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MOS管驅(qū)動電路綜述連載（二）
- 現(xiàn)在的MOS驅(qū)動，有幾個特別的應(yīng)用1、低壓應(yīng)用當使用5V電源，這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于...
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MOS管驅(qū)動電路綜述連載（一）
- 在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
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MOSFET分析：選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
- 前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。...
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MOSEFT分析：理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
- 本文詳細分析計算開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
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一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設(shè)計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設(shè)計步驟并對放大器進行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結(jié)果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計 功率放大器 GaN 一種
Soft-start enhances LED driver
- To emulate the natural soft start of an incandescent bulb, this circuit makes use of the thermal-foldback protection built into an LED-driver IC (MAX16832). It thereby avoids the annoying and almost i
- 關(guān)鍵字： driver LED enhances Soft-start
MOS-FET開關(guān)電路
- MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個電路
- 關(guān)鍵字： MOS-FET 開關(guān)電路
采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路
- 電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進一步的充實。用2級TTL構(gòu)成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代，因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當，容易停振或
- 關(guān)鍵字： C-MOS 轉(zhuǎn)換器 石英晶體 振蕩電路
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