high-na euv 文章 進入high-na euv技術社區(qū)
ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術
- 3 月 27 日消息,據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道,ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術,運行效率得以提升。根據IT之家之前報道,NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝,可實現 195 片晶圓的每小時吞吐量,相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術 High-NA(高數值孔徑) EUV 采用了更寬的光錐,這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬,會導致影響晶圓吞吐量的光損失。
- 關鍵字: ASM NXE:3800E EUV 光刻機 High-NA
英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機?
- HIGH NA 無疑是打贏下一場比賽的重要籌碼。
- 關鍵字: 英特爾 ASML HIGH NA光刻機
英特爾拿下首套High-NA EUV,臺積電如何應對?
- 英特爾(intel)近日宣布,已經接收市場首套具有0.55數值孔徑(High-NA)的ASML極紫外(EUV)光刻機,預計在未來兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術之后的制程節(jié)點。 相較之下,臺積電則采取更加謹慎的策略,業(yè)界預計臺積電可能要到A1.4制程,或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機。業(yè)界指出,至少在初期,High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV,這也是臺積電暫時觀望的原因,臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術,以確保產品競爭力。Hig
- 關鍵字: 英特爾 High-NA EUV 臺積電
EUV光刻技術仍需克服的三個缺點
- 光刻技術是指在光照作用下,借助光致抗蝕劑(又名光刻膠)將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術。其主要過程為:首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面,引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學反應;再通過顯影技術溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠(前者稱正性光刻膠,后者稱負性光刻膠),使掩膜版上的圖形被復制到光刻膠薄膜上;最后利用刻蝕技術將圖形轉移到基片上。想要了解光刻技術對半導體供需穩(wěn)定將會產生什么樣的影響,首先要了解的是大家經常聽到的 14 納米 DRAM、4 納米應用處理器等用語,要先說明納米是什么意
- 關鍵字: EUV
英特爾首次采用EUV技術的Intel 4制程節(jié)點已大規(guī)模量產
- 近日,英特爾宣布已開始采用極紫外光刻(EUV)技術大規(guī)模量產(HVM)Intel 4制程節(jié)點。據英特爾中國官微獲悉,近日,英特爾宣布已開始采用極紫外光刻(EUV)技術大規(guī)模量產(HVM)Intel 4制程節(jié)點。據悉,作為英特爾首個采用極紫外光刻技術生產的制程節(jié)點,Intel 4與先前的節(jié)點相比,在性能、能效和晶體管密度方面均實現了顯著提升。極紫外光刻技術正在驅動著算力需求最高的應用,如AI、先進移動網絡、自動駕駛及新型數據中心和云應用。英特爾“四年五個制程節(jié)點”計劃正在順利推進中。目前,Intel 7和I
- 關鍵字: 英特爾 EUV Intel4
high-na euv介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條high-na euv!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對high-na euv的理解,并與今后在此搜索high-na euv的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對high-na euv的理解,并與今后在此搜索high-na euv的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473