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          ASML:EUV光刻機(jī)已近極限 追趕技術(shù)還是另辟蹊徑?

          • ASML首席財(cái)務(wù)官達(dá)森(Roger Dassen)表示,EUV技術(shù)路線發(fā)展受歐美限制,且光刻機(jī)已接近技術(shù)極限,此一技術(shù)路線前景不明。積極尋求突破的中國廠商是持續(xù)投入資源突破現(xiàn)有限制進(jìn)行技術(shù)跟隨?還是將資源另辟蹊徑尋找新的技術(shù)路徑?將面臨艱難的抉擇。 據(jù)《芯智訊》報(bào)導(dǎo),臺(tái)積電已經(jīng)訂購了High NA EUV(高數(shù)值孔徑極紫外光)光刻機(jī),ASML與臺(tái)積電的商業(yè)談判即將結(jié)束,預(yù)計(jì)在第2季度或第3季度開始獲得大量 2nm芯片制造相關(guān)設(shè)備訂單。ASML預(yù)測其設(shè)備的市場需求有望一路走強(qiáng)至2026年,這主要是受益于各國
          • 關(guān)鍵字: ASML  EUV  光刻機(jī)  

          臺(tái)積電今年將拿到最新款光刻機(jī)

          • 6月6日消息,據(jù)外媒報(bào)道稱,ASML將在今年向臺(tái)積電交付旗下最先進(jìn)的光刻機(jī),單臺(tái)造價(jià)達(dá)3.8億美元。報(bào)道中提到,ASML首席財(cái)務(wù)官Roger Dassen在最近的一次電話會(huì)議上告訴分析師,公司兩大客戶臺(tái)積電和英特爾將在今年年底前獲得所謂的高數(shù)值孔徑(高NA)極紫外(EUV)光刻系統(tǒng)。英特爾此前已經(jīng)訂購了最新的高NA EUV設(shè)備,第一臺(tái)設(shè)備已于12月底運(yùn)往俄勒岡州的一家工廠。目前尚不清楚ASML最大的EUV客戶臺(tái)積電何時(shí)會(huì)收到設(shè)備。據(jù)悉,這些機(jī)器每臺(tái)造價(jià)3.5億歐元(3.8億美元),重量相當(dāng)于兩架空中客車A
          • 關(guān)鍵字: ASML  光刻機(jī)  高NA EUV  

          EUV光刻機(jī)“忙瘋了”

          • 據(jù)市場消息,目前,ASML High NA EUV光刻機(jī)僅有兩臺(tái),如此限量版的EUV關(guān)鍵設(shè)備必然無法滿足市場對先進(jìn)制程芯片的需求,為此ASML布局步伐又邁一步。當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月3日,全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥(ASML)宣布,攜手比利時(shí)微電子研究中心(IMEC),在荷蘭費(fèi)爾德霍芬(Veldhoven)開設(shè)聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室(High NA EUV Lithography Lab),并由雙方共同運(yùn)營。推動(dòng)摩爾定律關(guān)鍵因素:High NA EUV技術(shù)據(jù)業(yè)界信息,High NA EUV技術(shù)是
          • 關(guān)鍵字: EUV  光刻機(jī)  EDA設(shè)計(jì)  

          ASML和IMEC啟用聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室

          • 自ASML官網(wǎng)獲悉,6月3日,比利時(shí)微電子研究中心(imec)與阿斯麥(ASML)宣布在荷蘭費(fèi)爾德霍芬(Veldhoven)開設(shè)聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室(High NA EUV Lithography Lab),由ASML和imec共同運(yùn)營。聲明中稱,經(jīng)過多年的構(gòu)建和集成,該實(shí)驗(yàn)室已準(zhǔn)備好為領(lǐng)先的邏輯和存儲(chǔ)芯片制造商以及先進(jìn)材料和設(shè)備供應(yīng)商提供第一臺(tái)原型高數(shù)值孔徑EUV掃描儀(TWINSCAN EXE:5000)以及周圍的處理和計(jì)量工具。據(jù)悉,該聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的開放是High-NA EUV大批量生
          • 關(guān)鍵字: 阿斯麥  ASML  EUV  

          臺(tái)積電CEO秘訪ASML,High-NA EUV光刻機(jī)競賽提前打響?

