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          一種寬范圍可調的小型DC-DC降壓變換器

          • 提出了一種小型可調壓DC-DC降壓變換器的結構。主電路由MOSFET管、電感器及濾波電容器構成。通過PWM波控制,由于PWM波的驅動能力較差,設計驅動電路通過與PWM發(fā)生器一同控制MOSFET管的通斷。通過改變PWM波的占空比來改變輸出電壓以達到可調壓的目的。該降壓變換器設計簡單、經(jīng)濟適用、體積較小,輸出電壓可調。主要由主電路和驅動電路組成。該變換器適用于較低壓工作場合,輸入電壓在5V至20V之間,輸出電壓在3V至18V之間。對電路的工作原理和結構進行了深入分析,并通過實物制作驗證其可行性。
          • 關鍵字: DC-DC降壓  PWM  MOSFET  驅動電路  201601  

          意法半導體(ST)推出新款功率MOSFET,實現(xiàn)更小、更環(huán)保的汽車電源

          •   意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產(chǎn)品通過AEC-Q101汽車測試認證,采用意法半導體最先進、內置快速恢復二極管的MDmeshTM DM2超結制造工藝,擊穿電壓范圍為400V至650V,可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝?! ?00V和500V兩款新產(chǎn)品是市場上同級產(chǎn)品中首個獲得AEC-Q101認證的功率MOSFET,而600V和650V產(chǎn)品性能則高于現(xiàn)有競爭產(chǎn)品。全
          • 關鍵字: 意法半導體  MOSFET  

          如何通過配置負載點轉換器提供負電壓或隔離輸出電壓

          •   在溫度高達 210 攝氏度或需要耐輻射解決方案的惡劣環(huán)境應用中,集成型降壓解決方案可充分滿足系統(tǒng)需求。有許多應用需要負輸出電壓或諸如 +12V 或 +15V 等隔離輸出電壓為 MOSFET 柵極驅動器電路供電或者為運算放大器實現(xiàn)偏置。我們將在本文中探討如何使用 TPS50x01 配置降壓轉換器,提供負輸出電壓。此外,我們還將討論如何通過提供高于輸入壓的電壓來滿足應用需求?! PS50601-SP和TPS50301-HT都是專為耐輻射、地質、重工業(yè)以及油氣應用等惡劣環(huán)境開發(fā)的集成型同步降壓轉換器解決方
          • 關鍵字: MOSFET  TPS50601-SP  電壓隔離  

          意法半導體(ST)推出新款電源芯片,將大幅降低家電、照明及工業(yè)設備中的待機功耗

          •   橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出符合國際零待機功耗標準的新電源管理芯片,率先為白色家電(white good)、照明及工業(yè)設備提供喚醒功能智能管理方式。這也代表著電能吸血鬼(裝置在被關掉或處于閑置狀態(tài)時仍在消耗電能)將不復存在。   最大限度降低用電設備的待機耗電量(也稱:電能吸血鬼)是設計人員長期努力的目標,這也推動了全世界啟用IEA[1]等國際組織提出的節(jié)能建議,即在2010年和2013年前將電器待機功耗分別降至1W和0
          • 關鍵字: 意法半導體  MOSFET  

          意法半導體(ST)推出世界首款1500V超結功率MOSFET,實現(xiàn)更環(huán)保、更安全的電源應用

          •   意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現(xiàn)產(chǎn)品效能最大化,同時提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5產(chǎn)品是世界首款兼?zhèn)涑Y技術優(yōu)點與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管,并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。   新產(chǎn)品瞄準計算機服務器及工業(yè)自動化市場。服務器要求更高的輔助開關式電源輸出功率,同時電源穩(wěn)健性是最大限度減少斷電停機時間的關鍵要素,電焊、工廠自
          • 關鍵字: 意法半導體  MOSFET  

          更小、更快、更酷、更高效,900V SiC MOSFET在PFC中的應用

          •   Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品,拓展了高頻電力電子應用的范圍。相比于相當于硅MOSFET,這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場通過擴大我們在終端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產(chǎn)品提供了更高的開關速率和更低的開關損耗,從而為電力電子工程師們提供了設計出更小,更快,更酷,更高效的電源解決方案可能。   新的900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品極大的擴大了產(chǎn)品應用空間,能夠更好的應對不斷發(fā)展變化的應用領域,更高的直流母線電壓可以覆蓋
          • 關鍵字: Wolfspeed   MOSFET  

          性價比:SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點

          •   Si MOSFET管因為其輸入阻抗高,隨著其反向耐壓的提高,通態(tài)電阻也急劇上升,從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件,具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強,同時又具有通態(tài)電阻低和開關損耗小等特點,是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。   SiC與Si性能對比   簡單來說,SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
          • 關鍵字: SiC  MOSFET  

