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MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載（二）
- 現(xiàn)在的MOS驅(qū)動(dòng)，有幾個(gè)特別的應(yīng)用1、低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源，這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于...
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載（一）
- 在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
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MOSFET分析：選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
- 前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。...
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MOSEFT分析：理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
- 本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
- 關(guān)鍵字： mos/開關(guān)損耗
開關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路
- 對(duì)于一位開關(guān)電源工程師來說，在一對(duì)或多對(duì)相互對(duì)立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話題就是一對(duì)相互對(duì)立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最?。? 在討論前我們先做
- 關(guān)鍵字： 吸收 回路 RCD 管反峰 設(shè)計(jì) MOS 開關(guān)電源
一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 功率放大器 GaN 一種
Soft-start enhances LED driver
- To emulate the natural soft start of an incandescent bulb, this circuit makes use of the thermal-foldback protection built into an LED-driver IC (MAX16832). It thereby avoids the annoying and almost i
- 關(guān)鍵字： driver LED enhances Soft-start
MOS-FET開關(guān)電路
- MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關(guān)對(duì)應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
- 關(guān)鍵字： MOS-FET 開關(guān)電路
采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路
- 電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢(shì)，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級(jí)TTL構(gòu)成的時(shí)鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代，因?yàn)門TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng)，容易停振或
- 關(guān)鍵字： C-MOS 轉(zhuǎn)換器 石英晶體 振蕩電路
GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億
- 美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。 目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
- 關(guān)鍵字： GaN MOSFET
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