igbt-ipm 文章進(jìn)入igbt-ipm技術(shù)社區(qū)

加速低碳化躍遷，智能功率模塊如何讓熱泵更智能？

隨著企業(yè)向低碳未來(lái)邁進(jìn)，市場(chǎng)越來(lái)越需要更高效的功率半導(dǎo)體。開(kāi)發(fā)功率半導(dǎo)體解決方案的關(guān)鍵目標(biāo)在于，盡量降低系統(tǒng)總成本和縮小尺寸，同時(shí)提高效率。于是，智能功率模塊 (IPM) 應(yīng)運(yùn)而生，并成為熱泵市場(chǎng)備受矚目的解決方案。這種模塊結(jié)構(gòu)緊湊、高度集成，具有高功率密度以及先進(jìn)的控制與監(jiān)測(cè)功能，非常適合熱泵應(yīng)用。熱泵的重要性根據(jù)歐盟統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù)，在歐盟消耗的所有能源中，約 50% 用于供暖和制冷，而且超過(guò) 70% 仍然來(lái)自化石燃料（主要是天然氣）。在住宅領(lǐng)域，約 80% 的最終能源消耗用于室內(nèi)和熱水供暖。熱泵（圖
關(guān)鍵字：熱泵功率半導(dǎo)體智能功率模塊 IPM

從零了解汽車(chē)電控IGBT模塊

當(dāng)前的新能源車(chē)的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機(jī)等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品，國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開(kāi)發(fā)了很多，但是有一個(gè)模塊需要引起行業(yè)內(nèi)的重視，那就是電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分，則是電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片）。想要從零了解汽車(chē)電控IGBT模塊看這一篇就夠了！根據(jù)乘聯(lián)會(huì)數(shù)據(jù)，2022年6月新能源車(chē)國(guó)內(nèi)零售滲透率27.4%，并且2022年6月29日歐盟對(duì)外宣布，歐盟27個(gè)成員國(guó)已經(jīng)初步達(dá)成一致，歐洲
關(guān)鍵字：汽車(chē) 電控 IGBT

車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊,持續(xù)放量

3 月 28 日的發(fā)布會(huì)上，小米雷軍對(duì)外正式公布了小米 SU7 各版本的售價(jià)。同時(shí)，雷軍宣布特別推出 5000 臺(tái)小米 SU7 創(chuàng)始版。創(chuàng)始版除可選標(biāo)準(zhǔn)版及 Max 版基本配置外，還有專屬車(chē)標(biāo)、配件等權(quán)益。由于提前生產(chǎn)，不可選配，故相關(guān)車(chē)型可最先交付，而非創(chuàng)始版的小米 SU7 標(biāo)準(zhǔn)版與 Max 版于 4 月底啟動(dòng)交付，Pro 版在 5 月底啟動(dòng)交付。幾天后的 4 月 3 日，小米汽車(chē)創(chuàng)始版迎來(lái)首批交付。在北京亦莊小米汽車(chē)工廠總裝車(chē)間的交付現(xiàn)場(chǎng)，雷軍親手將車(chē)交給車(chē)主并和車(chē)主合影留念，再揮手目送每位車(chē)主離開(kāi)。
關(guān)鍵字： IGBT

雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響探究

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對(duì)VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測(cè)試設(shè)置雙脈沖測(cè)試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來(lái)分析SiC和IGBT模塊的開(kāi)關(guān)特性
關(guān)鍵字：雜散電感 SiC IGBT 開(kāi)關(guān)特性

柵極環(huán)路電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響分析

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對(duì)VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點(diǎn)擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測(cè)試設(shè)置雙脈沖測(cè)試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來(lái)分析S
關(guān)鍵字： IGBT SiC 開(kāi)關(guān)特性

