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gan mos driver 文章進(jìn)入gan mos driver技術(shù)社區(qū)

舞臺功放MOS管改裝介紹

以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
關(guān)鍵字：介紹改裝 MOS 功放舞臺

“主流GaN”的發(fā)展和未來

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： GaN 恩智浦氮化鎵射頻功率晶體管

英飛凌推出抗輻射加固型MOS開關(guān)器件

英飛凌科技推出其首個專用于空間和航空應(yīng)用而設(shè)計(jì)的電源開關(guān)器件。全新BUY25CSXX系列抗輻射加固型(RH)功率MOS器件擁有出類拔萃的性能，可支持面向空間應(yīng)用的高能效電源調(diào)理和電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵字：英飛凌 MOS

科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺

科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
關(guān)鍵字：科銳放大器 GaN

舞臺功放MOS管改裝電路圖及方法

以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
關(guān)鍵字：電路圖方法改裝 MOS 功放舞臺

基于C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級TTL構(gòu)成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代，因?yàn)門TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng)，容易停振或
關(guān)鍵字： C-MOS 轉(zhuǎn)換器石英晶體振蕩電路

單顆LED大功率手電筒 AMC7135 LED Driver

這款單顆LED大功率手電筒是以單顆發(fā)光二極管(LED)作為光源的一種新型照明工具，它具有省電、耐用、亮度強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。可用于夜行、登山、野營、醫(yī)用、維修等。且使用效果很不錯。一、LED的選擇現(xiàn)在大功率LED的功率有1W、
關(guān)鍵字： LED Driver AMC7135 大功率單顆手電筒

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（一）

與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
關(guān)鍵字： SiC 功率元件 GaN 導(dǎo)通電阻

無比型動態(tài)MOS反相器

無比型動態(tài)MOS反相器
關(guān)鍵字：動態(tài) MOS 反相器

Linux下SANE Driver自動化測試工具的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

SANE（Scanner Access Now Easy）是一個應(yīng)用程序接口API（Application Programming Interface）[1]，提供了對光柵圖像掃描硬件的標(biāo)準(zhǔn)訪問[2]。Linux對掃描儀的支持就是通過SANE實(shí)現(xiàn)的。SANE標(biāo)準(zhǔn)中將實(shí)現(xiàn)SANE接口的驅(qū)
關(guān)鍵字： Driver Linux SANE 自動化

硅上GaN LED分析

硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響，一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監(jiān)測溫度和晶片曲率，制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
關(guān)鍵字： GaN LED 分析

采用C-MOS與非門的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動電路及工作原理分析

電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數(shù)10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導(dǎo)通時的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來光。電
關(guān)鍵字：電路工作原理分析驅(qū)動脈沖 C-MOS 與非門發(fā)光二極管

采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產(chǎn)品 ...
關(guān)鍵字： C-MOS 轉(zhuǎn)換器石英晶體振蕩電路

可設(shè)定10~100秒的長時間C-MOS定時電路及工作原理

電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路，R用高阻值，便可加長CR時間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無法驅(qū)動，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片，選用高阻
關(guān)鍵字：工作原理電路定時時間 C-MOS 設(shè)定

V-MOS管測試

關(guān)鍵字： V-MOS 管測試

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gan mos driver介紹

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gan mos driver電路

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