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意法半導(dǎo)體與吉利汽車簽署SiC長期供應(yīng)協(xié)議

6月4日，意法半導(dǎo)體（ST）與吉利汽車集團(tuán)宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉(zhuǎn)型。此外，吉利和ST還在多個汽車應(yīng)用領(lǐng)域的長期合作基礎(chǔ)上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構(gòu)（如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng)）、高級駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案。據(jù)數(shù)據(jù)顯
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吉利汽車與ST簽署SiC長期供應(yīng)協(xié)議，深化新能源汽車轉(zhuǎn)型；成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，推動雙方創(chuàng)新合作

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡稱ST）與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(tuán)宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉(zhuǎn)型。此外，吉利和ST還在多個汽車應(yīng)用領(lǐng)域的長期合作基礎(chǔ)上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構(gòu)（如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng)）、
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CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過充分驗(yàn)證的 DFN 封裝，堅(jiān)固可靠。DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10 mm，并采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù)，便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運(yùn)行，
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構(gòu)建新型能源體系，充電樁市場將迎來高增長

能源是人類生存和發(fā)展的重要物質(zhì)基礎(chǔ)，能源轉(zhuǎn)型則是當(dāng)今國際社會關(guān)注的焦點(diǎn)問題，隨著全球?qū)Νh(huán)境保護(hù)意識的增強(qiáng)和能源危機(jī)的擔(dān)憂，新能源市場的需求正在快速增長。　　當(dāng)前全球汽車產(chǎn)業(yè)電動化正在深度推進(jìn)，在新能源革命浪潮下，新能源汽車產(chǎn)業(yè)成為各國重點(diǎn)發(fā)力方向。隨著新能源汽車技術(shù)的日趨成熟，充電基礎(chǔ)設(shè)施快速發(fā)展。近年來，我國已建成世界上數(shù)量最多、服務(wù)范圍最廣、品種類型最全的充電基礎(chǔ)設(shè)施體系。目前按照1公樁=3個私樁的測算，中國2023年增量市場的純電動車的車樁比已經(jīng)1：1，領(lǐng)先世界其它國家數(shù)倍
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CGD與中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）簽署了諒解備忘錄，以鞏固為USB-PD適配器開發(fā)高性能GaN解決方案的合作伙伴關(guān)系、并共享市場信息、實(shí)現(xiàn)對潛在客戶的聯(lián)合訪問和推廣。Andrea Bricconi | CGD 首席商務(wù)官“我們很高興能與ITRI合作，ITRI擁有一個電力解決方案研究團(tuán)隊(duì)，在開發(fā)電力解決方案方面有著非常豐富的經(jīng)驗(yàn)
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如何增強(qiáng) SiC 功率器件的性能與可靠性？垂直整合是關(guān)鍵！

電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導(dǎo)體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強(qiáng)勁。事實(shí)上，至少在本世紀(jì)下半葉之前，SiC功率器件可能會供不應(yīng)求。而隨著 SiC 襯底應(yīng)用于 SiC 功率器件，襯底質(zhì)量和制造技術(shù)方面取得了哪些進(jìn)步，以提高器件性能、減少缺陷并增強(qiáng)可靠性？為了優(yōu)化未來 SiC 功率器件的襯底特性，還需要哪些改進(jìn)和發(fā)展？SiC的可靠性挑戰(zhàn)SiC 是硅和碳的化合物，與硅相比有許多優(yōu)點(diǎn)。SiC 芯片可以在更高溫度下運(yùn)行，并能有效處理更高電壓，從而增強(qiáng)電動汽車的功率密度
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第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動方案

第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET：聚焦高效驅(qū)動方案相比傳統(tǒng)的硅MOSFET，SiC MOSFET可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。新能源、電動汽車、工業(yè)自動化等領(lǐng)域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅(qū)動方案備受關(guān)注。然而，SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性，也意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅(qū)動方案展開了解，其中包括驅(qū)動過電流、過電壓保護(hù)以及如何為SiC MOSFET選擇合
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝

Nexperia近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴(kuò)展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿足市場對采用D2
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用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動器

Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨(dú)立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時序，同時將開關(guān)損耗降至最低。內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負(fù)柵極驅(qū)動偏置，以實(shí)現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。該驅(qū)動器
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多款車型相繼發(fā)布，SiC技術(shù)加速“上車”

SiC技術(shù)似乎已成為蔚來旗下新車型標(biāo)配。蔚來在去年12月發(fā)布的行政旗艦車型ET9，搭載了蔚來自研自產(chǎn)的1200V SiC功率模塊，以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包，單顆電芯能量密度高達(dá)292Wh/kg，充電效率達(dá)到5C，呈現(xiàn)出來的效果就是充電5分鐘，續(xù)航255公里。近日，蔚來旗下又一款搭載SiC技術(shù)的車型正式發(fā)布，這便是其全新品牌樂道的首款車型L60。據(jù)悉，樂道全域采用900V高壓架構(gòu)，包括電驅(qū)系統(tǒng)、熱泵空調(diào)、輔助加熱器（PTC）、車載充電機(jī)（OBC）、直流電壓變換器（DC-DC）均為900
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英飛凌為小米新款SU7智能電動汽車供應(yīng)一系列產(chǎn)品

Source:Getty Images/Natee Meepian英飛凌科技在5月6日發(fā)布的一篇新聞稿中表示，將為小米最近發(fā)布的SU7電動汽車供應(yīng)碳化硅（SiC）功率模塊HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片產(chǎn)品直至2027年。英飛凌CoolSiC功率模塊支持更高的工作溫度。例如，基于該技術(shù)的牽引逆變器可以進(jìn)一步增加電動汽車的續(xù)航里程。英飛凌為小米SU7 Max車型提供兩顆HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模塊。此外，英飛凌還為小米電動汽車供應(yīng)了一系
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中宜創(chuàng)芯SiC粉體500噸生產(chǎn)線達(dá)產(chǎn)

近日，河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司（以下簡稱“中宜創(chuàng)芯”）SiC半導(dǎo)體粉體500噸生產(chǎn)線成功達(dá)產(chǎn)，產(chǎn)品純度最高達(dá)到99.99999%，已在國內(nèi)二十多家企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)開展試用和驗(yàn)證。資料顯示，中宜創(chuàng)芯成立于2023年5月24日，由中國平煤神馬控股集團(tuán)和平頂山發(fā)展投資集團(tuán)共同出資設(shè)立，總投資20億元，分期建設(shè)年產(chǎn)2000噸碳化硅半導(dǎo)體粉體生產(chǎn)線。項(xiàng)目一期總投資6億元，年產(chǎn)能500噸，占地12000平方米，2023年6月20日開工建設(shè)，9月20日項(xiàng)目建成并試生產(chǎn)，9月30日首批產(chǎn)品出爐。預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值5億元，據(jù)悉
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Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達(dá)成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項(xiàng)交易預(yù)計(jì)將于2024年7月完成，屆時Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門。此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術(shù)的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應(yīng)用于該公司的眾多產(chǎn)品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
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英飛凌：將為小米電動汽車提供先進(jìn)的功率芯片

德國頂級芯片制造商熱衷于挖掘中國對特種半導(dǎo)體的需求。
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2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達(dá)91.7億美元

TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報(bào)告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到SiC供應(yīng)鏈，但作為未來電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預(yù)估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個備受矚目的BEV品牌，近期均報(bào)告了令人失望的銷售數(shù)據(jù)，其中Tesla在1
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