high-na euv 文章進(jìn)入high-na euv技術(shù)社區(qū)

制作High-end A4監(jiān)聽音箱的方法

一、設(shè)計(jì)及制作
由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：
no＝kn?f33?VB
上式中，kn是箱體系數(shù)，
關(guān)鍵字：音箱方法監(jiān)聽 A4 High-end 制作

英特爾認(rèn)為浸入式光刻能延伸到11納米

　　英特爾的先進(jìn)光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補(bǔ)者,并聲稱11納米可能發(fā)生在2015年。　　Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術(shù)可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。　　　　在Nikon的年會上許多其它的專家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機(jī)設(shè)計(jì)部總經(jīng)理Masato Hamatani認(rèn)為,當(dāng)EUV達(dá)到所有的預(yù)定目標(biāo)時,進(jìn)入量產(chǎn)
關(guān)鍵字：英特爾 11納米 EUV

半導(dǎo)體能支撐未來的發(fā)展

　　相比于2009年今年全球半導(dǎo)體業(yè)的態(tài)勢好了許多，但是仍有少部分人提出質(zhì)疑，2010年有那么好嗎?即具備條件了嗎? 　　在今年1月由SEMI主辦的工業(yè)策略年會上(ISS)，有些演講者表示一些擔(dān)憂，認(rèn)為雖然半導(dǎo)體業(yè)正在復(fù)蘇的路上，但是制造商們?nèi)匀鄙偌で椋豢侠^續(xù)大幅的投資，以及不太愿意重新擴(kuò)大招慕員工。　　恐怕更大的擔(dān)心來自全球半導(dǎo)體業(yè)間的兼并與重組到來，以及產(chǎn)業(yè)能否支持得起22納米及以下技術(shù)的進(jìn)步。　　IBS的CEO Handle Jones認(rèn)為，雖然工業(yè)正在復(fù)蘇，但是在半導(dǎo)體業(yè)運(yùn)營中仍面臨成
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臺積電取得ASML超紫外光微影設(shè)備以研發(fā)新世代工藝

　　TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設(shè)備，是全球六個取得這項(xiàng)設(shè)備的客戶伙伴之一。　　這項(xiàng)設(shè)備將安裝于TSMC的超大晶圓廠(GigaFab™)-臺積十二廠，用以發(fā)展新世代的工藝技術(shù)。TSMC也將成為全球第一個可以在自身晶圓廠發(fā)展超紫外光微影技術(shù)的專業(yè)集成電路制造服務(wù)業(yè)者。　　相較于現(xiàn)行浸潤式微影技術(shù)以193納米波長當(dāng)作光源，超
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三項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時間將后延至2015-2016年

　　半導(dǎo)體技術(shù)市場權(quán)威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報(bào)告顯示，按照他們的估計(jì)，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)(EUV)投入實(shí)用的時間點(diǎn)將再度后延。　　據(jù)IC Insights預(yù)計(jì)，基于450mm技術(shù)的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開始實(shí)用化建設(shè)--比預(yù)期的時間點(diǎn)后延了兩年左右。另外，預(yù)計(jì)16nm級別制程技術(shù)中也不會應(yīng)用EUV光刻技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)會被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實(shí)用。　　另外一項(xiàng)較新的半導(dǎo)體制造技術(shù)，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(shù)(TS
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EUV: 一場輸不起的賭局

　　2010年， ASML將有5臺最先進(jìn)的EUV設(shè)備整裝發(fā)往全球的5家客戶。業(yè)界傳言，最新的NXE3100系統(tǒng)將發(fā)送給3家頂級存儲器廠商和2家頂級邏輯廠商。EUV勝利的曙光正在向我們招手，雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專為EUV新建的大樓中忙碌，在設(shè)備出廠前，解決正在發(fā)生的問題，并預(yù)測著各種可能發(fā)生的問題及解決方案。　　人們談?wù)揈UV的各種技術(shù)問題已歷時數(shù)年，因?yàn)槠洳ㄩL較目前的193nm縮短10倍以上，EUV一直是通往22nm的實(shí)力派參賽選手之一。與此同時，延伸immersion技術(shù)，用其
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臺積電老將再出山蔣尚義領(lǐng)命戰(zhàn)研發(fā)

　　不知是否是因?yàn)镚lobal Foundries的步步威脅，臺積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔(dān)任研究發(fā)展資深副總經(jīng)理，他將直接對張忠謀董事長負(fù)責(zé)。　　這是繼張忠謀6月重新執(zhí)政臺積電以來，又一次重大的人事調(diào)整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺積電擔(dān)任研究發(fā)展副總經(jīng)理，帶領(lǐng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)一路順利開發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個世代的先進(jìn)工藝技術(shù)，成果斐然。但是三年多前因?yàn)橐疹櫮赀~生病的父親而暫時離開，如今因父親仙逝而能再度回到臺積，相信蔣資深副總的回任，
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EUV蓄勢待發(fā) Carl Zeiss向ASML出貨EUV光學(xué)系統(tǒng)

