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Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。 這三款器件的低導(dǎo)通電阻意味著更低的功率損耗，從而在各種應(yīng)用的功率因數(shù)校正(PFC)升壓電路、脈寬調(diào)
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET
晶圓代工漲15% 模擬IC點(diǎn)頭
- 包括德儀、 英飛凌、國家半導(dǎo)體(NS)、安森美(On Semi)等IDM廠，開出高于業(yè)界水平價格，包下 臺積電、 聯(lián)電、世界先進(jìn)等晶圓代工產(chǎn)能，成熟制程產(chǎn)能不足問題，已對立锜、致新等臺灣模擬IC業(yè)者造成排擠效應(yīng)。為了避免下半年旺季時無貨可出，臺灣業(yè)者只能松口答應(yīng)調(diào)漲代工價10%至15%不等幅度，以便爭取到更多產(chǎn)能。 下半年將進(jìn)入手機(jī)及計(jì)算機(jī)銷售旺季，不論市場是否對市場需求有所疑慮，但業(yè)界仍認(rèn)為旺季仍會有旺季應(yīng)有表現(xiàn)，至少第3季的手機(jī)、筆電、消費(fèi)性電子產(chǎn)品等出貨量，與去年同期相較仍有2成至3成的年
- 關(guān)鍵字： 飛思卡爾 MOSFET 模擬IC
iSuppli：部分芯片產(chǎn)品交貨期拉長至20周
- 市場研究機(jī)構(gòu)iSuppli指出，部分模擬、邏輯、內(nèi)存與電源管理IC 出現(xiàn)嚴(yán)重缺貨現(xiàn)象，導(dǎo)致價格上揚(yáng)與交貨期延長至“令人擔(dān)憂的程度”。“當(dāng)交貨期來到20周左右的水平，意味著零組件供應(yīng)端與需求端出現(xiàn)了很大的差異;”追蹤半導(dǎo)體與零組件價格的iSuppli資深分析師Rick Pierson表示。 當(dāng)零組件供應(yīng)端出現(xiàn)吃緊情況，對照目前正處于復(fù)蘇狀態(tài)的市場，或許并不令人驚訝;Pierson指出，特定的市場與價格也激化各種零組件領(lǐng)域出現(xiàn)不同程度的短缺。根據(jù)iSu
- 關(guān)鍵字： 電源管理 MOSFET
Vishay Siliconix推出新款ThunderFET 功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET?功率MOSFET --- ThunderFET? SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動下就能導(dǎo)通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5m?、6.7m?和5.9m?的超低導(dǎo)通電阻。在4.5V柵極驅(qū)動下，該器件的典型導(dǎo)通電
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET SiR880DP
IR 拓展了中壓功率 MOSFET 產(chǎn)品組合推出采用 PQFN 封裝和銅夾技術(shù)的新產(chǎn)品
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。 新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能，適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開關(guān)電源(SMPS)及電機(jī)驅(qū)動開關(guān)等開關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg)，為客戶的特定應(yīng)用提供
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET HEXFET
IR拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。 新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能，適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開關(guān)電源(SMPS)及電機(jī)驅(qū)動開關(guān)等開關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg)，為客戶的特定應(yīng)用提供
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英飛凌推出CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列
- 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)(SJ)器件的優(yōu)勢(如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗)與輕松控制的開關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起。基于同樣的技術(shù)平臺，C6器件針對易用性進(jìn)行了優(yōu)化，而E6器件則旨在提供最高效率。 CoolMOS™ C6/E6是來自英飛凌的第六代市場領(lǐng)先的高壓超級結(jié)功率MOSFET。全新的650V CoolMOS™ C6/E6器件具備快速、可控的開關(guān)性能，
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 CoolMOS MOSFET
TI推出可在25A電流下實(shí)現(xiàn)超過90%高效率的同步MOSFET半橋
- 德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級封裝將 2 個非對稱 NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高性能。更多詳情，敬請?jiān)L問：www.ti.com.cn/powerblock-prcn。 NexF
- 關(guān)鍵字： TI MOSFET NexFET CSD86350Q5D
Vishay發(fā)布助客戶進(jìn)一步節(jié)約器件占位空間和系統(tǒng)成本的解決方案的視頻教程
- 日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為幫助客戶了解在一個小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉(zhuǎn)換器的空間和成本，該公司在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上新增了一個流媒體視頻，展示SiZ700DT PowerPAIR?雙芯片不對稱功率MOSFET解決方案。 傳統(tǒng)上，設(shè)計(jì)者要在筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機(jī)，以及工業(yè)系統(tǒng)的DC-DC轉(zhuǎn)換中實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)電源、POL、低電流DC-DC和同步降壓轉(zhuǎn)換
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET DC-DC 轉(zhuǎn)換器
英飛凌推出下一代CoolMOS MOSFET C6系列
- 英飛凌科技股份公司(Infineon)推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V Cool-MOS C6系列器件，諸如PFC(功率因數(shù)校正)級或PWM(脈寬調(diào)制)級等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技術(shù)融合了現(xiàn)代超結(jié)結(jié)構(gòu)及包括超低單位面積導(dǎo)通電阻(例如采用TO-220封裝，電阻僅為99毫歐)在內(nèi)的補(bǔ)償器件的優(yōu)勢，同時具有更低的電容開關(guān)損耗、更簡單的開關(guān)特性控制特性和更結(jié)實(shí)耐用的增強(qiáng)型體二極管。 C6系列是英飛凌推
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET CoolMOS C6
飛兆推出30V MOSFET器件FDMS7650
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設(shè)計(jì)人員帶來業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負(fù)載開關(guān)或ORing FET，為服務(wù)器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔(dān)負(fù)載功能。FET的連續(xù)導(dǎo)通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務(wù)器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
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TI 推出一款同步 MOSFET 半橋
- 德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級封裝將 2 個非對稱 NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高性能。 NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外，還能夠以高達(dá) 1.5 MHz 的開關(guān)頻率生
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Vishay改進(jìn)ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn)，為設(shè)計(jì)者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。 Vishay的ThermaSim是一個免費(fèi)工具，可讓設(shè)計(jì)者在制造原型前，對器件進(jìn)行細(xì)致的熱仿真，從而加快產(chǎn)品上市。ThermaSim是首款使用結(jié)構(gòu)復(fù)雜的功率MOSFET模型的在線MOSFET仿真工具，使用有限元分析(FEA)技術(shù)生成的MOSFET模型提高了仿真精度。 設(shè)計(jì)者還可以定義其他散熱器件，并仿真這些元器件對M
- 關(guān)鍵字： Vishay 熱仿真工具 MOSFET ThermaSim
功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天
- 功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達(dá)到23.2%. MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。 IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半
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