          • 5月26日,臺(tái)積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺(tái)北站”的活動(dòng),臺(tái)積電CEO魏哲家罕見的沒有出席,原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部,以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設(shè)備供應(yīng)商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品,包括High-NA EUV設(shè)備將如何實(shí)現(xiàn)未來
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  ASML  High-NA  EUV  光刻機(jī)  

          美光計(jì)劃投資約300億元在日本新建DRAM廠

          • 據(jù)日媒報(bào)道,美光科技計(jì)劃投入6000億-8000億日圓(約合人民幣277-369億元)在日本廣島縣興建新廠,用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動(dòng)工,并安裝極紫外光刻(EUV)設(shè)備。消息稱最快2027年底便可投入營運(yùn)。報(bào)道稱,此前,日本政府已批準(zhǔn)多達(dá)1920億日圓補(bǔ)貼,支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。去年,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省曾表示,將利用這筆經(jīng)費(fèi)協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片,這些芯片將是推動(dòng)生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  日本  EUV  

          High-NA EUV光刻機(jī)或?qū)⒊蔀橛⑻貭柕霓D(zhuǎn)機(jī)

          • 上個(gè)月英特爾晶圓代工宣布完成了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)組裝工作。隨后開始在Fab D1X進(jìn)行校準(zhǔn)步驟,為未來工藝路線圖的生產(chǎn)做好準(zhǔn)備。
          • 關(guān)鍵字: High-NA  EUV  光刻機(jī)  英特爾  芯片  半導(dǎo)體  

          臺(tái)積電美國設(shè)廠貴又慢?工程師揭關(guān)鍵:EUV機(jī)臺(tái)組裝超乎想象

          • 臺(tái)積電熊本廠已在2月底開幕,美國亞利桑那州新廠卻從2024年遞延至2025年量產(chǎn),美國一名結(jié)構(gòu)工程師撰文指出,在美國蓋晶圓廠的速度比世界其他地方慢,建造成本也比世界其他地區(qū)高出30%到4倍。而蓋晶圓廠比想象中復(fù)雜,以ASML的一臺(tái)先進(jìn)EUV曝光機(jī)為例,可能裝在40個(gè)貨柜中,需要漫長而仔細(xì)的組裝過程。美國進(jìn)步中心(Institute of Progress)學(xué)者、結(jié)構(gòu)工程師波特(Brian Potter)以如何建造一座價(jià)值200億美元的半導(dǎo)體廠為題撰文指出,隨著摩爾定律的發(fā)展,芯片已變得越來越小、越來越便宜
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  美國設(shè)廠  EUV  機(jī)臺(tái)  

          財(cái)經(jīng)專家揭秘臺(tái)積電「抗震神器」:1鈴聲預(yù)告出大事

          • 花蓮?fù)夂?日上午發(fā)生規(guī)模7.2大地震,臺(tái)積電昨晚間發(fā)聲明,震后10小時(shí)內(nèi),晶圓廠設(shè)備的復(fù)原率已超過70%,雖少數(shù)設(shè)備受損并影響部分產(chǎn)線生產(chǎn),但主要機(jī)臺(tái)包含所有極紫外(EUV)光刻設(shè)備皆無受損。對此,財(cái)經(jīng)專家黃世聰表示,臺(tái)積電晶圓廠的機(jī)臺(tái),使用的是美國航天等級、連美軍都在用的阻尼器,且下方還有抗震減壓的機(jī)臺(tái),把地震影響降到最小,且臺(tái)積電工程師訓(xùn)練有素,只要發(fā)生地震、聽到公司手機(jī)響起臺(tái)積電之歌的鈴聲,就知道出大事、要趕回公司。臺(tái)積電產(chǎn)能牽動(dòng)全球科技業(yè),強(qiáng)震后外界關(guān)注影響。臺(tái)積電昨晚發(fā)布聲明,在3日地震發(fā)生后僅
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  抗震神器  EUV  強(qiáng)震  

          臺(tái)積電曝EUV主要機(jī)臺(tái)沒受損 美媒示警:強(qiáng)震后面臨考驗(yàn)

          • 昨日花蓮發(fā)生規(guī)模7.2地震,外媒高度關(guān)注是否對中國臺(tái)灣護(hù)國神山臺(tái)積電造成影響,臺(tái)積電表示,部分廠區(qū)的少數(shù)設(shè)備受損,但所有極紫外(EUV)光刻設(shè)備等主要機(jī)臺(tái)皆無受損?!度A爾街日報(bào)》撰文指出,臺(tái)積電坐落在世界上最大地震熱點(diǎn)之一的中國臺(tái)灣,在昨日強(qiáng)震后將受到考驗(yàn)。報(bào)導(dǎo)指出,在此次地震中臺(tái)積電是幸運(yùn)的,因?yàn)槠渲饕O(shè)施地點(diǎn)位在北、中、南部,與東部的震央距離相對較遠(yuǎn),這次臺(tái)積電新竹、龍?zhí)逗椭衲系瓤茖W(xué)園區(qū)的最大震度為5級 ,臺(tái)中和臺(tái)南科學(xué)園區(qū)的最大震度4級。雖然臺(tái)積電工廠建筑物完好無損,但用于制造半導(dǎo)體的設(shè)備和材料非常
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  EUV  強(qiáng)震  

