high-na euv 文章 進(jìn)入high-na euv技術(shù)社區(qū)
可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機(jī)：死胡同不遠(yuǎn)了
- 6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機(jī)，同時(shí)正在研究更強(qiáng)大的Hyper NA EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)可將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機(jī)孔徑數(shù)值只有0.33，對應(yīng)產(chǎn)品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來的4000F、4200G、4X00。該系列預(yù)計(jì)到2025年可以量產(chǎn)2nm，再往后就得加入多重曝光，預(yù)計(jì)到2027年能實(shí)現(xiàn)1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機(jī)升級到了
- 關(guān)鍵字： ASML 光刻機(jī) 高NA EUV 0.2nm
ASML：EUV光刻機(jī)已近極限 追趕技術(shù)還是另辟蹊徑？
- ASML首席財(cái)務(wù)官達(dá)森（Roger Dassen）表示，EUV技術(shù)路線發(fā)展受歐美限制，且光刻機(jī)已接近技術(shù)極限，此一技術(shù)路線前景不明。積極尋求突破的中國廠商是持續(xù)投入資源突破現(xiàn)有限制進(jìn)行技術(shù)跟隨？還是將資源另辟蹊徑尋找新的技術(shù)路徑？將面臨艱難的抉擇。 據(jù)《芯智訊》報(bào)導(dǎo)，臺積電已經(jīng)訂購了High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光）光刻機(jī)，ASML與臺積電的商業(yè)談判即將結(jié)束，預(yù)計(jì)在第2季度或第3季度開始獲得大量 2nm芯片制造相關(guān)設(shè)備訂單。ASML預(yù)測其設(shè)備的市場需求有望一路走強(qiáng)至2026年，這主要是受益于各國
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臺積電今年將拿到最新款光刻機(jī)
- 6月6日消息，據(jù)外媒報(bào)道稱，ASML將在今年向臺積電交付旗下最先進(jìn)的光刻機(jī)，單臺造價(jià)達(dá)3.8億美元。報(bào)道中提到，ASML首席財(cái)務(wù)官Roger Dassen在最近的一次電話會議上告訴分析師，公司兩大客戶臺積電和英特爾將在今年年底前獲得所謂的高數(shù)值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統(tǒng)。英特爾此前已經(jīng)訂購了最新的高NA EUV設(shè)備，第一臺設(shè)備已于12月底運(yùn)往俄勒岡州的一家工廠。目前尚不清楚ASML最大的EUV客戶臺積電何時(shí)會收到設(shè)備。據(jù)悉，這些機(jī)器每臺造價(jià)3.5億歐元（3.8億美元），重量相當(dāng)于兩架空中客車A
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EUV光刻機(jī)“忙瘋了”
- 據(jù)市場消息，目前，ASML High NA EUV光刻機(jī)僅有兩臺，如此限量版的EUV關(guān)鍵設(shè)備必然無法滿足市場對先進(jìn)制程芯片的需求，為此ASML布局步伐又邁一步。當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月3日，全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥（ASML）宣布，攜手比利時(shí)微電子研究中心（IMEC），在荷蘭費(fèi)爾德霍芬（Veldhoven）開設(shè)聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室（High NA EUV Lithography Lab），并由雙方共同運(yùn)營。推動(dòng)摩爾定律關(guān)鍵因素：High NA EUV技術(shù)據(jù)業(yè)界信息，High NA EUV技術(shù)是
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ASML和IMEC啟用聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室
