<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>

<label id="pryje"></label>

UWB - 智能物聯(lián)的未來之星，你怎么看他？低功耗Wi-Fi解決方案在智能家居的應(yīng)用和發(fā)展結(jié)合超寬帶測距和雷達功能以實現(xiàn)高級IoT應(yīng)用來這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>>

我要投稿 | 手機版

首頁　資訊　商機　下載　拆解　高校　招聘　雜志　會展　 EETV　百科　問答　電路圖　工程師手冊　 Datasheet　 100例　活動中心　 E周刊閱讀　樣片申請

EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan mos driver

gan mos driver 文章進入gan mos driver技術(shù)社區(qū)

大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

超級半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
關(guān)鍵字： LED GaN MOSFET

MOS場效應(yīng)管逆變器自制

這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應(yīng)管。該變壓器的工作原理及制作過程：　　　　圖1　　工作原理　　一、方波的產(chǎn)生　　這里采用CD4069構(gòu)成方波信號發(fā)生器。電路中R1是補償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而
關(guān)鍵字：自制逆變器效應(yīng) MOS

高性能、可高壓直接驅(qū)動MOS的LLC控制器—NCP1396A/B

NCP1396A/B為NCP1395的改進型。它包括一個最高500kHZ的壓控振蕩器，在必需懸浮驅(qū)動功能時齙控制模式有很大...
關(guān)鍵字：光耦可調(diào) 死區(qū)時間 MOS

硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
關(guān)鍵字： LED芯片硅襯底 GaN

硅襯底上GaN基LED的研制進展

Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
關(guān)鍵字： MOCVD GaN LED芯片

MOS管短溝道效應(yīng)及其行為建模

1　引　言　　目前,實現(xiàn)微電路最常用的技術(shù)是使用MOS晶體管。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當MOS管的溝道長度小到一定值之后,出現(xiàn)的短溝道效應(yīng)將對器件的特性
關(guān)鍵字：行為建模及其效應(yīng) 管短溝 MOS

一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計

摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設(shè)計，設(shè)計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
關(guān)鍵字： GaN S波段寬帶放大器

GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計

摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計適當?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
關(guān)鍵字：設(shè)計探測器紅外量子 GaN

電源變壓器的MOS場效應(yīng)管逆變器制作

這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應(yīng)管，普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場效應(yīng)管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
關(guān)鍵字：逆變器制作效應(yīng) MOS 變壓器電源

舞臺功放MOS管改裝方法

以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
關(guān)鍵字：方法改裝 MOS 功放舞臺

基于MOS開關(guān)的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問題研究

摘要：本文研究了基于MOS固態(tài)開關(guān)的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問題，通過分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑，制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案，最終實現(xiàn)了重復(fù)頻率80kHz，4kV脈沖源，實驗驗證了電磁兼容措施的
關(guān)鍵字：電磁兼容問題研究脈沖高壓 MOS 開關(guān) 高頻基于

MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS-FET與電子管OTL功放的制作
關(guān)鍵字： MOS-FET 電子管 OTL功放

MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
關(guān)鍵字：功率放大器 MOS—FET

MOS—FET甲乙類功率放大器

MOS—FET甲乙類功率放大器
關(guān)鍵字： MOS—FET 甲乙類功率放大器

MOS管驅(qū)動電路綜述連載（三）

相對通用的電路電路圖如下：圖1用于NMOS的驅(qū)動電路圖2用于PMOS的驅(qū)動電路這里只針對NMOS...
關(guān)鍵字： MOS 驅(qū)動電路

共424條 26/29 |‹ « 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 »

gan mos driver介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan mos driver!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對gan mos driver的理解，并與今后在此搜索gan mos driver的朋友們分享。創(chuàng)建詞條

gan mos driver電路

三極管和MOS管工作狀態(tài)圖解+實例
MOS管推挽電路設(shè)計
介紹一種單MOS管的雙向電平轉(zhuǎn)換電路
如何用分立器件搭建BMS中采集模塊

gan mos driver相關(guān)帖子

MOS管設(shè)計防反接電路（收藏）
MOS管驅(qū)動電路有幾種，看完就明白了
MOS管驅(qū)動電路有幾種，看完就明白了
電機控制器中的MOS驅(qū)動
原廠代理AP30N15D永源微、電壓150V30A、N溝道增強型MOSFET、封裝TO-252-3L
深度講解三極管和MOS管下拉電阻的作用
MOS管驅(qū)動電路設(shè)計細節(jié)
電機控制器中的MOS驅(qū)動

gan mos driver資料下載

功率MOS管在汽車 BLDC與PMSM驅(qū)動器中的應(yīng)用
【電路設(shè)計】使用 MOS 管設(shè)計的 H橋電機驅(qū)動電路，元器件清單+原理
英飛凌EiceDRIVER柵極門極驅(qū)動選型指南.pdf
產(chǎn)品簡介英飛凌GaN EiceDRIVER? 系列.pdf
MOS管驅(qū)動電路總結(jié)
mos管并聯(lián)使用
MOS管符號
泰克 IsoVu 測量系統(tǒng)幫助松下半導(dǎo)體明顯縮短新型 GaN 器件的開發(fā)時間

gan mos driver專欄文章

熱門主題

樹莓派 linux

關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社版權(quán)所有北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473

看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();