kāi)發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺(tái)相比，該技術(shù)平臺(tái)可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計(jì)算和通信、汽車(chē)和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。 開(kāi)拓性GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)是IR基于該公司的GaN器件專(zhuān)利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。 IR的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過(guò)有效利用公司60年來(lái)在電源轉(zhuǎn)換專(zhuān)業(yè)知識(shí)方面
- 關(guān)鍵字： IR 功率器件 GaN 終端
測(cè)試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話(huà)技術(shù)問(wèn)題
- 要預(yù)測(cè)客戶(hù)對(duì)一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測(cè)手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì)，需要進(jìn)行實(shí)際使用測(cè)試。使用測(cè)試是一種很有價(jià)值...
- 關(guān)鍵字： GAN 蜂窩 話(huà)音質(zhì)量
TI推出具有啟動(dòng)過(guò)程中禁止吸入功能的DC/DC 轉(zhuǎn)換器
- TPS54377 是一款輸入電壓為 3V ～6V 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，具有可將電壓步降至 0.9V 的集成的 FET。其轉(zhuǎn)換頻率為同步頻率并可調(diào)至 1.6MHz，以減少外部組件數(shù)量且有助于確定頻譜噪聲頻帶。該器件在整個(gè)溫度范圍內(nèi)均可提供高達(dá) 3A 的輸出電流并可支持 4A 的峰值輸出電流。其具有電源狀態(tài)良好指示、啟動(dòng)、可調(diào)慢啟動(dòng)、電流限制、熱關(guān)斷以及 1% 的參考精度等特性。TPS54377 可用于寬帶、聯(lián)網(wǎng)和通信基礎(chǔ)設(shè)施、分布式電源系統(tǒng)以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 穩(wěn)壓。
- 關(guān)鍵字： TI 轉(zhuǎn)換器 DC/DC FET
Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管
- Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級(jí)別進(jìn)一步證實(shí)了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。 新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括： 1. 相比于類(lèi)似功率級(jí)的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍 2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率 3. 在免授權(quán)的5.8G
- 關(guān)鍵字： 三極管 WiMAX Cree GaN
研究人員公布低成本GaN功率器件重大進(jìn)展
- 研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無(wú)裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測(cè)量顯示出很高的晶體質(zhì)量，并且研究人員還報(bào)告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在A(yíng)ixtron應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室的300mmCRIUS金屬-有機(jī)化學(xué)氣相外延（MOVPE）反應(yīng)腔中生長(zhǎng)的。??????? “對(duì)實(shí)現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標(biāo)來(lái)說(shuō)，在200mm硅晶圓上生長(zhǎng)出
- 關(guān)鍵字： 硅晶圓 GaN 200mm MEMC
如何測(cè)試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話(huà)
- 要預(yù)測(cè)客戶(hù)對(duì)一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測(cè)手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì)，需要進(jìn)行實(shí)際使用測(cè)試。使用測(cè)試是一種很有價(jià)值的工具，本文將介紹如何進(jìn)行此類(lèi)測(cè)試。 UMA/GAN是一種能讓移動(dòng)電話(huà)在傳輸話(huà)音、數(shù)據(jù)、既有話(huà)音也有數(shù)據(jù)或既無(wú)話(huà)音也無(wú)數(shù)據(jù)時(shí)在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無(wú)線(xiàn)接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無(wú)線(xiàn) LAN)之間無(wú)縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過(guò)程中一項(xiàng)里程碑式的技術(shù)，UMA/GAN能讓手機(jī)用戶(hù)得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動(dòng)接入(UMA)網(wǎng)，之后被3
- 關(guān)鍵字： 移動(dòng)電話(huà) UMA GAN SEGW WLAN
中國(guó)首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)MOCVD設(shè)備問(wèn)世
- 由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國(guó)家863半導(dǎo)體照明工程重點(diǎn)項(xiàng)目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長(zhǎng)設(shè)備研制取得突破，我國(guó)首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的并能同時(shí)生長(zhǎng)6片外延片的MOCVD設(shè)備研制成功。 該設(shè)備在高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測(cè)器、高效率太陽(yáng)能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。MOCVD是半導(dǎo)體照明上游關(guān)鍵設(shè)備，目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴(lài)進(jìn)口。在此之前，杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
- 關(guān)鍵字： 青島杰生電氣 MOCVD LED LD GaN
集成功率FET的鋰離子開(kāi)關(guān)充電器
- 當(dāng)輸入至輸出的開(kāi)銷(xiāo)電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時(shí)，線(xiàn)性電池充電器的功耗相當(dāng)大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節(jié)鋰離子電池組、12V車(chē)載適配器、1.2A額定充電電流)為例，其線(xiàn)性充電器的平均功耗超過(guò)5W。 bq241xx系列開(kāi)關(guān)充電器是對(duì)過(guò)熱問(wèn)題的簡(jiǎn)便解決方案。內(nèi)置功率FET能夠提供高達(dá)2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz，輸入電壓最高可達(dá)18V，非常適用于由單節(jié)、雙或三節(jié)電池組供電的系統(tǒng)。該系列開(kāi)關(guān)充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優(yōu)異特性，并且
- 關(guān)鍵字： FET 鋰離子開(kāi)關(guān)充電器 電源
飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅(qū)動(dòng)器多芯片模塊
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案FDMF6700，采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對(duì)于空間極度受約束的應(yīng)用，比如小外形尺寸的臺(tái)式電腦、媒體中心PC、超密集服務(wù)器、刀片服務(wù)器、先進(jìn)的游戲系統(tǒng)、圖形卡、網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備，以及其它電路板空間有限的DC-DC應(yīng)用，F(xiàn)DMF6700為設(shè)計(jì)人員提供別具吸引力的解決方案。 在個(gè)人電腦主板中，典型的降壓轉(zhuǎn)換器在每個(gè)相位可能包含：采用DPAK封裝的三個(gè)N溝道MOSFE
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 飛兆 DrMOS FET 模塊
e-mode gan fet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條e-mode gan fet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)e-mode gan fet的理解，并與今后在此搜索e-mode gan fet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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