EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
gan+sic
gan+sic 文章 進(jìn)入gan+sic技術(shù)社區(qū)
Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件
- 近日,Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵(GaN)器件(SiP),與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起,組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號(hào)分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了偉詮電子的高頻多模(準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān))反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件(WT7162RHUG24A)相同,兩
- 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體 氮化鎵 GaN
雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響探究
- IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感(DC?Link loop inductance)和柵極環(huán)路電感(Gate loop inductance)對(duì)VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響,本文為第一部分,將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測(cè)試設(shè)置雙脈沖測(cè)試 (Double Pulse Test ,DPT) 采用不同的設(shè)置來(lái)分析SiC和IGBT模塊的開關(guān)特性
- 關(guān)鍵字: 雜散電感 SiC IGBT 開關(guān)特性
柵極環(huán)路電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響分析
- IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感(DC?Link loop inductance)和柵極環(huán)路電感(Gate loop inductance)對(duì)VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響,本文為第二部分,將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。(點(diǎn)擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析)測(cè)試設(shè)置雙脈沖測(cè)試 (Double Pulse Test ,DPT) 采用不同的設(shè)置來(lái)分析S
- 關(guān)鍵字: IGBT SiC 開關(guān)特性
Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)對(duì)比
- 在之前一篇題為《功率電子器件從硅(Si)到碳化硅(SiC)的過(guò)渡》的博文中,我們探討了碳化硅(SiC)如何成為功率電子市場(chǎng)一項(xiàng)“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示,與硅(Si)材料相比,SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢(shì),因此我們不難理解為何它已成為電動(dòng)汽車(EV)、數(shù)據(jù)中心和太陽(yáng)能/可再生能源等許多應(yīng)用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對(duì)比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝,來(lái)開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣
- 關(guān)鍵字: Qorvo SiC MOSFET
GaN FET讓您實(shí)現(xiàn)高性能D類音頻放大器
- D類音頻放大器參考設(shè)計(jì)(EPC9192)讓模塊化設(shè)計(jì)具有高功率和高效,從而可實(shí)現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計(jì)。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器,于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設(shè)計(jì)中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢(shì),在4Ω負(fù)載時(shí),每聲道輸出功率達(dá)700 W。EPC9192是可擴(kuò)展的模塊化設(shè)計(jì),其主板配有兩個(gè)PWM調(diào)制器和兩個(gè)半橋功率級(jí)子板,實(shí)現(xiàn)具備輔助管理電源和保護(hù)功能的雙通道放大器。這種設(shè)計(jì)的靈活性高,使
- 關(guān)鍵字: GaN FET D類音頻放大器
全面升級(jí)!安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析
- 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關(guān)。M3S 系列專注于提高開關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,如太陽(yáng)能逆變器、ESS、UPS 和電動(dòng)汽車充電樁等。幫助開發(fā)者提高開關(guān)頻率和系統(tǒng)效率。本應(yīng)用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性,與第一代相比的顯著性能提升,以及一些實(shí)用設(shè)計(jì)技巧。本文為第一部分,將重點(diǎn)介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 SiC MOSFET
SiC邁入8英寸時(shí)代,國(guó)際大廠量產(chǎn)前夕國(guó)內(nèi)廠商風(fēng)口狂追
- 近日,包括Wolfspeed、韓國(guó)釜山政府、科友等在第三代半導(dǎo)體SiC/GaN上出現(xiàn)新進(jìn)展。從國(guó)內(nèi)外第三代化合物進(jìn)展看,目前在碳化硅領(lǐng)域,國(guó)際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕,國(guó)產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力,產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟,下文將進(jìn)一步說(shuō)明最新情況。SiC/GaN 3個(gè)項(xiàng)目最新動(dòng)態(tài)公布Wolfspeed德國(guó)8英寸SiC工廠或?qū)⒀舆t至明年建設(shè)近日,據(jù)外媒消息,Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設(shè)的德國(guó)8英寸SiC晶圓廠建設(shè)計(jì)劃或被推遲,最早將于2025年開始。據(jù)悉,該工廠由Wolfsp
- 關(guān)鍵字: SiC 8英寸
氮化鎵器件讓您實(shí)現(xiàn)具成本效益的電動(dòng)自行車、無(wú)人機(jī)和機(jī)器人