          Diodes全新100V MOSFET優(yōu)化以太網(wǎng)供電應用

          •   Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標準的48V以太網(wǎng)供電 (PoE) 系統(tǒng)的開關,能夠通過以太網(wǎng)線纜向無線接入點、VoIP網(wǎng)絡電話、銷售點終端、呼叫系統(tǒng)、IP網(wǎng)絡監(jiān)控鏡頭及樓房管理設備等終端應用供電。   在局域網(wǎng)路由器及中跨設備等供電設備內,100V N通道MOSFET把電源接到五類或六類網(wǎng)線。然后網(wǎng)線就會借由消除供終端設備內的電源降低成本,并提供電力和數(shù)據(jù)。該器件還保障了終端用戶,因為以太網(wǎng)
          • 關鍵字: Diodes  MOSFET  

          用于功率開關的電阻-電容(RC)緩沖電路設計

          •   功率開關是所有功率轉換器的核心組件。功率開關的工作性能直接決定了產(chǎn)品的可靠性和效率。若要提升功率轉換器開關電路的性能,可在功率開關上部署緩沖器,抑制電壓尖峰,并減幅開關斷開時電路電感產(chǎn)生的振鈴。正確設計緩沖器可提升可靠性和效率,并降低EMI。在各種不同類型的緩沖器中,電阻電容(RC)緩沖器是最受歡迎的緩沖器電路。本文介紹功率開關為何需要使用緩沖器。此外還提供一些實用小技巧,助您實現(xiàn)最優(yōu)緩沖器設計。        圖1: 四種基本的功率開關電路   有多種不同的拓撲用于功率轉換器、
          • 關鍵字: 功率開關  MOSFET  

          學習總結之電路是計算出來的

          •   簡介:不斷的思考,不斷的理解,不斷的總結!希望大家堅持下去!   1、CS單管放大電路   共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大,即獲得較高的電壓增益。在直流分析時,根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點,而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知,MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍,主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍,小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH,最大值約為VDD,假設其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性,并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
          • 關鍵字: CMOS  MOSFET  

          如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

          •   摘要: 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應用,分析了MOSFET損耗特點,提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關系。   關鍵詞:MOSFET 損耗分析 EMI  金升陽R3   一、引言   MOSFET作為主要的開關功率器件之一,被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗,反而會引起更嚴重的EMI問題,導致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗
          • 關鍵字: MOSFET  EMI  

          Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC為輔助和待機電源帶來革命性變化

          •   關注高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界領導者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線反激式開關IC。新的IC產(chǎn)品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制,因此可提供出色的多路輸出交叉調整率,同時提供全面的輸入電壓保護和即時動態(tài)響應,并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink™技術,可設計出無需光耦的高效率、高精度和
          • 關鍵字: Power Integrations  MOSFET  

          意法半導體(ST)的先進60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制

          •   意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)的槽柵結構低壓MOSFETs STripFET™ F7系列將新增60V的產(chǎn)品線,可協(xié)助電信、服務器和臺式PC機的電源以及工業(yè)電源和太陽能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉換器達到嚴格的能效標準要求,最大限度提升電源功率密度。   STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導通能效和開關性能,還簡化了通道間的槽柵結構(trench-gate structure),實現(xiàn)極低的導通電阻、電容和柵電荷量,并取得
          • 關鍵字: 意法半導體  MOSFET  

          全新英飛凌功率MOSFET系列使電動工具更緊湊耐用

          •   DIY工具,比如無線電鉆和電鋸必須方便使用且經(jīng)久耐用。因此,其所用的電子元件必須緊湊、堅固。英飛凌科技股份公司擴展StrongIRFET™ Power MOSFET產(chǎn)品系列,推出同時滿足緊湊和耐用要求的解決方案。新推出的邏輯電平 StrongIRFET™ 器件可以直接由單片機驅動,節(jié)省空間和降低成本。此外,StrongIRFET™十分堅固耐用,幫助延長電子產(chǎn)品的使用壽命。   經(jīng)過實驗證明StrongIRFET系列器件能夠最大限度提高電動工具的能效。這次邏輯電
          • 關鍵字: 英飛凌  MOSFET  

          e絡盟為醫(yī)療、消費電子及可替代能源等應用領域新增五款業(yè)內首選的威世Super 12系列創(chuàng)新產(chǎn)品

          •   e絡盟日前宣布新增多款來自全球半導體和分立器件領先供應商威世2015 Super 12系列的創(chuàng)新型無源元件和半導體產(chǎn)品,其中包括電容、電阻及MOSFET,適用于醫(yī)療、消費電子、可替代能源、工業(yè)、電信、計算及汽車電子等各種應用領域。   e絡盟大中華區(qū)區(qū)域銷售總監(jiān)朱偉弟表示:“e絡盟擁有來自全球領先供應商的豐富產(chǎn)品系列,可充分滿足廣大用戶對最新技術的需求,幫助他們進行產(chǎn)品開發(fā)與制造。此次新增的幾款威世Super 12系列創(chuàng)新型產(chǎn)品均為全球最佳產(chǎn)品。用戶可通過e絡盟升級版網(wǎng)站,更加快捷地查看
          • 關鍵字: e絡盟  MOSFET  
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