          中國臺(tái)灣地震影響全球半導(dǎo)體業(yè) 一文看懂如何撼動(dòng)芯片供應(yīng)鏈

          • 3日早上7點(diǎn)58分左右,中國臺(tái)灣花蓮發(fā)生規(guī)模7.2地震,擾亂臺(tái)積電在內(nèi)的公司營運(yùn),臺(tái)積電對此表示,雖然部分廠區(qū)的少數(shù)設(shè)備受損并影響部分產(chǎn)線生產(chǎn),但主要機(jī)臺(tái)包含所有極紫外(EUV)光刻設(shè)備皆無受損。許多外媒則示警,這凸顯了臺(tái)積電和全球芯片供應(yīng)鏈處在地震的風(fēng)險(xiǎn)與威脅之中。 根據(jù)《商業(yè)內(nèi)幕》報(bào)導(dǎo),這場7.2強(qiáng)震凸顯了全球芯片供應(yīng)鏈和臺(tái)積電的脆弱性,臺(tái)積電是世界上最大的芯片制造商,全球大約90%的最先進(jìn)處理器芯片都是臺(tái)積電生產(chǎn),而且中國臺(tái)灣也是小型芯片生產(chǎn)商的所在地。報(bào)導(dǎo)示警,如果大地震能夠擾亂臺(tái)積電,那么更具破
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  芯片供應(yīng)鏈  臺(tái)積電  EUV  

          High-NA EUV光刻機(jī)入場,究竟有多強(qiáng)?

          • 光刻機(jī)一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)熱門話題。從早期的深紫外光刻機(jī)(DUV)起步,其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ);再到后來的極紫外光刻機(jī)(EUV)以其獨(dú)特的極紫外光源和更短的波長,成功將光刻精度推向了新的高度;再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機(jī)(High-NA)正式登上歷史舞臺(tái),進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率,為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示,其組裝了兩個(gè) TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個(gè)由 ASM 與 imec 合作開發(fā),將于 2024 年安裝在 A
          • 關(guān)鍵字: High-NA EUV  

          ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機(jī)引入部分 High-NA 機(jī)型技術(shù)

          • 3 月 27 日消息,據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報(bào)道,ASML 官方確認(rèn)新款 0.33NA EUV 光刻機(jī) ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機(jī)的技術(shù),運(yùn)行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報(bào)道,NXE:3800E 光刻機(jī)已于本月完成安裝,可實(shí)現(xiàn) 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量,相較以往機(jī)型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA(高數(shù)值孔徑) EUV 采用了更寬的光錐,這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬,會(huì)導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失。
          • 關(guān)鍵字: ASM  NXE:3800E EUV  光刻機(jī)  High-NA  

          ASML正計(jì)劃搬離荷蘭?向外擴(kuò)張轉(zhuǎn)移業(yè)務(wù)成為最優(yōu)解

          • 據(jù)路透社報(bào)道,光刻機(jī)巨頭阿斯麥(ASML)正計(jì)劃將公司搬離荷蘭。荷蘭政府緊急成立了一個(gè)名為“貝多芬計(jì)劃”的特別工作組,由首相馬克·呂特親自領(lǐng)導(dǎo),以確保ASML繼續(xù)在荷蘭發(fā)展。消息還稱,ASML已向荷蘭政府提出了意向,表示將有可能在其他地方擴(kuò)張或遷移,法國或是選擇之一。針對最近“搬離荷蘭”等傳言,ASML發(fā)言人對媒體稱他們在考慮公司的未來,但沒有透露具體的想法。ASML為何要搬離荷蘭?憑借先天的地理位置及海港內(nèi)陸網(wǎng)絡(luò),荷蘭一直為歐洲的交通樞紐,國家經(jīng)濟(jì)高度依賴國際貿(mào)易,2022年最新出口額占全國GDP之比超
          • 關(guān)鍵字: ASML  荷蘭  EUV  佳能  光刻機(jī)  

          韓國芯片巨頭SK海力士計(jì)劃升級在華工廠

          • 據(jù)韓媒報(bào)道,韓國芯片巨頭SK海力士準(zhǔn)備打破美國對華極紫外(EUV)光刻機(jī)出口相關(guān)限制,對其中國半導(dǎo)體工廠進(jìn)行技術(shù)提升改造。這被外界解讀為,隨著半導(dǎo)體市場的復(fù)蘇以及中國高性能半導(dǎo)體制造能力提升,一些韓國芯片企業(yè)準(zhǔn)備采取一切可以使用的方法來提高在華工廠制造工藝水平。韓國《首爾經(jīng)濟(jì)》13日的報(bào)道援引韓國業(yè)內(nèi)人士的話稱,SK海力士計(jì)劃今年將其中國無錫工廠的部分動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)生產(chǎn)設(shè)備提升至第四代10納米工藝。對于“無錫工廠將技術(shù)升級”的消息,SK海力士方面表示“無法確認(rèn)工廠的具體運(yùn)營計(jì)劃”。無錫工廠
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  芯片  EUV  
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