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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan mos driver

          科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺

          • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管,從而提高效率和可靠性。
          • 關(guān)鍵字: 科銳  放大器  GaN  

          舞臺功放MOS管改裝電路圖及方法

          • 以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變,要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
          • 關(guān)鍵字: 電路圖  方法  改裝  MOS  功放  舞臺  

          基于C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

          • 電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢,而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實。用2級TTL構(gòu)成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代,因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng),容易停振或
          • 關(guān)鍵字: C-MOS  轉(zhuǎn)換器  石英晶體  振蕩電路    

          單顆LED大功率手電筒 AMC7135 LED Driver

          • 這款單顆LED大功率手電筒是以單顆發(fā)光二極管(LED)作為光源的一種新型照明工具,它具有省電、耐用、亮度強(qiáng)等優(yōu)點??捎糜谝剐小⒌巧?、野營、醫(yī)用、維修等。且使用效果很不錯。一、LED的選擇現(xiàn)在大功率LED的功率有1W、
          • 關(guān)鍵字: LED  Driver  AMC7135  大功率  單顆  手電筒  

          技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(一)

          • 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
          • 關(guān)鍵字: SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻  

          無比型動態(tài)MOS反相器

          Linux下SANE Driver自動化測試工具的設(shè)計與實現(xiàn)

          • SANE(Scanner Access Now Easy)是一個應(yīng)用程序接口API(Application Programming Interface)[1],提供了對光柵圖像掃描硬件的標(biāo)準(zhǔn)訪問[2]。Linux對掃描儀的支持就是通過SANE實現(xiàn)的。SANE標(biāo)準(zhǔn)中將實現(xiàn)SANE接口的驅(qū)
          • 關(guān)鍵字: Driver  Linux  SANE  自動化    

          硅上GaN LED分析

          • 硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響,一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監(jiān)測溫度和晶片曲率,制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片,并將這些芯片安裝到器件中,使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
          • 關(guān)鍵字: GaN  LED  分析    

          采用C-MOS與非門的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動電路及工作原理分析

          • 電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光,正向偏流只能在數(shù)10MA以下,允以獲得大的發(fā)光輸出,若采用縮小導(dǎo)通時的占空比,則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ,脈沖載頻為38KHZ,受發(fā)光電路很容易分辯外來光。電
          • 關(guān)鍵字: 電路  工作  原理  分析  驅(qū)動  脈沖  C-MOS  與非門  發(fā)光二極管  

          采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

          • 采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢,而且74HC系列產(chǎn)品 ...
          • 關(guān)鍵字: C-MOS  轉(zhuǎn)換器  石英晶體  振蕩電路  

          可設(shè)定10~100秒的長時間C-MOS定時電路及工作原理

          • 電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路,R用高阻值,便可加長CR時間常數(shù),但是,由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大,難以充電到門限電壓,比較器無法驅(qū)動,為此,本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片,選用高阻
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          V-MOS管測試

          利用氬氣改善p型GaN LED的性能

          • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN,那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者:Vla...
          • 關(guān)鍵字: GaN  LED    

          采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

          • 在當(dāng)今社會,DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發(fā)生的案例來說:英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
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          羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

          • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設(shè)備,與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計,由于最大限度地利用了SiC器件的特點,從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性,同時實現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  MOS  
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          gan mos driver介紹

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