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集成功率FET的鋰離子開關(guān)充電器
- 當(dāng)輸入至輸出的開銷電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時，線性電池充電器的功耗相當(dāng)大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節(jié)鋰離子電池組、12V車載適配器、1.2A額定充電電流)為例，其線性充電器的平均功耗超過5W。 bq241xx系列開關(guān)充電器是對過熱問題的簡便解決方案。內(nèi)置功率FET能夠提供高達2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz，輸入電壓最高可達18V，非常適用于由單節(jié)、雙或三節(jié)電池組供電的系統(tǒng)。該系列開關(guān)充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優(yōu)異特性，并且
- 關(guān)鍵字： FET 鋰離子開關(guān)充電器 電源
AB類功率放大器驅(qū)動電路的研究與設(shè)計
- 1 AB類功放驅(qū)動電路設(shè)計目標(biāo) 在實用電路中，往往要求放大電路的末級(即輸出級)輸出一定的功率，以驅(qū)動負載。能夠向負載提供足夠信號功率的放大電路稱為功率放大電路，簡稱功放。經(jīng)典功率放大器有4種類型：A類，AB類，B類和C類，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導(dǎo)通角的函數(shù)關(guān)系如圖1所示。 A類功率放大器的線性度好，功率傳遞能力差，效率最大值為50%，導(dǎo)通角為360
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 驅(qū)動電 放大器 MOS
飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅(qū)動器多芯片模塊
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅(qū)動器功率級解決方案FDMF6700，采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對于空間極度受約束的應(yīng)用，比如小外形尺寸的臺式電腦、媒體中心PC、超密集服務(wù)器、刀片服務(wù)器、先進的游戲系統(tǒng)、圖形卡、網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備，以及其它電路板空間有限的DC-DC應(yīng)用，F(xiàn)DMF6700為設(shè)計人員提供別具吸引力的解決方案。 在個人電腦主板中，典型的降壓轉(zhuǎn)換器在每個相位可能包含：采用DPAK封裝的三個N溝道MOSFE
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功率P-FET控制器LTC4414
- LTC4414是一種功率P-EFT控制器，主要用于控制電源的通、斷及自動切換，也可用作高端功率開關(guān)。該器件主要特點：工作電壓范圍寬，為3.5～36V；電路簡單，外圍元器件少；靜態(tài)電流小，典型值為30μA；能驅(qū)動大電流P溝道功率MOSFET；有電池反極性保護及外接P-MOSFET的柵極箝位保護；可采用微控制器進行控制或采用手動控制；節(jié)省空間的8引腳MSOP封裝；工作溫度范圍-40℃～+125℃。 圖1 LTC4414的引腳排列 引腳排列及功能 LTC4414的引腳排列如圖1所示，各引腳
- 關(guān)鍵字： LTC4414 P-FET 電源技術(shù) 工業(yè)控制 模擬技術(shù) 工業(yè)控制
日立瑞薩開發(fā)低功耗轉(zhuǎn)換存儲器單元
- 新型單元是一種用于嵌入式系統(tǒng)的下一代微控制器片上非易失存儲器的頗具前途的解決方案，它可以在1.5V電源電壓條件下進行編程，且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比，每個單元的功耗降低了50％。此外，相對于現(xiàn)有的非易失存儲器，新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此，這些原型可在
- 關(guān)鍵字： MOS 日立 瑞薩 存儲器
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