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功率器件：新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟

功率半導(dǎo)體器件，也稱為電力電子器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉(zhuǎn)換成交流）、整流（交流轉(zhuǎn)換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉(zhuǎn)換）是基本的電能轉(zhuǎn)換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一新能源汽車是功率器件增量需求主要來(lái)源01 下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車為主作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件，功率器件下游應(yīng)用十分廣泛，包括新能源（風(fēng)電、光伏、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車）、消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等，根據(jù)每個(gè)細(xì)分領(lǐng)域性能要求
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瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動(dòng)IC 用于驅(qū)動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們?cè)诘蛪河蚪邮諄?lái)自MCU的控制信號(hào)，并將這些信號(hào)傳遞至高壓域，快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動(dòng)車輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
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IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對(duì)氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開分析，著重對(duì)不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進(jìn)行可靠性進(jìn)行研究。通過(guò)對(duì)比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強(qiáng)度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結(jié)果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強(qiáng)度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達(dá)到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測(cè)試7萬(wàn)次，滿足IGBT模塊對(duì)陶瓷基板可靠性需求。
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一文讀懂功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會(huì)用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設(shè)備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過(guò)一系列的轉(zhuǎn)換調(diào)制變成擁有特定電能參數(shù)的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過(guò)程中，20世紀(jì)50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀(jì)60至70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20世紀(jì)70年代
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10分鐘狂充80%電量！東風(fēng)碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車

近日消息，從東風(fēng)汽車官方獲悉，東風(fēng)碳化硅功率模塊項(xiàng)目課題已經(jīng)順利完成，將于2023年搭載東風(fēng)自主新能源乘用車，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門檻非常高，除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測(cè)試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級(jí)產(chǎn)品、第三代半導(dǎo)體，碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動(dòng)新能源汽車電氣架構(gòu)從400V到800V的迭代，從而實(shí)現(xiàn)10分鐘充電80%，并進(jìn)一步提升車輛續(xù)航里程，降低整車成本。同時(shí)，總投資2.8億元的功率模塊二期項(xiàng)
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吉利也要自制IGBT功率模塊，一期年產(chǎn)60萬(wàn)套

吉利招標(biāo)平臺(tái)發(fā)布了一則《晶能微電子一期工廠改造項(xiàng)目監(jiān)理工程招標(biāo)公告》。該公告指向，吉利加入IGBT封裝的自制隊(duì)伍。從開發(fā)走向制造晶能微電子一期工廠改造項(xiàng)目租賃樂(lè)坤產(chǎn)業(yè)園 A-3 的314單元約 5000 平萬(wàn)米，建設(shè)年產(chǎn)60萬(wàn)套IGBT 功率模塊的一期工廠，主要包括 3000 平方米的萬(wàn)級(jí)潔凈室及實(shí)驗(yàn)室，1000平方米的動(dòng)力站，1000 平方米的倉(cāng)庫(kù)及辦公區(qū)。本項(xiàng)目位于杭州市余杭區(qū)錢江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，杭州錢江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)于2006年3月6日經(jīng)浙江省人民政府批準(zhǔn)設(shè)立，是余杭區(qū)五大“產(chǎn)業(yè)平臺(tái)”之一，是連接杭州城東智
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半導(dǎo)體周期調(diào)整IGBT走強(qiáng)，頭部公司訂單飽滿紛紛擴(kuò)產(chǎn)

半導(dǎo)體周期雖然出現(xiàn)階段性調(diào)整，但受益于新能源汽車、新能源發(fā)電等需求推動(dòng)，以IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）為代表的功率器件強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng)，相關(guān)IGBT公司訂單量飽滿，產(chǎn)能供不應(yīng)求。車規(guī)級(jí)IGBT持續(xù)放量作為IGBT龍頭，斯達(dá)半導(dǎo)今年前三季度實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)達(dá)到5.9億元，同比增長(zhǎng)1.21倍，增速超過(guò)營(yíng)業(yè)收入，銷售毛利率達(dá)到41.07%，環(huán)比提升。在12月5日斯達(dá)半導(dǎo)三季度業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上，公司高管介紹，近幾個(gè)季度營(yíng)收增長(zhǎng)主要驅(qū)動(dòng)力來(lái)自公司產(chǎn)品在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、風(fēng)電等行業(yè)持續(xù)快速放量，市場(chǎng)份額不斷提高；隨著規(guī)?；?yīng)
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揭秘 IGBT 模塊封裝與流程

IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊，誕生于20世紀(jì)80年代，并在90年代進(jìn)行新一輪的改革升級(jí)，通過(guò)新技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通態(tài)壓降低、開關(guān)速度快、高電壓低損耗、大電流熱穩(wěn)定性好等等眾多特點(diǎn)于一身，而這些技術(shù)特點(diǎn)正式IGBT模塊取代舊式雙極管成為電路制造中的重要電子器件的主要原因。近些年，電動(dòng)汽車的蓬勃發(fā)展帶動(dòng)了功率模塊封裝技術(shù)的更新迭代。目前電動(dòng)汽車主逆變器功率半導(dǎo)體技術(shù)，代表著中等功率模塊技術(shù)的先進(jìn)水平，高可靠性、高功率密度并且要求成本競(jìng)爭(zhēng)力是其首先需要滿足的要求。功率器件模
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車規(guī)級(jí)IGBT，爆火

11月25日，時(shí)代電氣發(fā)布公告稱，公司擬對(duì)控股子公司株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中車時(shí)代半導(dǎo)體”）增資人民幣24.6億元，增資的資金用于中車時(shí)代半導(dǎo)體向公司購(gòu)買汽車組件配套建設(shè)項(xiàng)目（包含IGBT項(xiàng)目）部分資產(chǎn)。天眼查顯示，近日，宜興中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司成立，注冊(cè)資本36億元。該公司由時(shí)代電氣、株洲芯連接零號(hào)企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙）共同持股，經(jīng)營(yíng)范圍包含：半導(dǎo)體分立器件制造；半導(dǎo)體分立器件銷售；工程和技術(shù)研究和試驗(yàn)發(fā)展；貨物進(jìn)出口等。就在今年9月，時(shí)代電氣就已投資111億元加速擴(kuò)產(chǎn)IGBT項(xiàng)
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純電動(dòng)汽車用PMSM系統(tǒng)堵轉(zhuǎn)設(shè)計(jì)與應(yīng)用

摘要：介紹了一種純電動(dòng)汽車用永磁同步電機(jī)系統(tǒng)的堵轉(zhuǎn)控制包含對(duì)原理、法規(guī)要求過(guò)程分析、測(cè)試方法及策略控制應(yīng)用，通過(guò)對(duì)永磁同步電機(jī)的基本工作原理變換到堵轉(zhuǎn)的工作原理及帶來(lái)的問(wèn)題的原因，通過(guò)建立堵轉(zhuǎn)策略及仿真計(jì)算開展實(shí)施驅(qū)動(dòng)電機(jī)和IGBT的溫度保護(hù)策略，并確立目標(biāo)開展對(duì)驅(qū)動(dòng)電機(jī)和IGBT選型設(shè)計(jì)，通過(guò)仿真設(shè)計(jì)校核并通過(guò)臺(tái)架和整車實(shí)車測(cè)試驗(yàn)證設(shè)計(jì)目標(biāo)，驗(yàn)證了系統(tǒng)性能，安全性高，在通過(guò)設(shè)計(jì)對(duì)整車目標(biāo)進(jìn)行校核的同時(shí)，防止過(guò)度開發(fā)，降低了系統(tǒng)開發(fā)成本。關(guān)鍵詞：PMSM；PWM；堵轉(zhuǎn)；IGBT；載頻0
關(guān)鍵字： 202211 PMSM PWM 堵轉(zhuǎn) IGBT 載頻

