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          300層之后,3D NAND的技術(shù)路線(xiàn)圖

          • 開(kāi)發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無(wú)止境的山峰。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  

          存儲(chǔ)市場(chǎng)前瞻:DDR5 需求顯著增長(zhǎng)、AI 崛起讓手機(jī)內(nèi)存邁入 20GB 時(shí)代

          • IT之家?11 月 24 日消息,由于廠(chǎng)商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn),以及特定應(yīng)用市場(chǎng)的持續(xù)強(qiáng)勁需求,DRAM 和 NAND 閃存價(jià)格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲,并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢(xún)分析預(yù)估,2023 年第 4 季度移動(dòng) DRAM 合約價(jià)格預(yù)計(jì)上漲 13-18%,而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預(yù)計(jì)上漲約 10-15%,上漲趨勢(shì)會(huì)持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動(dòng) DRAM:根據(jù)國(guó)外科技媒體 WccFtech 報(bào)道,2024 年手機(jī)的一個(gè)明顯變化是
          • 關(guān)鍵字: 閃存  DRAM  NAND  

          越便宜越?jīng)]人買(mǎi)!全球SSD出貨量暴跌10% 用戶(hù)買(mǎi)漲不買(mǎi)跌

          • 11月22日消息,據(jù)TrendForce最新報(bào)告,2022年全球SSD出貨量為1.14億塊,同比下降10.7%。報(bào)告中指出,2021年上半年受到主控IC短缺的影響,SSD出貨量不高;但在2022年下半年供應(yīng)情況已經(jīng)極大緩解,渠道SSD市場(chǎng)恢復(fù)正常供需狀態(tài)。隨著個(gè)人電腦和計(jì)算機(jī)硬件市場(chǎng)的萎縮,固態(tài)硬盤(pán)的需求依然疲軟,而更多的用戶(hù)也是買(mǎi)漲不買(mǎi)跌(便宜了還能更便宜,便宜反而買(mǎi)單的人銳減)。TrendForce稱(chēng),由于NAND閃存供應(yīng)商積極減產(chǎn),導(dǎo)致整個(gè)行業(yè)價(jià)格上漲,市場(chǎng)情緒在2022年第三季度末"迅速
          • 關(guān)鍵字: SSD  固態(tài)硬盤(pán)  閃存  NAND  

          一文看懂TSV技術(shù)

          • 前言從HBM存儲(chǔ)器到3D NAND芯片,再到CoWoS,硬件市場(chǎng)上有許多芯片是用英文稱(chēng)為T(mén)SV構(gòu)建的,TSV是首字母縮寫(xiě),TSV(Through Silicon Via)中文為硅通孔技術(shù)。它是通過(guò)在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通;TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充,實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián),這項(xiàng)技術(shù)是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術(shù),是實(shí)現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在本文中,我們將告訴您它們是什么,它們?nèi)绾喂ぷ饕约八鼈兊挠猛?。?000年的第一個(gè)月,Santa Clara Universi
          • 關(guān)鍵字: 芯片  TSV  HBM  NAND  先進(jìn)封裝  

          市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠(chǎng)Q3獲利嗨

          • NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)于8月中旬反彈,DRAM價(jià)格也在9月開(kāi)始回升,內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn),帶動(dòng)內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財(cái)報(bào),內(nèi)存制造大廠(chǎng)包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損;內(nèi)存模塊廠(chǎng)創(chuàng)見(jiàn)、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益(EPS)皆有1元以上,宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績(jī)。另從毛利率、營(yíng)利率及稅后純益率三大財(cái)務(wù)指標(biāo)來(lái)看,第三季財(cái)報(bào)數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠(chǎng)商,則有創(chuàng)見(jiàn)、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安,財(cái)務(wù)成績(jī)表現(xiàn)亮眼。此外,威剛14日公告10月自結(jié)財(cái)務(wù)數(shù)
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  ?NAND Flash  DRAM  

