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          Nexperia推出新款600V單管IGBT,可在電源應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色效率

          • 為功率電子設(shè)計(jì)人員提供帶有全額快速恢復(fù)二極管的穩(wěn)健型175℃標(biāo)準(zhǔn)IGBT。
          • 關(guān)鍵字: IGBT  電源  NXP  

          深度剖析IGBT柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)

          • IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn),并且有三個(gè)端子:一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅(qū)動(dòng)而言,該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路圖 2. IGBT的導(dǎo)通電流為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT,必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流,以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)為高電平時(shí),會(huì)存在一個(gè)從雙
          • 關(guān)鍵字: 安森美  IGBT  柵極驅(qū)動(dòng)  

          了解這些 就可以搞懂 IGBT

          • 絕緣柵雙極晶體管(IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開關(guān)而聞名。IGBT通過(guò)在單個(gè)器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關(guān)的雙極功率晶體管,將MOSFET的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結(jié)合。IGBT用于中到大功率應(yīng)用,如開關(guān)電源、牽引電機(jī)控制和感應(yīng)加熱。圖1. IGBT 電路圖符號(hào)01 IGBT特點(diǎn)IGBT具有柵極、集電極、發(fā)射極3個(gè)引腳。柵極與MOSF
          • 關(guān)鍵字: DigiKey  IGBT  

          1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用

          • 英飛凌TRENCHSTOP? IGBT7系列單管具有兩種電壓等級(jí)(650V&1200V)和三個(gè)系列(T7,S7,H7)。其中,H7系列單管針對(duì)光儲(chǔ)、UPS、EV charger、焊機(jī)等應(yīng)用進(jìn)行了專門的優(yōu)化,并配備了全電流EC7 rapid二極管。憑借極低的開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和豐富的產(chǎn)品系列,H7單管正在成為光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用的新星。產(chǎn)品特點(diǎn)●  按照應(yīng)用需求去定義產(chǎn)品,去掉短路能力從而獲得更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,如圖1所示。完美適配于不需要短路能力的光儲(chǔ)等應(yīng)用。●  1200V
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  

          針對(duì)電動(dòng)馬達(dá)控制,在指定絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 時(shí)的考慮

          • 針對(duì)所有的應(yīng)用,人們?cè)絹?lái)越注意電動(dòng)馬達(dá)的運(yùn)作效率;因此,對(duì)高效率驅(qū)動(dòng)器的需求變得日益重要。此外,使用馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì),例如電動(dòng)馬達(dá)、泵和風(fēng)扇,需要降低整體成本,且需要減低這些電動(dòng)馬達(dá)應(yīng)用中的能耗;因此,為電動(dòng)馬達(dá)及其的驅(qū)動(dòng)指定高效率的設(shè)計(jì),以適合每項(xiàng)特定應(yīng)用變得更加重要。面對(duì)今日要求更高的電壓或更高的電流以及更低頻率的電動(dòng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,廣為人知且被廣泛使用的開關(guān)組件解決方案絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 即是一項(xiàng)絕佳的選擇。因?yàn)槎鄶?shù)馬達(dá)在較低頻率運(yùn)作,要求可靠的安全工作區(qū)(SOA)和短路額定值,且需要將效率
          • 關(guān)鍵字: Bourns  電動(dòng)馬達(dá)  IGBT  

          投身車電領(lǐng)域的入門課:IGBT和SiC功率模塊

          • 2020 年初,疫情期間的封鎖政策并未對(duì)電動(dòng)汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年,由于疫情期間人們對(duì)電動(dòng)汽車的需求上升,再加上全球各國(guó)政府紛紛采取激勵(lì)措施,電動(dòng)汽車充電站的需求量開始增加。在過(guò)去的三年里,電動(dòng)車領(lǐng)導(dǎo)品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長(zhǎng)的趨勢(shì)。 低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展,將推動(dòng)整個(gè)亞太地區(qū)的電動(dòng)汽車市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步擴(kuò)張。同時(shí),不斷加碼的政府激勵(lì)措施和持續(xù)擴(kuò)張的高性能車市場(chǎng)也推動(dòng)著北美和歐洲地區(qū)電動(dòng)汽車市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)。因此,根據(jù)MarketsandMarkets 市調(diào)數(shù)據(jù)估計(jì),全球電動(dòng)汽車市場(chǎng)規(guī)模將從 2
          • 關(guān)鍵字: 車用  電能轉(zhuǎn)換  車電領(lǐng)域  IGBT  SiC  功率模塊  

          意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片

          • 2023 年 5月 16 日,中國(guó) —— 意法半導(dǎo)體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊,以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢(shì)。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,采用隔離降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少,并且不需要光耦合器,從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢(shì)包括 2μA 關(guān)斷電流,集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償、電源正常指示,以及過(guò)流保護(hù)、熱關(guān)斷等保護(hù)功能。擴(kuò)
          • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  隔離式降壓轉(zhuǎn)換器  功率轉(zhuǎn)換  IGBT  SiC  GaN  晶體管柵極驅(qū)動(dòng)  

          IGBT模塊是如何失效的?

          • IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝。1、IGBT模塊結(jié)構(gòu)IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝,IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。從上之下它依次由芯片,DBC(Directed Bonding Copper)以及金屬散熱板(
          • 關(guān)鍵字: IGBT  

          相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車的能效和性能?

          • 隨著人們對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 和混動(dòng)汽車 (HEV) 的興趣和市場(chǎng)支持不斷增加,汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。由于 EV 的電機(jī)需要高千瓦時(shí)電源來(lái)驅(qū)動(dòng),傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級(jí)的電池組,成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場(chǎng)已經(jīng)在推動(dòng)向更高電壓電池的轉(zhuǎn)變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢(shì),因?yàn)槭褂酶叩碾妷阂馕吨到y(tǒng)可以在更低的電流下運(yùn)行,同時(shí)實(shí)現(xiàn)相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點(diǎn)是損耗較低,需要管理的熱耗散較少,還有利于使
          • 關(guān)鍵字: 安森美  IGBT  SiC  

          Power Integrations推出具有溫度讀數(shù)功能的新型SCALE-iFlex LT NTC IGBT/SiC模塊門極驅(qū)動(dòng)器

          • 德國(guó)紐倫堡,PCIM 2023 – 2023年5月9日訊 – 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日推出SCALE-iFlex? LT NTC系列IGBT/SiC模塊門極驅(qū)動(dòng)器。新款門極驅(qū)動(dòng)器適配于流行的100mmx140mm IGBT半橋模塊,例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2,以及耐壓在2300V以內(nèi)的碳化硅(SiC)衍生模塊。SCALE-iFlex LT NTC驅(qū)動(dòng)器可提供負(fù)溫度系數(shù)
          • 關(guān)鍵字: Power Integrations  IGBT  SiC模塊  門極驅(qū)動(dòng)器  

          快速開關(guān)TRENCHSTOP 5 IGBT

          • 緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設(shè)計(jì)的開發(fā)者一直追求的目標(biāo)?,F(xiàn)在,由于家用電器消耗的能量不斷增加,從事此類應(yīng)用的工程師還有一個(gè)目標(biāo):保持高功率因數(shù)(PF)。特別是空調(diào),其額定功率為1.8kW或更大,是最耗電的設(shè)備之一。在這里,功率因數(shù)校正(PFC)是強(qiáng)制性的,對(duì)于PFC,設(shè)計(jì)者認(rèn)為IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是具有最高性價(jià)比的開關(guān)器件。緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設(shè)計(jì)的開發(fā)者一直追求的目標(biāo)?,F(xiàn)在,由于家用電器消耗的能量不斷增加,從事此類應(yīng)用的工程師還有一個(gè)目標(biāo):保持高功率因數(shù)(PF)
          • 關(guān)鍵字: 快速開關(guān)  IGBT  

          功率半導(dǎo)體“放量年”,IGBT、MOSFET與SIC的思考

          • 4月24日,東芝電子元器件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社宣布,在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導(dǎo)體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。施工將分兩個(gè)階段進(jìn)行,第一階段的生產(chǎn)計(jì)劃在2024財(cái)年內(nèi)開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓,以應(yīng)對(duì)人員的增加。此外,今年2月下旬,日經(jīng)亞洲報(bào)道,東芝計(jì)劃到2024年將碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)量增加3倍以上,到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息,東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié),布局完成后將形成:外延設(shè)備+外
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  IGBT  MOSFET  SIC  

          賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT功率模塊

          • 賽米控丹佛斯(總部位于德國(guó)紐倫堡)和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)在開發(fā)SiC(碳化硅)功率模塊方面,已有十多年的良好合作關(guān)系。此次,賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中,采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶的需求。ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英 (左) 賽米控丹佛斯 CEO Claus A.  
          • 關(guān)鍵字: 賽米控丹佛斯  羅姆  1200V  IGBT  功率模塊  

          “一芯難求”?IGBT 憑啥這么搶手?

          • 今天要聊的這個(gè)或許不僅是“供不應(yīng)求”,在媒體報(bào)道中更被稱為是“一芯難求”!用報(bào)道的話來(lái)說(shuō),“不是價(jià)格多高的問(wèn)題,而是根本買不到”。TA就是簡(jiǎn)稱為“IGBT”的絕緣柵雙極型晶體管。聽到“一芯難求”,聰明的你應(yīng)該就能get到其中的投資機(jī)會(huì),IGBT究竟為啥這么搶手?咱們又能從中找到哪些投資良機(jī)呢?01 什么是IGBT?作為新能源領(lǐng)域的“新晉紅人”,IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,可以?jiǎn)單理解為一種功率開關(guān)元件。心臟的作用大家都知道吧?在心臟泵的作用下,心臟把血液推動(dòng)到身體的各個(gè)器官,為身體補(bǔ)充充足的血液和
          • 關(guān)鍵字: IGBT  

          設(shè)備廠商訂單量大增;4個(gè)IGBT項(xiàng)目開工

          • 2022年,盡管全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)局勢(shì)復(fù)雜,但中國(guó)本土半導(dǎo)體似乎依然保持著朝陽(yáng)勢(shì)頭,發(fā)展火熱。尤其是半導(dǎo)體設(shè)備廠商,在國(guó)產(chǎn)化浪潮進(jìn)一步驅(qū)動(dòng)下,去年大部分國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商在營(yíng)收及訂單方面表現(xiàn)出了強(qiáng)勁的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。2023年以來(lái),至純科技、中微公司、以及盛美上海均披露了其2022年年度報(bào)告。其中,2022年度,至純科技實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入30.5億元,同比增長(zhǎng)46.32%,新增訂單42.19億元,同比增長(zhǎng)30.62%;;中微公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收47.4億元,同比增長(zhǎng)52.5%,新簽訂單金額約63.2億元,同比增加約53%;盛美上海實(shí)現(xiàn)
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)備廠商  IGBT  
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          igbt-ipm介紹

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