- 自ASML官網(wǎng)獲悉，6月3日，比利時(shí)微電子研究中心（imec）與阿斯麥（ASML）宣布在荷蘭費(fèi)爾德霍芬（Veldhoven）開設(shè)聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室（High NA EUV Lithography Lab），由ASML和imec共同運(yùn)營。聲明中稱，經(jīng)過多年的構(gòu)建和集成，該實(shí)驗(yàn)室已準(zhǔn)備好為領(lǐng)先的邏輯和存儲芯片制造商以及先進(jìn)材料和設(shè)備供應(yīng)商提供第一臺原型高數(shù)值孔徑EUV掃描儀（TWINSCAN EXE：5000）以及周圍的處理和計(jì)量工具。據(jù)悉，該聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的開放是High-NA EUV大批量生
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臺積電CEO秘訪ASML，High-NA EUV光刻機(jī)競賽提前打響？
- 5月26日，臺積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺北站”的活動(dòng)，臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設(shè)備供應(yīng)商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品，包括High-NA EUV設(shè)備將如何實(shí)現(xiàn)未來
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美光計(jì)劃投資約300億元在日本新建DRAM廠
- 據(jù)日媒報(bào)道，美光科技計(jì)劃投入6000億-8000億日圓（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動(dòng)工，并安裝極紫外光刻（EUV）設(shè)備。消息稱最快2027年底便可投入營運(yùn)。報(bào)道稱，此前，日本政府已批準(zhǔn)多達(dá)1920億日圓補(bǔ)貼，支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。去年，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省曾表示，將利用這筆經(jīng)費(fèi)協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片，這些芯片將是推動(dòng)生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
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臺積電美國設(shè)廠貴又慢？工程師揭關(guān)鍵：EUV機(jī)臺組裝超乎想象
- 臺積電熊本廠已在2月底開幕，美國亞利桑那州新廠卻從2024年遞延至2025年量產(chǎn)，美國一名結(jié)構(gòu)工程師撰文指出，在美國蓋晶圓廠的速度比世界其他地方慢，建造成本也比世界其他地區(qū)高出30%到4倍。而蓋晶圓廠比想象中復(fù)雜，以ASML的一臺先進(jìn)EUV曝光機(jī)為例，可能裝在40個(gè)貨柜中，需要漫長而仔細(xì)的組裝過程。美國進(jìn)步中心（Institute of Progress）學(xué)者、結(jié)構(gòu)工程師波特（Brian Potter）以如何建造一座價(jià)值200億美元的半導(dǎo)體廠為題撰文指出，隨著摩爾定律的發(fā)展，芯片已變得越來越小、越來越便宜
- 關(guān)鍵字： 臺積電 美國設(shè)廠 EUV 機(jī)臺
財(cái)經(jīng)專家揭秘臺積電「抗震神器」：1鈴聲預(yù)告出大事
- 花蓮?fù)夂?日上午發(fā)生規(guī)模7.2大地震，臺積電昨晚間發(fā)聲明，震后10小時(shí)內(nèi)，晶圓廠設(shè)備的復(fù)原率已超過70％，雖少數(shù)設(shè)備受損并影響部分產(chǎn)線生產(chǎn)，但主要機(jī)臺包含所有極紫外（EUV）光刻設(shè)備皆無受損。對此，財(cái)經(jīng)專家黃世聰表示，臺積電晶圓廠的機(jī)臺，使用的是美國航天等級、連美軍都在用的阻尼器，且下方還有抗震減壓的機(jī)臺，把地震影響降到最小，且臺積電工程師訓(xùn)練有素，只要發(fā)生地震、聽到公司手機(jī)響起臺積電之歌的鈴聲，就知道出大事、要趕回公司。臺積電產(chǎn)能牽動(dòng)全球科技業(yè)，強(qiáng)震后外界關(guān)注影響。臺積電昨晚發(fā)布聲明，在3日地震發(fā)生后僅
- 關(guān)鍵字： 臺積電 抗震神器 EUV 強(qiáng)震
臺積電曝EUV主要機(jī)臺沒受損 美媒示警：強(qiáng)震后面臨考驗(yàn)
