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德州儀器推出NexFET? N溝道功率MOSFET 可實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低電阻

　　日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。此外，TI面向低電壓電池供電型應(yīng)用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實(shí)現(xiàn)了比同類競(jìng)爭(zhēng)器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設(shè)計(jì)，敬請(qǐng)?jiān)L問：www.ti.co
關(guān)鍵字：德州儀器 MOSFET CSD16570Q5B

Diodes全新MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提升轉(zhuǎn)換效率

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對(duì)1A額定值的40V緊湊型柵極驅(qū)動(dòng)器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式電源以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封裝) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封裝) 可縮減MOSFET的開關(guān)時(shí)間，有助于盡量降低開關(guān)損耗、改善功率密度，以及提升整體轉(zhuǎn)換效率。　　新驅(qū)動(dòng)器作為低功率控制IC的高增益緩沖級(jí)，能夠從僅10mA的輸入電流提供500mA的典型驅(qū)動(dòng)電流
關(guān)鍵字： Diodes 驅(qū)動(dòng)器 MOSFET

Exar推出通用PMIC輸入電壓高達(dá)40V,適合任何FPGA，SoC或DSP

　　領(lǐng)先的高性能集成電路和系統(tǒng)解決方案提供商Exar公司，即日宣布發(fā)布一款6V至40V的工作電壓范圍，四路輸出可編程通用PMIC-XR77129。其專利性的控制架構(gòu)，采用17-bit寬PID電壓型輸入前饋方式，非常適合40V輸入電壓范圍。該控制器提供單輸入電壓，四路輸出電壓軌，降壓式控制器內(nèi)部集成MOSFET門極驅(qū)動(dòng)和雙LDO輸出該產(chǎn)品還可以通過I2C總線實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電源狀態(tài)，動(dòng)態(tài)控制輸出電壓參數(shù)。五個(gè)可配置GPIO可以用于狀態(tài)指示和時(shí)序控制，以加速電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。　　XRP77129使用Exar設(shè)計(jì)工具P
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LED襯底第三代半導(dǎo)體SiC技術(shù)的崛起

　　第一代半導(dǎo)體材料Si點(diǎn)燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國(guó)硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群，促使英特爾等世界半導(dǎo)體巨頭的誕生，95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。　　　　目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉(zhuǎn)換最大耗散是半導(dǎo)體功率器件。曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當(dāng)今社會(huì)發(fā)展對(duì)于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型
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封裝寄生電感是否會(huì)影響MOSFET性能？

　　I.引言　　高效率已成為開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)的必需要求。為了達(dá)成這一要求，越來越多許多功率半導(dǎo)體研究人員開發(fā)了快速開關(guān)器件，舉例來說，降低器件的寄生電容，并實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，以降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。這些快速開關(guān)器件容易觸發(fā)開關(guān)瞬態(tài)過沖。這對(duì)SMPS設(shè)計(jì)中電路板布局帶來了困難，并且容易引起了柵極信號(hào)振蕩。為了克服開關(guān)瞬態(tài)過沖，設(shè)計(jì)人員通常采取的做法是借助緩沖電路提高柵極電阻阻值，以減慢器件開關(guān)速度，抑制過沖，但這會(huì)造成相對(duì)較高的開關(guān)損耗。對(duì)于采用標(biāo)準(zhǔn)通孔封裝的快速開關(guān)器件，總是存在效率與易用性的
關(guān)鍵字：寄生電感 MOSFET

從Si功率模塊到SiC基板，中國(guó)企業(yè)垂青功率半導(dǎo)體

　　
關(guān)鍵字：功率模塊 MOSFET IGBT

Diodes OR'ing控制器提升不間斷電源可靠性

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V額定值的動(dòng)態(tài)OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升電信系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心及服務(wù)器不間斷電源的可靠性。新產(chǎn)品旨在全面改善超低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，從而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻斷二極管，有效降低工作溫度并加強(qiáng)不間斷電源系統(tǒng)的完整性。　　新控制器通過以這種方式驅(qū)動(dòng)MOSFET，同時(shí)提升標(biāo)準(zhǔn)12V和24V共軌系統(tǒng)的整體系統(tǒng)效率。與其它同類型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的關(guān)斷電壓閾值。器件的電壓少于-
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET ZXGD3108N8

東芝推出40V電壓功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列

　　東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統(tǒng)的U-MOS VI-H系列，新系列減少了76%的導(dǎo)通電阻，實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的低導(dǎo)通電阻[1]。此外，它還減少了Qoss[2]的增加，從而提高開關(guān)電源的效率。樣品出貨即日起啟動(dòng)。　　注：　　·[1]截至2014年11月4日。東芝調(diào)查。　　·[2]Qoss：輸出電荷。　　主要特性　　&m
關(guān)鍵字：東芝 MOSFET 低導(dǎo)通電阻

