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	mos-fet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
           采用C-MOS轉換器的石英晶體振蕩電路
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產品也得到了進一步的充實。用2級TTL構成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構成的振蕩電路替代，因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當，容易停振或
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        C-MOS  轉換器  石英晶體  振蕩電路                            
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          可設定10~100秒的長時間C-MOS定時電路
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路，R用高阻值，便可加長CR時間常數(shù)，但是，由于內部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無法驅動，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片，選用高阻
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          • 關鍵字：
                        電路  定時  C-MOS  時間  設定                          
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          使用FET輸入型OP放大器的長時間模擬定時電路
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器，這樣可以減少IC的數(shù)量，事先了
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        FET  輸入  OP放大器  模擬定時電路                            
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          可用于VCA或幅度調制的FET乘法運算電路
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運算與幅度調制（AM）等效，可作為低頻調制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        VCA  FET  幅度調制  乘法運算電路                            
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          使用結型FET的簡易電壓控制放大器
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
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          • 關鍵字：
                        FET  結型  電壓控制  放大器                            
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          Vishay推出4款MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。

　　新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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          • 關鍵字：
                        Vishay  MOSFET  FET                          
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          友達光電宣布收購FET公司的FED資產及技術
          
                                                            
            
                    	
          • 　　友達光電1月20日宣布， 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產收購技術移轉協(xié)議，收購FET的場發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術，該公司為全球FED技術的領導者。友達在此交易中，將取得FET顯示技術及材料的專利、技術、發(fā)明，以及相關設備等資產。
　　FED技術在快速反應時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
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          • 關鍵字：
                        友達  FED  FET                          
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          瞄準高端市場  友達將收購FET的部分資產
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　臺灣友達科技近日宣布，他們已經與FET公司以及FET日本公司達成了協(xié)議，友達將出資收購FET公司的部分資產，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術。FET公司目前在FED場射顯示技術(Field Emission Display)領域占據領先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達并表示，其收購的內容將包括FED場射面板相 關技術專利，F(xiàn)ED技術實施方案，以及FED面板生產用設備等。

　　FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
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          • 關鍵字：
                        友達  FED  FET                          
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          砷化鎵外延襯底市場規(guī)模將超過4億美元 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預測2008-2013”。報告總結，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達到22%，但 Strategy Analytics 預計2009年該市場將持平或轉負增長。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復增長。
　　一直
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          • 關鍵字：
                        GaAs  外延襯底  FET  HBT                          
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          T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉換器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉換器，該器件將寬泛的輸入、輕負載效率以及更小的解決方案尺寸進行完美結合，可實現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機制的 1 MHz DC/DC 轉換器，與同類競爭產品相比，該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時，還可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應。該轉換器充分利用自動跳過模式與 Eco-mode 輕負載控制機制，幫助設計人員滿足能量之星/90Plus 標準的要求，從而可實現(xiàn)整個負載范圍內的高
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          • 關鍵字：
                        TI  FET  轉換器  TPS51315                          
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          集成電路布圖設計登記：數(shù)量持續(xù)上升 中國企業(yè)占優(yōu)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　2008年，受到全球半導體市場衰退的影響，中國集成電路產業(yè)由前幾年的較快增長轉變?yōu)橄禄?。盡管中國以內需市場為主的集成電路設計業(yè)仍實現(xiàn)了一定增長，但嚴重依賴出口的芯片制造和封測行業(yè)下滑嚴重。市場的變化和利潤的減少迫使企業(yè)不斷創(chuàng)新，知識產權問題將變得更加重要。作為集成電路行業(yè)特殊的知識產權保護形式，集成電路布圖設計登記應得到更多的關注。
　　最近，中國半導體行業(yè)協(xié)會知識產權工作部和上海硅知識產權交易中心聯(lián)合推出中國集成電路布圖設計登記2008年度報告，本期刊登部分節(jié)選，供業(yè)界研究參考。
　　本報告數(shù)據
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          • 關鍵字：
                        NEC  MOS  集成電路布圖設計                          
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          ADI公司推出快速FET運算放大器
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2009年1月22日，中國北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最新推出一款業(yè)界最快的場效應晶體管(FET)運算放大器——ADA4817。這款產品工作頻率高達1GHz，設計用于高性能的便攜式醫(yī)療診斷設備和儀器儀表設備。與競爭器件相比，可提供兩倍的帶寬，同時噪聲降低一半。它已被領先的醫(yī)療、測試和測量設備公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫(yī)療設備。與ADA4
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          • 關鍵字：
                        ADI  運算放大器  FET  ADA4817                          
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          德州儀器1.5A 線性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率
          
                                                            
            
                    	
          • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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                        FET  TI  IC－bq2407x                          
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          麻省理工學院計劃為發(fā)展中國家開發(fā)12美元PC 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美國麻省理工學院一個為第三世界家庭開發(fā)廉價計算機的項目組將以任天堂娛樂系統(tǒng)為基礎而不是以蘋果II電腦為基礎進行設計。這兩種系統(tǒng)都采用相同的處理器芯片。
　　一些Mac計算機網站指出，《波士頓先驅報》本周一的一篇文章介紹了本月麻省理工學院國際設計峰會部分內容“教育家庭計算計劃”。這個計劃的目標是開發(fā)成本只有12美元的初級計算機。
　　雖然設計師之一的27歲研究生Derek Lomas說他希望給第三世界的學校提供類似于伴隨他長大蘋果II計算機，但是，他和他的團隊研制的這種計算機
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                        PC  廉價  處理器  MOS 6502                          
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          TI推出具有啟動過程中禁止吸入功能的DC/DC 轉換器
          
                                                            
            
                    	
          • 　　TPS54377 是一款輸入電壓為 3V ～6V 的 DC/DC 轉換器，具有可將電壓步降至 0.9V 的集成的 FET。其轉換頻率為同步頻率并可調至 1.6MHz，以減少外部組件數(shù)量且有助于確定頻譜噪聲頻帶。該器件在整個溫度范圍內均可提供高達 3A 的輸出電流并可支持 4A 的峰值輸出電流。其具有電源狀態(tài)良好指示、啟動、可調慢啟動、電流限制、熱關斷以及 1% 的參考精度等特性。TPS54377 可用于寬帶、聯(lián)網和通信基礎設施、分布式電源系統(tǒng)以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 穩(wěn)壓。

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                        TI   轉換器  DC/DC  FET                          
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