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          全球有多少個8英寸碳化硅晶圓廠？
          
                                                            
            
                    	
          • 全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
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          • 關鍵字：
                        SiC                          
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          利用SiC模塊進行電動壓縮機設計要點
          
                                                            
            
                    	
          • 壓縮機是汽車空調的一部分，它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經(jīng)冷凝器，節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱，實現(xiàn)車內外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動機為動力，通過皮帶帶動壓縮機轉動。而新能源汽車脫離了發(fā)動機，以電池為動力，通過逆變電路驅動無刷直流電機，從而帶動壓縮機轉動，實現(xiàn)空調的冷熱交換功能。電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件，除了可以提高車廂內的環(huán)境舒適度（制冷，制熱）以外，對電驅動系統(tǒng)的溫度控制發(fā)揮著重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續(xù)航里程都至關重要。圖1.電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件電動壓縮機需
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          • 關鍵字：
                        壓縮機  汽車空調  SiC                          
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          三相集成GaN技術如何更大限度地提高電機驅動器的性能
          
                                                            
            
                    	
          • 在應對消費類電器、樓宇暖通空調(HVAC)系統(tǒng)和工業(yè)驅動裝置的能耗挑戰(zhàn)中，業(yè)界積極響應，通過實施諸如季節(jié)性能效比(SEER)、最低能效標準(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等項目推進建立系統(tǒng)能效評級體系。變頻驅動器(VFD) 可為加熱和冷卻系統(tǒng)提供出色的系統(tǒng)效率，特別是在這些系統(tǒng)具有范圍非常寬的精確速度控制的情況下。VFD使用逆變器控制電機轉速，并進行高頻脈寬調制(PWM)開關，可獲得真正的可變速度控制。雖然這些逆變器目前是使用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效
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          • 關鍵字：
                        202409  三相集成GaN  電機驅動器  GaN                          
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          意法半導體第四代碳化硅功率技術問世！為下一代電動汽車電驅逆變器量身定制
          
                                                            
            
                    	
          • 意法半導體（簡稱ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導體還針對電動汽車電驅系統(tǒng)的關鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術。公司計劃在2027年前推出更多先進的SiC技術創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術，推動電動汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
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          • 關鍵字：
                        STPOWER  SiC  MOSFET                          
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          東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設備實現(xiàn)高效率
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關電源等工業(yè)設備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進型結勢壘肖特基（JBS）結構[1]。在結勢壘中使用新型金屬，有
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          • 關鍵字：
                        東芝  SiC  肖特基勢壘二極管  工業(yè)電源                          
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          第4講：SiC的物理特性
          
                                                            
            
                    	
          • 與Si材料相比，SiC半導體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度，可實現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外，由
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          • 關鍵字：
                        三菱電機  SiC                          
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          第5講：SiC的晶體缺陷
          
                                                            
            
                    	
          • SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯（SF）、以及刃位錯（TED）、螺旋位錯（TSD）、基面位錯（BPD）和這些復合體的混合位錯。就密度而言，最近質量相對較好的SiC晶體中，微管是1?10個/cm2，位錯的密度約為103～10?長達個/cm2。至今，與Si相
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          • 關鍵字：
                        三菱電機  SiC                          
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          6.6 kW車載電動汽車充電器設計
          
                                                            
            
                    	
          • 我們采用單全橋LLC拓撲結構，以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390（U60）是一種電流模式高級LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設備。如果您在網(wǎng)站上找不到該設備，可以參考FAN7688的說明。有關該零件的更多詳細信息，請參閱數(shù)據(jù)表和應用說明。由于輸出電壓高（250?450
 
Vdc），同步整流器對整流器的幫助不大傳導損失。因此，我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅動器。
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          • 關鍵字：
                        車載電動汽車充電器  NVHL060N090SC1  SiC                           
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          羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應用于吉利集團電動汽車品牌“極氪”3種主力車型
          
                                                            
            
                    	
          • 8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項公開賽新聞發(fā)布會成功召開。發(fā)布會上，賽事組委會發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開賽標志、賽事獎牌等相關內容。武漢市體育局黨組成員、副局長洪旭艷，江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長梁爽出席此次發(fā)布會；武漢市社會體育指導中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息；江夏區(qū)文化和旅游局（體育局）局長繆璐進行江夏區(qū)文旅推介，向社會各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
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          • 關鍵字：
                        羅姆  SiC MOSFET  極氪                          
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          新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期
          
                                                            
            
                    	
          • 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 
功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關工作進度均受到一定程度的影響，無法在計劃時間內完成。據(jù)悉，此次延期項目屬新潔能二廠區(qū)擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項目延期僅涉及項目進度的
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          • 關鍵字：
                        新潔能  SiC  GaN  功率器件  封測                          
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          CAGR達49%，2030全球GaN功率元件市場規(guī)?；蛏?3.76億美元
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power 
Device市場分析》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅動等場景為核心。AI應用普及，GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術的演進，帶動算力需求持續(xù)攀升，C
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          • 關鍵字：
                        CAGR  GaN  功率元件                          
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          TrendForce：預計2030年全球GaN功率元件市場規(guī)模上升至43.76億美元
          
                                                            
            
                    	
          • 8月15日消息，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。報告顯示，非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅動等場景為核心。
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                        英飛凌  德州儀器  GaN  功率元件                          
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          TrendForce：預計 2030 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模 43.76 億美元，復合年均增長率達 49%
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器等對 GaN（氮化鎵）技術傾注更多資源，功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模約 2.71 億美元（IT之家備注：當前約 19.39 億元人民幣），到 2030 年有望上升至 43.76 億美元（當前約 313.14 億元人民幣），CAGR（復合年均增長率）達 49%。據(jù)介紹，消費電子是功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
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                        功率器件  GaN                          
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          羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會
          
                                                            
            
                    	
          • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業(yè)設備和汽車領域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
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                        羅姆  SiC  氮化鎵  GaN                          
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          第三代半導體，距離頂流差了什么
          
                                                            
            
                    	
          • 潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過去了一年，這個市場非但沒有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發(fā)展備受關注：Yole 數(shù)據(jù)顯示，2026 年 GaN 市場規(guī)模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場規(guī)模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算，第三代半導體優(yōu)勢已經(jīng)被講的翻來覆去了，市場的反饋是最真實和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛？新能源是第三代半導體應用的重要驅動力。新能源車的最大
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                        GaN  SiC                          
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