IR 推出4×5 PQFN功率模塊封裝的25V IRFH4257D FastIRFET雙功率MOSFET

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項(xiàng)新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能，使其可用于更低功率的緊湊型設(shè)計(jì)，適合12V輸入DC-DC同步降壓應(yīng)用，包括先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、服務(wù)器、顯示適配器、臺(tái)式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應(yīng)用。　　　
關(guān)鍵字：國(guó)際整流器 MOSFET DC-DC

聯(lián)電明年產(chǎn)能搶購(gòu)一空

　　8寸晶圓代工產(chǎn)能卡位戰(zhàn)提前啟動(dòng)，法人指出，聯(lián)電8寸廠能已被指紋辨識(shí)芯片、LCD驅(qū)動(dòng)IC，以及電源管理IC客戶搶購(gòu)一空，明年將成為8寸晶圓代工大贏家。　　過往8寸晶圓廠主要生產(chǎn)LCD驅(qū)動(dòng)IC、電源管理芯片等產(chǎn)品，隨著蘋果新機(jī)導(dǎo)入指紋辨識(shí)芯片，非蘋陣營(yíng)明年全面跟進(jìn)，相關(guān)芯片廠也開始卡位8寸晶圓產(chǎn)能，造就市場(chǎng)榮景。　　此外，原以6寸生產(chǎn)金屬化合物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)也為了提升競(jìng)爭(zhēng)力，相繼轉(zhuǎn)入8寸廠生產(chǎn)，讓8寸晶圓廠產(chǎn)能更為吃緊。　　包括指紋辨識(shí)芯片、LCD驅(qū)動(dòng)IC及電源管理芯片三大半
關(guān)鍵字：聯(lián)電 MOSFET LCD

42V、5A (IOUT)、同步降壓型 Silent Switcher 在 2MHz 提供 95% 效率

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A、42V 輸入同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 LT8640。該器件采用獨(dú)特的 Silent Switcher® 架構(gòu)，整合了擴(kuò)展頻譜調(diào)制，即使開關(guān)頻率超過 2MHz 時(shí)，依然能夠?qū)?EMI / EMC 輻射降低超過 25dB，從而使該器件能夠輕松地滿足汽車 CISPR25 Class 5 峰值限制要求。同步整流在開關(guān)頻率為 2MHz 時(shí)可提供高達(dá) 95% 的效率。其 3.4V 至 42V 輸入電壓范圍使該器件非常適合
關(guān)鍵字：凌力爾特 LT8640 MOSFET

易于符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案，并展示在評(píng)估電路板 DC2150A 上。MIL-STD-1275D 是美國(guó)國(guó)防部制定的標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了地面軍用車輛所用 28V DC 電源的穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)電壓特性。當(dāng)面對(duì) MIL-STD-1275D 中嚴(yán)格規(guī)定的浪涌、尖峰和紋波波形時(shí)，DC2150A 可將輸出電壓限制到安全的 44V。就大多數(shù)應(yīng)用而言，要滿足該標(biāo)準(zhǔn)就是簡(jiǎn)單地將 DC2150A 電路放置到容限為 44V
關(guān)鍵字：凌力爾特 DC2150A MOSFET

IR的電池保護(hù)MOSFET系列為移動(dòng)應(yīng)用提供具有成本效益的靈活解決方案

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日針對(duì)鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。　　　　全新功率MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻，可大幅減少導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅(qū)動(dòng)從12 Vgs起，非常適合包含了兩個(gè)串聯(lián)電池的電池保護(hù)電路。IRL6297SD
關(guān)鍵字： IR MOSFET IRL6297SD

意法半導(dǎo)體(ST)的新650V超結(jié)MOSFET提升能效和安全系數(shù)

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)的最新超結(jié) (super-junction) 功率MOSFET滿足家電、低能源照明系統(tǒng)以及太陽能微逆變器廠商對(duì)電源能效的要求，同時(shí)提供更高可靠性的最新且滿足高功率密度的封裝。　　MDmesh M2系列產(chǎn)品擁有最新最先進(jìn)的超結(jié)晶體管技術(shù)，取得了比上一代產(chǎn)品更低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，以及更低的柵電荷量 (QGD) 和輸入/輸出電容 (Ciss/Coss)。此外，這些產(chǎn)品更進(jìn)一步降低了能耗和熱耗散 (heat dissipation)
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET PowerFLAT

意法半導(dǎo)體(ST)慶祝羅塞塔號(hào)彗星探測(cè)器成功登陸彗星

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)慶祝羅塞塔號(hào)彗星探測(cè)器(Rosetta)及其菲萊號(hào)登陸器(Philae)成功登陸彗星。羅塞塔號(hào)和菲萊號(hào)內(nèi)有10,000余顆意法半導(dǎo)體研制的高可靠性抗輻射芯片。　　在歷經(jīng)10多年，長(zhǎng)達(dá)60億公里的漫長(zhǎng)太空之旅后，羅塞塔號(hào)彗星探測(cè)器終于抵達(dá)并成功釋放菲萊號(hào)登陸器登上67P/楚留莫夫-格拉希門克(67P Churyumov-Gerasimenko)彗星，菲萊號(hào)登陸器將完成拍攝彗星表面的圖片，并分析彗星
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET