high-na euv 文章進(jìn)入high-na euv技術(shù)社區(qū)

在EUV光刻技術(shù)上，日本公司壟斷了光刻膠的供應(yīng)

雖然將會(huì)有更多用于EUV光刻的光刻膠制造商。但是目前這個(gè)市場(chǎng)是日本公司壟斷的。目前只有兩家芯片制造商掌握了使用EUV極紫外線輻射光刻的半導(dǎo)體光刻技術(shù)，但是毫無疑問，這就是光刻技術(shù)的未來。與任何未來一樣，它為一些光刻材料市場(chǎng)開拓者提供了在新市場(chǎng)中建立自己的機(jī)會(huì)。尤其是目前由兩家日本公司生產(chǎn)使用EUV光刻機(jī)所使用的技術(shù)處理材料，而其中一家是著名的Fujifilm富士膠片公司。富士膠片控股公司和住友化學(xué)將在2021年開始為下一代芯片提供光刻材料，這可能有助于減小智能手機(jī)和其他設(shè)備的芯片尺寸，并使它們更加節(jié)能。這
關(guān)鍵字： EUV 光刻膠

斥資440億元采購(gòu)EUV光刻機(jī)？臺(tái)積電：不評(píng)論傳聞

9月30日訊，此前有媒體報(bào)道，由于先進(jìn)制程推進(jìn)順利和訂單量擴(kuò)大，臺(tái)積電將加大EUV光刻機(jī)的采購(gòu)力度，預(yù)計(jì)到2021年底采購(gòu)量為55臺(tái)左右。臺(tái)積電方面回復(fù)稱：公司不評(píng)論市場(chǎng)傳聞。據(jù)了解，一臺(tái)EUV光刻機(jī)售價(jià)近8億元，55臺(tái)EUV光刻機(jī)價(jià)值約440億元。相關(guān)閱讀：臺(tái)積電明年底前將累計(jì)采購(gòu)55臺(tái)EUV光刻機(jī)：花費(fèi)超440億元出處：快科技作者：萬南芯片制程已經(jīng)推進(jìn)到了7nm以下，這其中最關(guān)鍵的核心設(shè)備就要數(shù)EUV光刻機(jī)了，目前全世界只有荷蘭ASML（阿斯麥）可以制造。來自Digitimes的報(bào)道稱，臺(tái)積電打算在
關(guān)鍵字： EUV 光刻機(jī) 臺(tái)積電

華為+中科院攻關(guān)EUV光刻機(jī)？ASML華裔工程師：天方夜譚

9月16日，中國(guó)科學(xué)院院長(zhǎng)白春禮在國(guó)新辦發(fā)布會(huì)上介紹稱，“率先行動(dòng)”計(jì)劃第二階段要把美國(guó)“卡脖子”的清單變成科研任務(wù)清單進(jìn)行布局，集中全院力量聚焦國(guó)家最關(guān)注的重大領(lǐng)域攻關(guān)。白春禮稱，從2021年到2030年未來的十年是“率先行動(dòng)”計(jì)劃第二階段。對(duì)此，首先要進(jìn)行體制機(jī)制改革。他稱，目前已經(jīng)設(shè)立了創(chuàng)新研究院、卓越創(chuàng)新中心、大科學(xué)中心和特色所四類機(jī)構(gòu)，目的是根據(jù)科研性質(zhì)不同進(jìn)行分類定位、分類管理、分類評(píng)價(jià)、分類資源配置?！斑@個(gè)工作還沒有完，只是進(jìn)行了一部分，所以第二階段我們爭(zhēng)取在2025年要把四類機(jī)構(gòu)全部做完，
關(guān)鍵字：華為中科院 EUV 光刻機(jī) ASML

10億元一臺(tái)EUV光刻機(jī)！芯片產(chǎn)能數(shù)量曝光：夠華為手機(jī)用嗎？

相信大家都知道，在前幾天，ASML重磅官宣了一條大新聞，正式在中國(guó)寶島臺(tái)灣建設(shè)了第一家海外培訓(xùn)中心—亞洲培訓(xùn)中心，這家培訓(xùn)中心標(biāo)配了14名培訓(xùn)技師，一年大約可以培養(yǎng)超過360名EUV光刻機(jī)操作工程師，能夠讓芯片生產(chǎn)加工企業(yè)更好的掌握和使用EUV光刻機(jī)，從而可以進(jìn)一步提高5nm/3nm芯片的良品率，其實(shí)ASML在臺(tái)灣建設(shè)這座亞洲培訓(xùn)中心，最大的目的就是為了直接幫助臺(tái)積電培養(yǎng)更多的光刻機(jī)操作工程師，因?yàn)樵谶^去兩年時(shí)間里，ASML一共售賣了57臺(tái)EUV光刻機(jī)產(chǎn)品，其中臺(tái)積電就購(gòu)得了30臺(tái)，占據(jù)著絕大部分的份額，
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 5nm EUV

臺(tái)積電：5nm EUV工藝已在量產(chǎn)、明年推出增強(qiáng)版

24日，臺(tái)積電舉辦了第26屆技術(shù)研討會(huì)，并披露了旗下最新工藝制程情況。按照臺(tái)積電的說法，5nm工藝規(guī)劃了兩代，分別是N5和N5P。其中N5確定引入EUV（極紫外光刻）技術(shù)，并且已經(jīng)在大規(guī)模量產(chǎn)之中。相較于N7，N5的功耗降低了30%、性能提升了15%，邏輯器件密度是之前的1.8倍。N5P作為改良版，仍在開發(fā)中，規(guī)劃2021年量產(chǎn)，相較于第一代5nm，功耗進(jìn)一步降低10%、性能提升5%，據(jù)稱面向高性能計(jì)算平臺(tái)做了優(yōu)化。據(jù)手頭資料，臺(tái)積電的5nm有望應(yīng)用在蘋果A14芯片（包括Apple Silicon PC處
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 5nm EUV

臺(tái)積電采購(gòu)30臺(tái)EUV光刻機(jī)沖刺7/5nm，ASML就近設(shè)立培訓(xùn)中心

臺(tái)積電在高端制程技術(shù)上沖鋒陷陣，已經(jīng)成為光刻機(jī)龍頭 ASML 在 EUV 機(jī)臺(tái)上的最大采購(gòu)客戶，累計(jì)已經(jīng)購(gòu)買了 30 臺(tái) EUV 設(shè)備。日前，ASML 繼在韓國(guó)成立 EUV 技術(shù)培訓(xùn)中心后，也在臺(tái)積電先進(jìn)制程的重鎮(zhèn)臺(tái)灣臺(tái)南，成立 EUV 技術(shù)培訓(xùn)中心。一臺(tái)EUV系統(tǒng)需要50個(gè)工程師操作一臺(tái)造價(jià)逾一億歐元的精密 EUV 系統(tǒng)，重量高達(dá) 180&nbs
關(guān)鍵字： EUV 臺(tái)積電 ASML

Intel/臺(tái)積電/ASML齊捧EUV光刻：捍衛(wèi)摩爾定律

日前，中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)（CSTIC）在上海開幕，為期19天，本次會(huì)議重點(diǎn)是探討先進(jìn)制造和封裝。其中，光刻機(jī)一哥ASML（阿斯麥）的研發(fā)副總裁Anthony Yen表示，EUV光刻工具是目前唯一能夠處理7nm和更先進(jìn)工藝的設(shè)備，EUV技術(shù)已經(jīng)被廣泛認(rèn)為是突破摩爾定律瓶頸的關(guān)鍵因素之一。Yen援引統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，截至2019年第四季度，ASML當(dāng)年共售出53臺(tái)EUV NXE：3400系列EUV光刻機(jī)，使用EUV機(jī)器制造的芯片產(chǎn)量已經(jīng)達(dá)到1000萬片。他說，EUV已經(jīng)成為制造7nm、5nm和3nm邏輯集成電
關(guān)鍵字： Intel 臺(tái)積電 ASML EUV 光刻摩爾定律

華為、蘋果7/5nm需求大臺(tái)積電狂加EUV訂單

2020年因?yàn)槿蚪?jīng)濟(jì)的問題，本來電子行業(yè)會(huì)下滑，但是晶圓代工場(chǎng)合不降反升，臺(tái)積電Q1季度營(yíng)收大漲了30%，牢牢坐穩(wěn)了全球晶圓代工一哥的位置。由于華為、蘋果等公司的7nm及5nm工藝需求大，臺(tái)積電目前正在瘋狂增加EUV產(chǎn)能。臺(tái)積電2018年量產(chǎn)了7nm工藝，不過第一代7nm沒有EUV工藝加持，2019年的7nm EUV工藝才由華為的麒麟990 5G處理器首發(fā)，而今年的5nm工藝則會(huì)全面上馬EUV工藝。根據(jù)臺(tái)積電之前公布的數(shù)據(jù)，7nm及7nm EUV工藝目前每月的產(chǎn)能達(dá)到了11萬片晶圓/月，而5nm工藝的月
關(guān)鍵字：華為蘋果 5nm 臺(tái)積電 EUV