新一代1700V IGBT7技術(shù)及其在電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

EconoDUAL?3是一款經(jīng)典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于級(jí)聯(lián)型中高壓變頻器、靜止無(wú)功發(fā)生器（SVG）和風(fēng)電變流器，覆蓋了中功率和一部分大功率的應(yīng)用場(chǎng)合。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展和市場(chǎng)對(duì)高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經(jīng)基于最新的1700V IGBT7技術(shù)開發(fā)了新一代的EconoDUAL?3模塊，并率先推出了900A和750A兩款新產(chǎn)品。本文首先分析了上一代最大電流等級(jí)600A的產(chǎn)品FF600R17ME4[1]在MVD和SVG中的典型應(yīng)用，然后介紹了1700V IG
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（上）

IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。英飛凌的IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)通常包含以下內(nèi)容：1. 封面，包括器件編號(hào)，IGBT技術(shù)的簡(jiǎn)短描述，如果是帶共封裝續(xù)流二極管的器件，數(shù)據(jù)手冊(cè)也會(huì)包括二極管的功能，關(guān)鍵參數(shù)，應(yīng)用以及基本的封裝信息。2. 最大額定電氣參數(shù)和IGBT熱阻/二極管熱阻3. 室溫下的電氣特性，包括靜態(tài)和動(dòng)態(tài)參數(shù)4. 25°C和150°C或175°C時(shí)的開關(guān)特性5. 電氣特性
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IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，關(guān)鍵元件該怎么選？

柵極驅(qū)動(dòng)中最關(guān)鍵的時(shí)刻是IGBT的開啟和關(guān)閉。我們的目標(biāo)是快速執(zhí)行此功能，在IGBT開啟時(shí)噪音和振鈴最小。不過(guò)，上升/下降時(shí)間過(guò)快可能會(huì)導(dǎo)致不必要的振鈴和不良EMI，而上升/下降時(shí)間過(guò)慢會(huì)增加IGBT的開關(guān)損耗。柵極驅(qū)動(dòng)中最關(guān)鍵的時(shí)刻是IGBT的開啟和關(guān)閉。我們的目標(biāo)是快速執(zhí)行此功能，在IGBT開啟時(shí)噪音和振鈴最小。不過(guò)，上升/下降時(shí)間過(guò)快可能會(huì)導(dǎo)致不必要的振鈴和不良EMI，而上升/下降時(shí)間過(guò)慢會(huì)增加IGBT的開關(guān)損耗。圖1：DGD0216 的柵極驅(qū)動(dòng)組件上圖展示的是來(lái)自Diodes的DGD0216柵極驅(qū)
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？

提到軟開關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_通ZVS（Zero voltage switching）和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時(shí)，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開關(guān)拓?fù)涞碾娫串a(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時(shí)想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。今天我就來(lái)嘮一嘮IGBT在軟開關(guān)拓?fù)渲械膽?yīng)用，IGBT是否能用于ZVS以及IGBT是否更適用于ZCS。長(zhǎng)期以來(lái)，IGBT給人的印象就如農(nóng)
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如何抑制IGBT集電極過(guò)壓尖峰

在過(guò)去的文章中，我們?cè)?jīng)討論過(guò)IGBT在關(guān)斷的時(shí)候，集電極會(huì)產(chǎn)生電壓過(guò)沖的問(wèn)題（回顧：IGBT集電極電壓超過(guò)額定電壓會(huì)發(fā)生什么？）。IGBT關(guān)斷時(shí)，集電極電流Ic迅速減小到0，急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感，產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上，使IGBT承受高于平常的電壓應(yīng)力。哪怕這電壓尖峰時(shí)間很短，也可能對(duì)IGBT造成永久性損壞。di/dt與IGBT芯片特性有關(guān)，也與關(guān)斷時(shí)器件電流有關(guān)。當(dāng)器件在短路或者過(guò)流狀態(tài)下關(guān)斷時(shí)，集電極電壓過(guò)沖會(huì)格外大，有可能超過(guò)額定值，從而損壞IGBT。所以如何抑制
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