- 基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)(EPC9193)讓您實(shí)現(xiàn)具有更高性能的電機(jī)系統(tǒng),其續(xù)航里程更長(zhǎng)、精度更高、扭矩更大,而且同時(shí)降低了系統(tǒng)的總成本。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)近日宣布推出EPC9193,它是使用EPC2619 eGaN?FET的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器,具有14V~65V的寬輸入直流電壓范圍和兩種配置,分別為標(biāo)準(zhǔn)和高電流版本:●? ?EPC9193 是標(biāo)準(zhǔn)參考設(shè)計(jì),在每個(gè)開關(guān)位置使用單個(gè)FET,可提供高達(dá)30ARMS 的最大輸出電流?!? ?EPC91
- 關(guān)鍵字: 氮化鎵器件 電動(dòng)自行車 無(wú)人機(jī) 機(jī)器人 EPC GaN 宜普
GaN引領(lǐng)未來(lái)寬帶功率放大器——Qorvo TGA2962
- Qorvo是一家在射頻解決方案領(lǐng)域具有顯著影響力的美國(guó)公司。它通過(guò)提供創(chuàng)新的射頻技術(shù),為移動(dòng)、基礎(chǔ)設(shè)施與國(guó)防/航空航天市場(chǎng)提供核心技術(shù)及解決方案,致力于實(shí)現(xiàn)全球互聯(lián)。Qorvo在射頻前端模塊、濾波器、功率放大器、開關(guān)、調(diào)諧器等領(lǐng)域都展現(xiàn)出了強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)地位。它是全球主要的功頻放大器供貨商,其產(chǎn)品在市場(chǎng)上具有較高的認(rèn)可度和廣泛的應(yīng)用。這使得Qorvo在推動(dòng)5G網(wǎng)絡(luò)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用市場(chǎng)的發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。在Qorvo所擅長(zhǎng)的寬帶功率放大器領(lǐng)域之中,GaN材料展露出了重要的應(yīng)用潛力。由于
- 關(guān)鍵字: Qorvo GaN 寬帶功率放大器
Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程封頂
- 3月28日消息,當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月26日,Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解,該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣,總投資50億美元(約合人民幣356億元),占地面積445英畝,主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前,該工廠已有一些長(zhǎng)晶爐設(shè)備進(jìn)場(chǎng),預(yù)計(jì)2024年底將完成一期工程建設(shè),2025年上半年開始生產(chǎn),預(yù)計(jì)竣工達(dá)產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴(kuò)大10倍。近期,Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協(xié)議,查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持,同
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞薩 英飛凌
近年來(lái)對(duì)碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增
- 隨著近年來(lái)對(duì)碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增,市場(chǎng)研究公司TrendForce表示,對(duì)于SiC的成本降低呼聲越來(lái)越高,因?yàn)樽罱K產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個(gè)成本結(jié)構(gòu)的比例最高,約占50%。因此,襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢(shì),大尺寸襯底逐漸開始被采用,市場(chǎng)對(duì)其寄予了很高的期望。中國(guó)SiC襯底制造商天科藍(lán)半導(dǎo)體計(jì)算,從4英寸升級(jí)到6英寸可以使單位成本降低50%,從6英寸升級(jí)到8英寸可以再次降低35%。與此同時(shí),8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片,從而減少邊緣浪
- 關(guān)鍵字: SiC 碳化硅
如何通過(guò)SiC增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)?
- 電池可以用來(lái)儲(chǔ)存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量,這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí),就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案,可作為硅MOSFET或IGBT開關(guān)的替代方案,改善BESS的性能。圖1:BESS 實(shí)施概覽BESS 的優(yōu)勢(shì)最常用的儲(chǔ)能方法有四種,分別是電化學(xué)儲(chǔ)能、化學(xué)儲(chǔ)能、熱儲(chǔ)能和機(jī)械儲(chǔ)能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng),具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)
- 關(guān)鍵字: 安森美 SiC 電池儲(chǔ)能
SiC是如何「拯救」降價(jià)車企的?
- 進(jìn)入 2024 年,10 多家車企紛紛宣布降價(jià)。車企給供應(yīng)商的降價(jià)壓力更大,普遍要求降價(jià) 20%,過(guò)去一般是每年降 3%-5%。有觀點(diǎn)認(rèn)為,車市降價(jià)是由于新技術(shù)帶來(lái)的成本下降,但從大背景來(lái)看,2 月銷量下滑,或是更多企業(yè)加入價(jià)格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個(gè)角度來(lái)看,成本的下降確實(shí)會(huì)緩解降價(jià)的壓力,SiC(碳化硅)會(huì)不會(huì)是出路呢?降價(jià)風(fēng)波始末2 月 19 日,可以說(shuō)是一切的開始。降價(jià)潮是由比亞迪掀起的,從 2 月 19 日到 3 月 6 日,在春節(jié)假期結(jié)束后的 17 天里,比亞迪密集推出了 13 款主力車型的
- 關(guān)鍵字: SiC
納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展,最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來(lái)
- 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展,邀請(qǐng)觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造,象征著全電氣化未來(lái)的“納微芯球”展臺(tái)。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案,包括:●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
- 關(guān)鍵字: 納微半導(dǎo)體 亞洲充電展 GaN+SiC 快充
gan+sic介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條gan+sic!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)gan+sic的理解,并與今后在此搜索gan+sic的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)gan+sic的理解,并與今后在此搜索gan+sic的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473