- 全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。
兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。
飛兆半
- 關鍵字：
英飛凌 MOSFET DC-DC
- 全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。
兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。
飛兆半
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Fairchild MOSFET
- 據(jù)來自IC分銷渠道的消息人士透露，目前包括電源管理芯片(PWM)、金氧半場效晶體管(MOSFET)和DRAM在內的大部分半導體元件供應比較緊張，但是由于代工廠已經(jīng)在滿負荷運行，預計短期內這種情況不會得到緩解。
據(jù)臺灣媒體報道，消息人士指出，預計在今年第二季度，半導體元件的價格漲幅將超過10%。在第一季度中，其價格已經(jīng)平均提高了5-10%。
另外，消息人士還表示，由于在第一季度NOR閃存芯片供應不足，多芯片封裝(multi-chip package，MCP)價格漲幅最大，在今年余下幾個月中，
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PWM MOSFET DRAM
- 準方波諧振轉換器也稱準諧振(QR)轉換器，廣泛用于電源適配器。準方波諧振的關鍵特征是金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在漏極至源極電壓(VDS)達到其最低值時導通，從而減小開關損耗及改善電磁干擾(EMI)信號。
準諧振轉換器采用不連續(xù)導電模式(DCM)工作時，VDS必須從輸入電壓(Vin)與反射電壓(Vreflect)之和降低到Vin。變壓器初級電感(Lp)與節(jié)點電容(Clump，即環(huán)繞MOSFET漏極節(jié)點的所有電容組合值，包括MOSFET電容和變壓器寄生電容等)構成諧振網(wǎng)絡，Lp與C
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安森美 MOSFET 電源適配器 EMI
- 用于高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出創(chuàng)新的雙端子CAPZero系列IC，該IC可對X電容自動進行放電，不僅能消除功率損耗，還可輕松滿足各項安全標準。
X電容通常位于電源的輸入端子之間，用于過濾EMI噪聲。由于它們可以在AC斷電后長時間貯存高壓電能，因此會構成安全威脅。電阻通常用于對這些電容進行放電，以便滿足安全要求;但這些電阻會在AC接通后產生恒定的功率損耗，這是造成空載及待機輸入功耗的重要因素。
CAPZero與放電電容串聯(lián)
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PI CAPZero MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應用 (包括服務器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。
IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術，還具有業(yè)界領先的性能指數(shù) (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關和熱特性，成為一個為高頻率 DC-DC 開
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IR MOSFET DirectFET 芯片組
- 應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產品。
NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時分別擁有2 毫歐(m?)、3 m?及5 m?的最大導通阻抗(RDS(on))值，針對降壓轉換器應用中的同步端而優(yōu)化，達致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時)規(guī)格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 nC及1
- 關鍵字：
安森美 MOSFET 肖特基二極管
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列，適用于需要低導通電阻的各種應用，包括電動助力轉向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制、DC-DC 轉換、電池開關，以及內燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺的其它重載應用。
新器件采用了 IR 經(jīng)過驗證的 Gen 10.2 技術，可提供低至 1.0 mΩ 的導通電阻 (最大) ，在各種表面貼裝器件 (SMD) 和通孔封裝上均可承受 24V 至
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IR MOSFET
- 下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非所有原創(chuàng)。包含 MOS管的推選 ，特征，驅動以及運用 電路?！?br /> 在運用 MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會思慮 M
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MOSFET 利用 原理 電路 驅動
- 日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓撲，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。
SiHF8N50L-E3改善了反向恢復特性，從而能夠更好地抵御EMI，實現(xiàn)更高的效率，同時避免出現(xiàn)導致MOSFET燒毀的內部體二極管恢復故障。
Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級，在10V柵極驅動下的最大導通電
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Vishay MOSFET
- 美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預測，該產品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設備等方面的應用將取得進展。
目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉
- 關鍵字：
GaN MOSFET
- 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應用中評定這些參數(shù)對其的影響，以及在哪些應用條件下需要考慮這些參數(shù)。本文將論述這些問題，同時探討功率MOSFET在非鉗位感性開關條件下的工作狀態(tài)。
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雪崩 能量 UIS MOSFET 功率 理解
- 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的液晶電視功率解決方案相比現(xiàn)今使用的傳統(tǒng)解決方案，可為設計人員提供顯著優(yōu)勢，最近的創(chuàng)新技術能夠減少元件數(shù)目，簡化設計，并進一步提高可靠性——所有這些可以大幅降低成本。
通過技術進步，飛兆半導體的半橋解決方案Ultra FRFET系列進一步優(yōu)化設計，具有35ns~65ns的同類最佳反向恢復時間(trr)和業(yè)界最小的反向恢復電流(1.8A ~ 3.1A)。目前的液晶電視設計使用MOSFET和半橋電路中的兩個快速恢
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Fairchild 液晶電視 MOSFET
- 據(jù)iSuppli公司，由于高端服務器、筆記本電腦、手機和有線通訊領域的快速增長，氮化鎵(GaN)電源管理半導體市場到2013年預計將達到1.836億美元，而2010年實際上還幾乎一片空白。
GaN是面向電源管理芯片的一種新興工藝技術，最近已從大學實驗階段進入商業(yè)化階段。該技術對于供應商來說是一個有吸引力的市場機會，它可以向它們的客戶提供目前半導體工藝材料可能無法企及的性能。
iSuppli公司認為，在過去兩年里，有幾件事情使得GaN成為電源管理半導體領域中大有前途的新星。
首先，硅在
- 關鍵字：
iSuppli MOSFET 電源管理芯片
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能產品。這些系列器件具有業(yè)內領先的標準，如容值電壓、電流等級和導通電阻。這些創(chuàng)新產品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進行展示，是很多關鍵應用的理想選擇，也是Vishay廣泛的產品線組合的典型代表產品。
2010年將要發(fā)布的Super 12產品是：
597D和T97多模鉭電容：對于+28V應
- 關鍵字：
Vishay 電容 導通電阻 MOSFET
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