　　德國Carl Zeiss SMT AG已向半導(dǎo)體設(shè)備商ASML出貨首臺EUV光學(xué)系統(tǒng)。該公司已使EUV光學(xué)系統(tǒng)達(dá)到了生產(chǎn)要求。　　光學(xué)系統(tǒng)是EUV設(shè)備的核心模塊，首臺EUV設(shè)備預(yù)計(jì)將在2010年出貨。幾周前，美國公司Cymer完成了EUV光源的開發(fā)，EUV光源是EUV光刻設(shè)備另一個關(guān)鍵模塊。該技術(shù)將使芯片制造商進(jìn)一步縮小芯片的特征尺寸，提高生產(chǎn)效率。　　據(jù)Carl Zeiss 介紹，目前出貨的光學(xué)系統(tǒng)已經(jīng)研發(fā)了約15年。
關(guān)鍵字： ASML EUV 光刻設(shè)備

半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)研發(fā)經(jīng)費(fèi)拮據(jù)　聯(lián)盟關(guān)系將成救星

　　市場研究機(jī)構(gòu)Gartner警告，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的研發(fā)預(yù)算恐怕在接下來的五年內(nèi)大幅削減80億美元，使該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域陷入危機(jī)。不過該機(jī)構(gòu)資深分析師Dean Freeman也表示，研發(fā)聯(lián)盟的興起將成為救星。　　缺乏適當(dāng)?shù)耐顿Y將導(dǎo)致技術(shù)藍(lán)圖延遲，而且公司恐怕無法做好迎接未來挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備;在目前營收低迷的情況下，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)正面臨著如此的危機(jī)點(diǎn)。不過Freeman卻認(rèn)為，在這一輪不景氣中最大的不同，就是在過去十年來有不少產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的建立，而這些結(jié)盟關(guān)系在某些程度上減輕了業(yè)者因營收減少對研發(fā)所帶來的沖擊。　　Fr
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體設(shè)備通孔硅 high-k金屬閘極

臺灣晶圓廠選擇 ASM 提供 High-k ALD工具

　　ASM International N.V. 宣布一家臺灣晶圓廠為其28 納米節(jié)點(diǎn)high-k 閘極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(shù)(ALD)工具。　　除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對最新世代的high-k閘極技術(shù)進(jìn)行制程開發(fā)活動。 ASM 在2009年第2季將針對進(jìn)階節(jié)點(diǎn)開發(fā)計(jì)劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠在過去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設(shè)備來開發(fā)其以鉿基材料為基礎(chǔ)的high-k 閘極制程。　　納米節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)成功的high-K制程
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EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道

　　對于極紫外（EUV）光刻技術(shù)而言，掩膜版相關(guān)的一系列問題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問題最為關(guān)鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線具有極強(qiáng)的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預(yù)處理和清洗會議上，針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問題和挑戰(zhàn)，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內(nèi)部討論，并在會上向與會的同仁報(bào)告了在這一領(lǐng)域Intel和Dai Nippon Printin
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22納米后EUV光刻還是電子束光刻？市場看法存分歧

浸潤式微顯影雙重曝光能進(jìn)一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過，22納米以下究竟哪種技術(shù)得以出頭，爭議不斷。據(jù)了解，臺積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數(shù)家客戶下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術(shù)最終將「一統(tǒng)江湖」，尚未有定論。 ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長可達(dá)13.5納米，約是248波長的KrF顯影設(shè)備的15分之1，盡管浸潤式顯
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 EUV 電子束消費(fèi)電子

凌華推出High Speed Link延伸模塊

　凌華科技推出High Speed Link系統(tǒng)延伸模塊HSL-HUB3與HSL-Repeater。此產(chǎn)品可以為HSL用戶提供最長可達(dá)2400公尺的長距離使用及多點(diǎn)連接(multi-drop)接線架構(gòu)，搭配高達(dá)十余種I/O及運(yùn)動控制模塊的組合，提供客戶實(shí)時控制的完整解決方案。　　　　凌華的High Speed Link（HSL）技術(shù)是串列式遠(yuǎn)程I/O實(shí)時控制的絕佳選擇。HSL-HUB3/Repeater基于HSL技術(shù)，針對接線的
關(guān)鍵字： High Link Speed 工業(yè)控制凌華汽車電子通訊網(wǎng)絡(luò) 無線延伸模塊工業(yè)控制

瑞昱推出High Definition 音訊轉(zhuǎn)換芯片

音訊內(nèi)容保護(hù) (Content Protection) 技術(shù)與透過傳統(tǒng)電話的Skype應(yīng)用功能加速音訊轉(zhuǎn)換芯片在數(shù)字家庭的應(yīng)用瑞昱半導(dǎo)體在美國舊金山的Intel春季科技論壇推出最新一代的高精準(zhǔn)音訊轉(zhuǎn)換芯片 (High Definition Audio Codecs; HD Audio Codecs) ALC885與ALC888 Telecom。瑞昱ALC885內(nèi)建內(nèi)容保護(hù)與防拷&nbs
關(guān)鍵字： High Definition 音訊轉(zhuǎn)換瑞昱通訊與網(wǎng)絡(luò) 芯片

尼康NA超過1的液浸設(shè)備半導(dǎo)體商正式采用

　尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導(dǎo)體廠商供應(yīng)用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開口數(shù)（NA）為1.07的液浸ArF曝光設(shè)備“NSR-S609B”。這是全球首次供應(yīng)NA超過1的液浸ArF曝光設(shè)備。　　這家大型半導(dǎo)體廠商的名字，尼康沒有公布，估計(jì)是過去在技術(shù)方面與之開展合作的東芝。　　作為全折射型液浸曝光設(shè)備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)很高的分辨率。對于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問題，據(jù)稱利用名為“Local-fill（局部
關(guān)鍵字： NA 尼康嵌入式系統(tǒng)