三星新建5nm晶圓廠：先進(jìn)EUV技術(shù) 2021年投產(chǎn)

隨著時(shí)間邁入2020年中，以臺(tái)積電和三星為代表的芯片半導(dǎo)體也從7nm逐步向5nm進(jìn)發(fā)，實(shí)際上麒麟1020和蘋果A14芯片就是基于臺(tái)積電5nm工藝，表現(xiàn)相較7nm將會(huì)更上一層樓。很明顯在7nm時(shí)代，三星是落后于臺(tái)積電的，不過這家巨頭似乎想在5nm時(shí)代彎道超車，近日據(jù)媒體報(bào)道，三星宣布將于漢城南部的平澤市建造全新的5nm晶圓廠。該工廠是三星在韓國(guó)國(guó)內(nèi)的第六條晶圓代工產(chǎn)線，將應(yīng)用先進(jìn)的極紫外光微影（ExtremeUltravioletlithography，EUV）制程技術(shù)，拿7nmEUV工藝對(duì)比，三星5nmE
關(guān)鍵字：三星 5nm EUV

EUV光刻機(jī)斷貨臺(tái)積電5nm工藝搶三星頭彩：A14/麒麟1020首發(fā)

臺(tái)積電上周發(fā)布了3月及Q1季度財(cái)報(bào),營(yíng)收同比大漲了42%,淡季不淡。不過接下來的日子半導(dǎo)體行業(yè)可能不太好過了,ASML的EUV光刻機(jī)已經(jīng)斷貨,要延期交付,好在臺(tái)積電今年已經(jīng)在5nm工藝上搶先三星了。根據(jù)ASML之前的報(bào)告,3月底他們下調(diào)了1季度營(yíng)收預(yù)期到24-25億美元,差不多減少了1/4左右的營(yíng)收,毛利率也下滑到了45-46%之間。此外,ASML的EUV光刻機(jī)也因?yàn)榉N種原因斷貨了,雖然訂單沒有取消,但是交付要延期了,三星、臺(tái)積電今年都不太容易快速擴(kuò)張EUV產(chǎn)能。不過臺(tái)積電在這次危機(jī)中更有優(yōu)勢(shì)地位,他們包
關(guān)鍵字： EUV 臺(tái)積電5nm

三星首次將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)

據(jù)ZDnet報(bào)道，三星宣布，已成功將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。
關(guān)鍵字：三星 EUV DRAM

三星率先為DRAM芯片導(dǎo)入EUV：明年將用于DDR5/LPDDR5大規(guī)模量產(chǎn)

當(dāng)前在芯片制造中最先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。這家韓國(guó)巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬第一代10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評(píng)估，這為今后高端PC、手機(jī)、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。得益于EUV技術(shù)，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復(fù)步驟，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能。三星表示，將從第四代10nm級(jí)（D1a）DRAM或高端級(jí)14nm級(jí)DRAM開始全面導(dǎo)入EUV，明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預(yù)計(jì)會(huì)使12
關(guān)鍵字：三星 DRAM EUV

引入EUV技術(shù)的6nm，才是真正的6nm

只有引入EUV技術(shù)的6nm才是真正的6nm，而這項(xiàng)技術(shù)也將伴隨未來可能的5nm、4nm、3nm、2nm、1nm一路
關(guān)鍵字： EUV 6nm 光刻機(jī)

泛林集團(tuán)發(fā)布應(yīng)用于EUV光刻的技術(shù)突破

近日，泛林集團(tuán)發(fā)布了一項(xiàng)用于EUV光刻圖形化的干膜光刻膠技術(shù)。泛林集團(tuán)研發(fā)的這項(xiàng)全新的干膜光刻膠技術(shù)，結(jié)合了泛林集團(tuán)在沉積、刻蝕工藝上的領(lǐng)導(dǎo)地位及其與阿斯麥?(ASML) 和比利時(shí)微電子研究中心?(imec)?戰(zhàn)略合作的成果，它將有助于提高EUV光刻的分辨率、生產(chǎn)率和良率。泛林集團(tuán)的干膜光刻膠解決方案提供了顯著的EUV光敏性和分辨率優(yōu)勢(shì)，從而優(yōu)化了單次EUV光刻晶圓的總成本。由于領(lǐng)先的芯片制造商已開始將EUV光刻系統(tǒng)應(yīng)用于大規(guī)模量產(chǎn)，進(jìn)一步提升生產(chǎn)率和分辨率將幫助他們以更合理
關(guān)鍵字： EUV 光刻