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悉智科技首顆DCM封裝8并SiC產(chǎn)品量產(chǎn)下線

7月22日，蘇州悉智科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“悉智科技”）宣布，其首批車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊量產(chǎn)產(chǎn)品正式下線投產(chǎn)。悉智科技表示，此次下線的首批量產(chǎn)模塊，是悉智科技自研的高端電驅(qū)SiC塑封功率模塊產(chǎn)品。在SiC DCM塑封功率模塊的定制化開(kāi)發(fā)上，悉智科技取得了顯著進(jìn)展，目前該產(chǎn)品已獲取到客戶(hù)的量產(chǎn)訂單，并會(huì)在今年四季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。資料顯示，悉智科技自2022年1月1日正式運(yùn)營(yíng)以來(lái)，始終專(zhuān)注于車(chē)規(guī)級(jí)功率與電源模塊的研發(fā)與生產(chǎn)，致力于為智能電動(dòng)汽車(chē)、光儲(chǔ)新能源等客戶(hù)提供深度定制化的解決方案。目前，該公司已在蘇州建成具
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電動(dòng)汽車(chē)和光伏逆變器的下一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)

圖1 半導(dǎo)體對(duì)許多新興綠色科技至關(guān)重要毋庸置疑，從社會(huì)發(fā)展的角度，我們必須轉(zhuǎn)向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個(gè)不幸的事實(shí)是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術(shù)的轉(zhuǎn)變也帶來(lái)了一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。無(wú)論是生產(chǎn)要跟上快速擴(kuò)張的市場(chǎng)步伐，還是新解決方案努力達(dá)到現(xiàn)有系統(tǒng)產(chǎn)出水平，如果我們要讓化石燃料成為過(guò)去，這些難題都必須被克服。對(duì)于電動(dòng)汽車(chē)（EV）和太陽(yáng)能電池板等應(yīng)用，工程師面臨著更多的挑戰(zhàn)，因?yàn)槊舾械碾娮釉仨氃趷毫拥沫h(huán)境中持續(xù)可靠地運(yùn)
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英飛凌加速氮化鎵布局，引領(lǐng)低碳高效新紀(jì)元

近年來(lái)，隨著科技的不斷進(jìn)步和全球?qū)G色低碳發(fā)展的需求日益增長(zhǎng)，半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導(dǎo)體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域持續(xù)深耕，通過(guò)戰(zhàn)略布局、技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)應(yīng)用拓展等不斷鞏固其市場(chǎng)地位。近日，英飛凌在上海慕尼黑展會(huì)期間舉辦了一場(chǎng)專(zhuān)門(mén)的氮化鎵新品媒體溝通會(huì)，會(huì)上英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)市場(chǎng)總監(jiān)程文濤先生以及英飛凌科技
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氮化鎵為何被如此看好，能否替代硅基材料大放異彩？

氮化鎵材料相較于硅基材料，顯著優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在節(jié)能、成本節(jié)約及材料省用上。其核心亮點(diǎn)在于其超快的開(kāi)關(guān)速度，在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨(dú)占鰲頭。這一特性直接促進(jìn)了開(kāi)關(guān)頻率的大幅提升，進(jìn)而允許大幅縮減被動(dòng)元器件及散熱器的尺寸與數(shù)量，有效降低了物料消耗，彰顯了氮化鎵在物料節(jié)省方面的卓越能力。此外，在效率層面，氮化鎵與碳化硅并駕齊驅(qū)，通過(guò)實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通阻抗（即單位面積上可達(dá)到的最小電阻），相較于硅材料實(shí)現(xiàn)了數(shù)量級(jí)的優(yōu)化。這種高效的導(dǎo)電性能，是氮化鎵提升系統(tǒng)效率的關(guān)鍵所在。綜合上述兩方面優(yōu)勢(shì)，氮化鎵的應(yīng)用不僅促進(jìn)了系統(tǒng)性
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碳化硅模塊在太陽(yáng)能逆變器中的應(yīng)用

碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC FET)接近于理想的開(kāi)關(guān)，具有低損耗、寬帶隙技術(shù)和易于集成設(shè)計(jì)等優(yōu)勢(shì)。Qorvo的SiC FET技術(shù)如今以高效模塊化產(chǎn)品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產(chǎn)品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用的理想之選。
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氮化鎵（GaN）的最新技術(shù)進(jìn)展

本文要點(diǎn)? 氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。? 氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。? 氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導(dǎo)體，徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動(dòng)設(shè)備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經(jīng)常用于一些轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。通過(guò)氮化鎵材料的電流比通過(guò)硅半導(dǎo)體的電流速度更快，因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術(shù)如何顛覆整個(gè)行業(yè)。氮化
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Guerrilla RF宣布收購(gòu)Gallium GaN技術(shù)

近期，Guerrilla RF宣布收購(gòu)了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示，通過(guò)此次收購(gòu)，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現(xiàn)有的元件、正在開(kāi)發(fā)的新內(nèi)核以及相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。公司將為無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、軍事和衛(wèi)星通信應(yīng)用開(kāi)發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線并實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷(xiāo)商Telcom International的一位員工表示，公司計(jì)劃向韓國(guó)市場(chǎng)供應(yīng)Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
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純晶圓代工廠格芯收獲一家GaN研發(fā)商