一鍵解鎖熱泵系統(tǒng)解決方案

熱泵是一種經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的、提供安全且可持續(xù)供暖的技術(shù)，其滿足低排放電力要求，是全球邁向安全、可持續(xù)供暖的核心技術(shù)。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時(shí)滿足供暖和制冷的要求，但熱泵的主要目標(biāo)是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實(shí)用的水平，因此在節(jié)能方面具有巨大的潛力。系統(tǒng)目標(biāo)熱泵的原理與制冷類似，其大部分技術(shù)基于冰箱的設(shè)計(jì)。2021年，全球約有10%建筑的采暖由熱泵來(lái)完成，且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對(duì)能源安全的關(guān)注以及應(yīng)對(duì)氣候變化的承諾，熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產(chǎn)生的碳排放的主要途徑。此
關(guān)鍵字：熱泵供暖 IPM MOSFET IGBT

意法半導(dǎo)體隔離柵極驅(qū)動(dòng)器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應(yīng)用伴侶

意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。這些驅(qū)動(dòng)器具有集成的高壓半橋、單個(gè)和多個(gè)低壓柵極驅(qū)動(dòng)器，非常適合各種應(yīng)用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅(qū)動(dòng)器作為優(yōu)選解決方案，在輸入部分和被驅(qū)動(dòng)的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無(wú)縫集成和優(yōu)質(zhì)性能。選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳功率轉(zhuǎn)換效率非常重要。隨著SiC技術(shù)得到廣泛采用，對(duì)可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時(shí)候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅(qū)
關(guān)鍵字： STGAP MOSFET IGBT 驅(qū)動(dòng)器電氣隔離

基礎(chǔ)知識(shí)之IGBT

什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是　“Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫(xiě)，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。 IGBT被歸類為功率半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開(kāi)關(guān)速度，BIPOLAR適用于中速開(kāi)關(guān)，MOSFET則適用于高頻領(lǐng)域。IGBT是輸入部為MOSFET結(jié)構(gòu)、輸出部為BIPOLAR結(jié)構(gòu)的元器件，通過(guò)
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 IGBT

IGBT驅(qū)動(dòng)電路介紹

IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功率級(jí)較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。理想等效電路與實(shí)際等效電路如圖所示：IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性（開(kāi)關(guān)特性）。動(dòng)態(tài)特性的簡(jiǎn)易過(guò)程可從下面的表格和圖形中獲?。篒GBT的開(kāi)通過(guò)程IGBT 在開(kāi)通過(guò)程中，
關(guān)鍵字： IGBT 電路設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng)電路

IGBT如何進(jìn)行可靠性測(cè)試？

在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場(chǎng)，公司成功的兩個(gè)重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的，可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長(zhǎng)期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營(yíng)，必須確保產(chǎn)品達(dá)到或超過(guò)基本的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。安森美 (onsemi) 作為一家半導(dǎo)體供應(yīng)商，為高要求的應(yīng)用提供能在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的產(chǎn)品，且這些產(chǎn)品達(dá)到了高品質(zhì)和高可靠性。人們認(rèn)識(shí)到，為實(shí)現(xiàn)有保證的質(zhì)量性能，最佳方式是摒棄以前的“通過(guò)測(cè)試確保質(zhì)量”方法，轉(zhuǎn)而擁抱新的“通過(guò)設(shè)計(jì)確保質(zhì)量”理念。在安森美，我們使用雙重方法來(lái)達(dá)到最終的質(zhì)量和可靠性水
關(guān)鍵字： IGBT 可靠性測(cè)試

必看！IGBT基礎(chǔ)知識(shí)匯總！

01 IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；（因?yàn)閂be=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。（因?yàn)镸OS管有Rds，如果Ids比較大，就會(huì)導(dǎo)致Vds很大）IGBT綜合了以
關(guān)鍵字： IGBT 晶體管基礎(chǔ)知識(shí)

IGBT 持續(xù)走強(qiáng)，頭部公司紛紛擴(kuò)產(chǎn)

