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gan mos driver 文章進入gan mos driver技術社區(qū)

利用氬氣改善p型GaN LED的性能

如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
關鍵字： GaN LED

采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

在當今社會，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發(fā)生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
關鍵字： GaN LED

羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時實現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
關鍵字：羅姆 SiC MOS

大功率LED關鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關鍵材料之...
關鍵字： LED GaN MOSFET

MOS場效應管逆變器自制

這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管。該變壓器的工作原理及制作過程：　　　　圖1　　工作原理　　一、方波的產(chǎn)生　　這里采用CD4069構成方波信號發(fā)生器。電路中R1是補償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而
關鍵字：自制逆變器效應 MOS

高性能、可高壓直接驅(qū)動MOS的LLC控制器—NCP1396A/B

NCP1396A/B為NCP1395的改進型。它包括一個最高500kHZ的壓控振蕩器，在必需懸浮驅(qū)動功能時齙控制模式有很大...
關鍵字：光耦可調(diào) 死區(qū)時間 MOS

硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
關鍵字： LED芯片硅襯底 GaN

硅襯底上GaN基LED的研制進展

Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
關鍵字： MOCVD GaN LED芯片

MOS管短溝道效應及其行為建模

1　引　言　　目前,實現(xiàn)微電路最常用的技術是使用MOS晶體管。隨著科學技術的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當MOS管的溝道長度小到一定值之后,出現(xiàn)的短溝道效應將對器件的特性
關鍵字：行為建模及其效應管短溝 MOS

一種S波段寬帶GaN放大器的設計

摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設計，設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
關鍵字： GaN S波段寬帶放大器

GaN基量子阱紅外探測器的設計

摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構的能帶結(jié)構進行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應，通過設計適當?shù)牧孔于褰Y(jié)構，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
關鍵字：設計探測器紅外量子 GaN

電源變壓器的MOS場效應管逆變器制作

這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管，普通電源變壓器構成。其輸出功率取決于MOS場效應管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
關鍵字：逆變器制作效應 MOS 變壓器電源

舞臺功放MOS管改裝方法

以ODL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
關鍵字：方法改裝 MOS 功放舞臺

基于MOS開關的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問題研究

摘要：本文研究了基于MOS固態(tài)開關的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問題，通過分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑，制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案，最終實現(xiàn)了重復頻率80kHz，4kV脈沖源，實驗驗證了電磁兼容措施的
關鍵字：電磁兼容問題研究脈沖高壓 MOS 開關高頻基于

MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS-FET與電子管OTL功放的制作
關鍵字： MOS-FET 電子管 OTL功放

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gan mos driver電路

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