7月1日，純晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布已收購(gòu)Tagore專(zhuān)有且經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗(yàn)證的功率氮化鎵（GaN）技術(shù)及IP產(chǎn)品組合，以突破汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心等廣泛電源應(yīng)用的效率和性能界限。資料顯示，無(wú)晶圓廠公司Tagore成立于2011年1月，旨在開(kāi)拓用于射頻和電源管理應(yīng)用的GaN-on-Si半導(dǎo)體技術(shù)，在美國(guó)伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設(shè)有設(shè)計(jì)中心。格芯表示，此次收購(gòu)進(jìn)一步鞏固公司對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)GaN技術(shù)的決心，該技術(shù)提供多種優(yōu)勢(shì)，可幫助數(shù)據(jù)中心滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的電力需求，
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瞻芯電子：第三代SiC MOSFET通過(guò)車(chē)規(guī)認(rèn)證

6月23日，瞻芯電子宣布，公司基于第三代工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試認(rèn)證。同時(shí)，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)正式量產(chǎn)，后續(xù)將依托浙江義烏的車(chē)規(guī)級(jí)SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。瞻芯電子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，致力于開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品。瞻芯電子表示，第三代1200V 13
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臺(tái)達(dá)電子與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，瞄準(zhǔn)GaN

6月21日，臺(tái)達(dá)電子宣布與全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商德州儀器（TI）成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。臺(tái)達(dá)表示，此舉不僅深化雙方長(zhǎng)期合作關(guān)系，亦可憑借TI在數(shù)字控制及氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗(yàn)及創(chuàng)新技術(shù)，強(qiáng)化新一代電動(dòng)車(chē)電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢(shì)，增強(qiáng)臺(tái)達(dá)在電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力。臺(tái)達(dá)交通事業(yè)范疇執(zhí)行副總裁及電動(dòng)車(chē)方案事業(yè)群總經(jīng)理唐修平表示：“透過(guò)與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，運(yùn)用TI在數(shù)位控制及GaN領(lǐng)域豐富經(jīng)驗(yàn)與技術(shù)優(yōu)勢(shì)，提升電動(dòng)車(chē)電源系統(tǒng)的功率密度和效能，期盼雙方達(dá)到更緊密的技術(shù)交流及合作，以更具前瞻
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2023年SiC功率元件營(yíng)收排名，ST以32.6%市占率穩(wěn)居第一

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下保持強(qiáng)勁成長(zhǎng)，前五大SiC功率元件供應(yīng)商約占整體營(yíng)收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先，onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨詢(xún)分析，2024年來(lái)自AI服務(wù)器等領(lǐng)域的需求則顯著大增，然而，純電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量成長(zhǎng)速度的明顯放緩和工業(yè)需求走弱正在影響SiC供應(yīng)鏈，預(yù)計(jì)2024年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年成長(zhǎng)幅度將較過(guò)去幾年顯著收斂。作為關(guān)鍵的車(chē)用SiC MOSFE
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碳化硅的新爆發(fā)

隨著全球?qū)τ陔妱?dòng)汽車(chē)接納程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未來(lái)十年將會(huì)迎來(lái)全新的增長(zhǎng)契機(jī)。預(yù)計(jì)將來(lái)，功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)商與汽車(chē)行業(yè)的運(yùn)作方會(huì)更踴躍地參與到這一領(lǐng)域的價(jià)值鏈建設(shè)里。SiC 作為第三代半導(dǎo)體以其優(yōu)越的性能，在今年再次掀起風(fēng)潮。6 英寸到 8 英寸的過(guò)渡推動(dòng)由于截至 2024 年開(kāi)放 SiC 晶圓市場(chǎng)缺乏批量出貨，因此 8 英寸 SiC 平臺(tái)被認(rèn)為具有戰(zhàn)略性意義。SiC 具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度和高遷移率等特點(diǎn)，是良好的半導(dǎo)體材料，目前已經(jīng)在汽車(chē)電子、工業(yè)半導(dǎo)體等領(lǐng)域有
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純電車(chē)需求放緩 SiC功率組件業(yè)年?duì)I收動(dòng)能降溫

在純電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下，根據(jù)TrendForce研究顯示，2023年全球SiC功率組件產(chǎn)業(yè)保持強(qiáng)勁成長(zhǎng)，但2024年純電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量成長(zhǎng)速度的明顯放緩與工業(yè)需求走弱，預(yù)估今年全球SiC功率組件產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年成長(zhǎng)幅度將較過(guò)去幾年顯著收斂。根據(jù)TrendForce研究顯示，2023年全球前5大SiC功率組件供貨商約占整體營(yíng)收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先，onsemi則是由2022年的第4名上升至第2名。 TrendForce表示，作為關(guān)鍵的車(chē)用SiC MOSFET供貨商，ST正在意大利卡塔尼亞打
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GaN“上車(chē)”進(jìn)程加速，車(chē)用功率器件市場(chǎng)格局將改寫(xiě)

根據(jù)Yole機(jī)構(gòu)2024 Q1的預(yù)測(cè)，氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)2023至2029年平均復(fù)合年增長(zhǎng) (CAGR) 將高于45%，其中表現(xiàn)最為搶眼的是汽車(chē)與出行市場(chǎng)（automotive & mobility），“從無(wú)到有”，五年后即有望占據(jù)三分之一的GaN應(yīng)用市場(chǎng)（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應(yīng)用市場(chǎng)成長(zhǎng)則顯得比較溫和，CAGR遠(yuǎn)低于GaN（圖1）。隨著GaN“上車(chē)”進(jìn)程加速，功率器件器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局或?qū)⒈桓膶?xiě)。圖1：在GaN市場(chǎng)份額變化中，汽車(chē)與出行市場(chǎng) “從無(wú)到有”，五年后
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一文了解SiC MOS的應(yīng)用

作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開(kāi)關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對(duì)熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對(duì)比一、行業(yè)典型應(yīng)用碳化硅MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī)、新能源汽車(chē)空調(diào)、新能
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