從缺芯潮緩解轉(zhuǎn)向下游市場(chǎng)需求疲軟，在半導(dǎo)體賽道的周期性寒冬之下，各家企業(yè)相繼采取措施，減產(chǎn)、縮減投資等逐漸成為行業(yè)廠商度過(guò)危機(jī)的主要方式之一。不過(guò)在半導(dǎo)體諸多賽道中，有這樣一個(gè)細(xì)分領(lǐng)域，它未受市場(chǎng)景氣度的影響，持續(xù)繁榮向上。這便是 IGBT。IGBT 的市場(chǎng)格局根據(jù) IGBT 的產(chǎn)品分類來(lái)看，按照其封裝形式的不同，可分為 IGBT 分立器件、IPM 模塊和 IGBT 模塊。IGBT 分立器件主要應(yīng)用在小功率的家用電器、分布式光伏逆變器；IPM 模塊應(yīng)用于變頻空調(diào)、變頻洗衣機(jī)等白色家電產(chǎn)品；而 IGBT 模
關(guān)鍵字： IGBT

關(guān)于IGBT 安全工作區(qū) 你需要了解這兩個(gè)關(guān)鍵

在 IGBT 的規(guī)格書(shū)中，可能會(huì)看到安全工作區(qū)（SOA, Safe Operating Area），例如 ROHM 的 RGS30TSX2DHR 如下圖所示。這個(gè)安全工作區(qū)是指什么？圖1. Rohm 的RGS30TSX2DHR 安全工作區(qū) （圖片來(lái)源ROHM）IGBT 的安全工作區(qū)（SOA）是使IGBT在不發(fā)生自損壞或性能沒(méi)有下降的情況下的工作電流和電壓條件。實(shí)際上，不僅需要在安全工作區(qū)內(nèi)使用IGBT，還需對(duì)其所在區(qū)域?qū)嵤囟?/li>
關(guān)鍵字： IGBT 安全工作區(qū) SOA

IGBT IPM實(shí)例：絕對(duì)最大額定值

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?各種項(xiàng)目的絕對(duì)最大額定值都是絕對(duì)不能超過(guò)的值。?IGBT IPM絕對(duì)最大額定值的解釋基本上與半導(dǎo)體器件相同。?由于絕對(duì)最大額定值不是保證產(chǎn)品工作和特性的值，因此設(shè)計(jì)通?；谕扑]工作條件和電氣特性項(xiàng)目中的規(guī)格值進(jìn)行。在本文中，將介紹IGBT IPM的絕對(duì)最大額定值。與上一篇一樣，我們將使用ROHM的第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”作為IGBT IPM的示例。?IGBT IPM實(shí)例：絕對(duì)最大額定值?首先，為了便于理解后續(xù)內(nèi)容，我們先
關(guān)鍵字： IGBT IPM ROHM

2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&廣州金升陽(yáng)科技有限公司

10月31日，金升陽(yáng)作為EEPW的老朋友也來(lái)到直播間向我們分享了他們這次帶來(lái)的展品以及新的動(dòng)態(tài)。謝工在直播中介紹到，金升陽(yáng)成立于1998年7月，25年來(lái)創(chuàng)造了高品質(zhì)的機(jī)殼開(kāi)關(guān)電源、導(dǎo)軌電源、AC/DC電源模塊、DC/DC電源模塊隔離變送器、工業(yè)接口通訊模塊、 IGBT驅(qū)動(dòng)器、LED驅(qū)動(dòng)器等系列產(chǎn)品，其中多個(gè)產(chǎn)品系列已經(jīng)順利通過(guò)了UL、CE、EN60601-1。我們了解到，金升陽(yáng)在近日榮獲UL Solutions授予的中國(guó)工業(yè)電源UL61010-1/UL61010-2-201安全認(rèn)證證書(shū)及 IEC/UL 6
關(guān)鍵字：金升陽(yáng) AC/DC 電源模塊 DC/DC 業(yè)接口通訊模塊 IGBT