- 昨日花蓮發(fā)生規(guī)模7.2地震，外媒高度關(guān)注是否對中國臺灣護(hù)國神山臺積電造成影響，臺積電表示，部分廠區(qū)的少數(shù)設(shè)備受損，但所有極紫外（EUV）光刻設(shè)備等主要機(jī)臺皆無受損。《華爾街日報(bào)》撰文指出，臺積電坐落在世界上最大地震熱點(diǎn)之一的中國臺灣，在昨日強(qiáng)震后將受到考驗(yàn)。報(bào)導(dǎo)指出，在此次地震中臺積電是幸運(yùn)的，因?yàn)槠渲饕O(shè)施地點(diǎn)位在北、中、南部，與東部的震央距離相對較遠(yuǎn)，這次臺積電新竹、龍?zhí)逗椭衲系瓤茖W(xué)園區(qū)的最大震度為5級 ，臺中和臺南科學(xué)園區(qū)的最大震度4級。雖然臺積電工廠建筑物完好無損，但用于制造半導(dǎo)體的設(shè)備和材料非常
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中國臺灣地震影響全球半導(dǎo)體業(yè) 一文看懂如何撼動(dòng)芯片供應(yīng)鏈
- 3日早上7點(diǎn)58分左右，中國臺灣花蓮發(fā)生規(guī)模7.2地震，擾亂臺積電在內(nèi)的公司營運(yùn)，臺積電對此表示，雖然部分廠區(qū)的少數(shù)設(shè)備受損并影響部分產(chǎn)線生產(chǎn)，但主要機(jī)臺包含所有極紫外（EUV）光刻設(shè)備皆無受損。許多外媒則示警，這凸顯了臺積電和全球芯片供應(yīng)鏈處在地震的風(fēng)險(xiǎn)與威脅之中。 根據(jù)《商業(yè)內(nèi)幕》報(bào)導(dǎo)，這場7.2強(qiáng)震凸顯了全球芯片供應(yīng)鏈和臺積電的脆弱性，臺積電是世界上最大的芯片制造商，全球大約90%的最先進(jìn)處理器芯片都是臺積電生產(chǎn)，而且中國臺灣也是小型芯片生產(chǎn)商的所在地。報(bào)導(dǎo)示警，如果大地震能夠擾亂臺積電，那么更具破
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High-NA EUV光刻機(jī)入場，究竟有多強(qiáng)？
- 光刻機(jī)一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)熱門話題。從早期的深紫外光刻機(jī)（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)；再到后來的極紫外光刻機(jī)（EUV）以其獨(dú)特的極紫外光源和更短的波長，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機(jī)（High-NA）正式登上歷史舞臺，進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個(gè) TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個(gè)由 ASM 與 imec 合作開發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
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ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機(jī)引入部分 High-NA 機(jī)型技術(shù)
- 3 月 27 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報(bào)道，ASML 官方確認(rèn)新款 0.33NA EUV 光刻機(jī) ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機(jī)的技術(shù)，運(yùn)行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報(bào)道，NXE:3800E 光刻機(jī)已于本月完成安裝，可實(shí)現(xiàn) 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量，相較以往機(jī)型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失。
- 關(guān)鍵字： ASM NXE:3800E EUV 光刻機(jī) High-NA
ASML正計(jì)劃搬離荷蘭？向外擴(kuò)張轉(zhuǎn)移業(yè)務(wù)成為最優(yōu)解
- 據(jù)路透社報(bào)道，光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML）正計(jì)劃將公司搬離荷蘭。荷蘭政府緊急成立了一個(gè)名為“貝多芬計(jì)劃”的特別工作組，由首相馬克·呂特親自領(lǐng)導(dǎo)，以確保ASML繼續(xù)在荷蘭發(fā)展。消息還稱，ASML已向荷蘭政府提出了意向，表示將有可能在其他地方擴(kuò)張或遷移，法國或是選擇之一。針對最近“搬離荷蘭”等傳言，ASML發(fā)言人對媒體稱他們在考慮公司的未來，但沒有透露具體的想法。ASML為何要搬離荷蘭？憑借先天的地理位置及海港內(nèi)陸網(wǎng)絡(luò)，荷蘭一直為歐洲的交通樞紐，國家經(jīng)濟(jì)高度依賴國際貿(mào)易，2022年最新出口額占全國GDP之比超
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