據日媒報道，12月20日，日本東芝公司正式退市，結束其作為一家上市公司74年的歷史。今年8月起，以日本國內基金“日本產業(yè)合作伙伴”（JIP）為主的財團正式開始向東芝發(fā)起總額約2萬億日元的要約收購。東芝在官網發(fā)布的文件中稱，該財團將從普通股東收購剩余股份，將東芝收購為全資子公司。公開資料顯示，東芝創(chuàng)立于1875年，距今已有140多年的歷史。東芝是日本制造業(yè)的代表之一，在家電、電氣、能源、基建等領域都有巨大影響力。此外，東芝還是日本最大的半導體制造商，曾發(fā)明NAND閃存芯片。
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東芝 家電 NAND 閃存 退市
IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布報告，預估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長 18-23%，而且不排除進一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產規(guī)劃依然穩(wěn)健，由于存儲器價格漲勢明確，帶動買方積極擴大購貨需求，以建設安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認為買賣雙方庫存降低，加上原廠減產效應作用，這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價格的強勁漲勢。集邦咨詢認為明年第 1 季
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存儲 DRAM NAND Flash
今年的半導體可謂寒風瑟瑟，市場下滑的消息從年頭傳到年尾，半導體企業(yè)也疲于應對蕭瑟的市場環(huán)境，不斷傳出減產、虧損的消息。熬過冬就是春，最近的半導體市場總算是迎來了一些好消息。IDC 最新的預測，認為半導體市場已經觸底，明年開始半導體將會加速恢復增長。在它的預測中，2023 年全球半導體市場收入從 5188 億美元上調至 5265 億美元，2024 年收入預期也從 6259 億美元上調至 6328 億美元。到明年，全球半導體收入將同比增長 20.2%。IDC 全球半導體供應鏈技術情報研究經理 Rudy Tor
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NAND flash 射頻前端 CPU 模擬芯片
開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
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3D NAND
IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產的效果逐漸顯現，以及特定應用市場的持續(xù)強勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價格在 2023 年第 4 季度呈現全面上漲，并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預估，2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價格預計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預計上漲約 10-15%，上漲趨勢會持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動 DRAM：根據國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機的一個明顯變化是
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閃存 DRAM NAND
11月22日消息，據TrendForce最新報告，2022年全球SSD出貨量為1.14億塊，同比下降10.7%。報告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影響，SSD出貨量不高；但在2022年下半年供應情況已經極大緩解，渠道SSD市場恢復正常供需狀態(tài)。隨著個人電腦和計算機硬件市場的萎縮，固態(tài)硬盤的需求依然疲軟，而更多的用戶也是買漲不買跌（便宜了還能更便宜，便宜反而買單的人銳減）。TrendForce稱，由于NAND閃存供應商積極減產，導致整個行業(yè)價格上漲，市場情緒在2022年第三季度末"迅速
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SSD 固態(tài)硬盤 閃存 NAND
前言從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質的填充，實現硅通孔的垂直電氣互聯，這項技術是目前唯一的垂直電互聯技術，是實現3D先進封裝的關鍵技術之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們如何工作以及它們的用途。在2000年的第一個月，Santa Clara Universi
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芯片 TSV HBM NAND 先進封裝
NAND Flash現貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內存市況確立好轉，帶動內存族群獲利能力普遍呈現攀升。觀察第三季內存族群財報，內存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務指標來看，第三季財報數字呈現「三率三升」的內存廠商，則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務成績表現亮眼。此外，威剛14日公告10月自結財務數
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內存 ?NAND Flash DRAM
在本次展會上，東芯半導體也來到了EEPW的直播間。東芯半導體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導體擁有獨立自主的知識產權，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設計和銷售，是目前國內少數可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產品方案的存儲芯片研發(fā)設計公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導體副總經理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導體這次在展會上帶來了全線的產品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
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東芯半導體 NAND NOR DRAM 存儲
韓國芯片制造商 SK 海力士（SK Hynix）在經歷了又一個利潤率和收入下降的季度后，表現得很勇敢，強調了需求的逐步恢復，以及在今年早些時候削減資本支出后，計劃在 2024 年增加資本支出。在第三季度財報電話會議上，首席財務官 Kim Woohyun 指出，對高性能存儲芯片的需求不斷增長，降低了銷售額的下降率。然而旗艦智能手機的發(fā)布和人工智能服務器部署的激增推動了芯片需求。"我們相信，內存行業(yè)終于度過了嚴重的低迷期，正在進入全面復蘇階段"。Kim指出，該公司的目標是通過考慮投資效率和
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SK海力士 韓國 NAND
據TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND
Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%；由于Mobile
DRAM一直以來獲利表現均較其他DRAM產品低，因此成為本次的領漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因，供應方面：三星擴大減產、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile
DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統旺季帶動，華為Mate
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Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
最近，鎧俠和西部數據的合并已經傳來消息，或將于本月達成合并協議。當初，業(yè)內聽到這兩大存儲企業(yè)的合并是非常驚訝的，畢竟鎧俠在 NAND 領域世界排名第二、西部數據排在第四，這兩大巨頭的合并可以震動存儲市場。具體來看一下，目前兩家企業(yè)的合并方式。西部數據這邊將拆分 NAND Flash 閃存部門，與鎧俠合并。在合并后成立新的控股公司，在交換新公司所需數量的股份后，西部數據將保留 50.1% 的資產，其余 49.9% 將歸鎧俠所有。新的公司在美國注冊，但總部設置在日本，并且股票將在美國和東京證劵交易所上市，采用
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NAND
近日，據媒體報道，三星電子存儲業(yè)務主管李政培稱，三星已生產出基于其第九代V-NAND閃存產品的產品，希望明年初可以實現量產。三星正在通過增加堆疊層數、同時降低高度來實現半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產業(yè)處于緩速復蘇階段，大廠們正在追求存儲先進技術的研發(fā)。從當前進度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經突破200層大關：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
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三星 第九代 V-NAND 閃存
三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴張。據外媒，三星電子計劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴張。報道中稱，三星已開始采購最新的半導體設備，新設備預計將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進可生產236層NAND的設備。此前消息稱，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設備，無需其他許可。據了解，目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產量的40%。
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三星 NAND 西安
據悉，三星電子經營高層日前做出決定，將升級位于中國西安的 NAND 閃存工廠，為完成工廠制程升級已下單采購最新半導體設備，或將于今年年底開始引進新設備。西安工廠是目前三星電子位于海外的唯一內存芯片生產基地，2014 年開始投產，經 2020 年擴建二期項目后，目前每月生產 20 萬張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產基地，占三星電子 NAND 芯片總產量的 40% 以上。三星電子計劃明年在西安工廠內部署生產 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設備，并依次完成工藝轉換。2022 年 1
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