          2023年慕尼黑華南電子展:EEPW&東芯半導(dǎo)體股份有限公司

          • 在本次展會(huì)上,東芯半導(dǎo)體也來(lái)到了EEPW的直播間。東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年,作為Fabless芯片企業(yè),東芯半導(dǎo)體擁有獨(dú)立自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán),聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售,是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。2022年EEPW曾有幸采訪(fǎng)過(guò)東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳總,這次在2023年慕尼黑華南電子展上,陳總向我們介紹了東芯半導(dǎo)體這次在展會(huì)上帶來(lái)了全線(xiàn)的產(chǎn)品,包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
          • 關(guān)鍵字: 東芯半導(dǎo)體  NAND  NOR  DRAM  存儲(chǔ)  

          SK 海力士

          • 韓國(guó)芯片制造商 SK 海力士(SK Hynix)在經(jīng)歷了又一個(gè)利潤(rùn)率和收入下降的季度后,表現(xiàn)得很勇敢,強(qiáng)調(diào)了需求的逐步恢復(fù),以及在今年早些時(shí)候削減資本支出后,計(jì)劃在 2024 年增加資本支出。在第三季度財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議上,首席財(cái)務(wù)官 Kim Woohyun 指出,對(duì)高性能存儲(chǔ)芯片的需求不斷增長(zhǎng),降低了銷(xiāo)售額的下降率。然而旗艦智能手機(jī)的發(fā)布和人工智能服務(wù)器部署的激增推動(dòng)了芯片需求。"我們相信,內(nèi)存行業(yè)終于度過(guò)了嚴(yán)重的低迷期,正在進(jìn)入全面復(fù)蘇階段"。Kim指出,該公司的目標(biāo)是通過(guò)考慮投資效率和
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  韓國(guó)  NAND  

          預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新研究顯示,第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%。NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%;由于Mobile DRAM一直以來(lái)獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低,因此成為本次的領(lǐng)漲項(xiàng)目。季漲幅擴(kuò)大包括幾個(gè)原因,供應(yīng)方面:三星擴(kuò)大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等,持續(xù)奠定同業(yè)漲價(jià)信心的基礎(chǔ)。需求方面:2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)除了受傳統(tǒng)旺季帶動(dòng),華為Mate
          • 關(guān)鍵字: Mobile DRAM  NAND Flash  TrendForce  

          NAND閃存市場(chǎng),開(kāi)始洗牌

          • 最近,鎧俠和西部數(shù)據(jù)的合并已經(jīng)傳來(lái)消息,或?qū)⒂诒驹逻_(dá)成合并協(xié)議。當(dāng)初,業(yè)內(nèi)聽(tīng)到這兩大存儲(chǔ)企業(yè)的合并是非常驚訝的,畢竟鎧俠在 NAND 領(lǐng)域世界排名第二、西部數(shù)據(jù)排在第四,這兩大巨頭的合并可以震動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)。具體來(lái)看一下,目前兩家企業(yè)的合并方式。西部數(shù)據(jù)這邊將拆分 NAND Flash 閃存部門(mén),與鎧俠合并。在合并后成立新的控股公司,在交換新公司所需數(shù)量的股份后,西部數(shù)據(jù)將保留 50.1% 的資產(chǎn),其余 49.9% 將歸鎧俠所有。新的公司在美國(guó)注冊(cè),但總部設(shè)置在日本,并且股票將在美國(guó)和東京證劵交易所上市,采用
          • 關(guān)鍵字: NAND  

          傳三星計(jì)劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存

          • 近日,據(jù)媒體報(bào)道,三星電子存儲(chǔ)業(yè)務(wù)主管李政培稱(chēng),三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品,希望明年初可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過(guò)增加堆疊層數(shù)、同時(shí)降低高度來(lái)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。目前,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)處于緩速?gòu)?fù)蘇階段,大廠(chǎng)們正在追求存儲(chǔ)先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當(dāng)前進(jìn)度來(lái)看,NAND Flash的堆疊競(jìng)賽已經(jīng)突破200層大關(guān):SK海力士已至321層,美光232層,三星則計(jì)劃2024年推出第九代3D NAND(有望達(dá)到280層)。據(jù)悉,三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層)
          • 關(guān)鍵字: 三星  第九代  V-NAND  閃存  

          三星將擴(kuò)建中國(guó)西安的NAND芯片工廠(chǎng)

          • 三星電子計(jì)劃將其西安NAND閃存工廠(chǎng)升級(jí)到236層NAND工藝,并開(kāi)始大規(guī)模擴(kuò)張。據(jù)外媒,三星電子計(jì)劃將其西安NAND閃存工廠(chǎng)升級(jí)到236層NAND工藝,并開(kāi)始大規(guī)模擴(kuò)張。報(bào)道中稱(chēng),三星已開(kāi)始采購(gòu)最新的半導(dǎo)體設(shè)備,新設(shè)備預(yù)計(jì)將在2023年底交付,并于2024年在西安工廠(chǎng)陸續(xù)引進(jìn)可生產(chǎn)236層NAND的設(shè)備。此前消息稱(chēng),美國(guó)同意三星電子和SK海力士向其位于中國(guó)的工廠(chǎng)提供設(shè)備,無(wú)需其他許可。據(jù)了解,目前三星西安工廠(chǎng)已成為世界上最大的NAND制造基地,約占了三星NAND總產(chǎn)量的40%。
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  西安  

          三星西安工廠(chǎng)工藝升級(jí)獲批,將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備

          • 據(jù)悉,三星電子經(jīng)營(yíng)高層日前做出決定,將升級(jí)位于中國(guó)西安的 NAND 閃存工廠(chǎng),為完成工廠(chǎng)制程升級(jí)已下單采購(gòu)最新半導(dǎo)體設(shè)備,或?qū)⒂诮衲昴甑组_(kāi)始引進(jìn)新設(shè)備。西安工廠(chǎng)是目前三星電子位于海外的唯一內(nèi)存芯片生產(chǎn)基地,2014 年開(kāi)始投產(chǎn),經(jīng) 2020 年擴(kuò)建二期項(xiàng)目后,目前每月生產(chǎn) 20 萬(wàn)張 12 英寸芯片,是全球最大的 NAND 閃存生產(chǎn)基地,占三星電子 NAND 芯片總產(chǎn)量的 40% 以上。三星電子計(jì)劃明年在西安工廠(chǎng)內(nèi)部署生產(chǎn) 236 層(第 8 代)NAND 芯片的設(shè)備,并依次完成工藝轉(zhuǎn)換。2022 年 1
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  NAND  

          第四季NAND Flash合約價(jià)季漲幅預(yù)估8~13%

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)集邦咨詢(xún)研究顯示,由于供應(yīng)商嚴(yán)格控制產(chǎn)出,NAND Flash第四季合約價(jià)全面起漲,漲幅約8~13%。展望2024年,除非原廠(chǎng)仍能維持減產(chǎn)策略,且服務(wù)器領(lǐng)域?qū)nterprise SSD需求回溫,否則在缺乏需求作為支撐的前提下,NAND Flash要延續(xù)漲勢(shì)將有難度。Client SSD方面,由于原廠(chǎng)及模組廠(chǎng)均積極漲價(jià),促使PC OEM欲在價(jià)格相對(duì)低點(diǎn)預(yù)備庫(kù)存,采購(gòu)量會(huì)較實(shí)際需求量高。而供應(yīng)商為擴(kuò)大位元出貨量,已在第三季推出促銷(xiāo),故Client SSD價(jià)格沒(méi)有
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  TrendForce  

          三星、SK海力士拿到無(wú)限期豁免權(quán)

          • 10月9日,韓國(guó)總統(tǒng)辦公室通報(bào),美國(guó)目前已做出決定 —— 在無(wú)需單獨(dú)批準(zhǔn)的情況下,三星和SK海力士可以向中國(guó)工廠(chǎng)提供半導(dǎo)體設(shè)備,該決定一經(jīng)通報(bào)即生效。據(jù)悉,無(wú)限期豁免將通過(guò)更新Validated End-User(VEU)清單來(lái)取得。若被納入該清單,便無(wú)需額外獲得許可,代表美國(guó)出口管制的適用性實(shí)際上是被無(wú)限期暫停。三星在一份聲明中表示,“通過(guò)與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào),與我們?cè)谥袊?guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)線(xiàn)運(yùn)營(yíng)有關(guān)的不確定性已大大消除?!盨K海力士則表示,“我們歡迎美國(guó)政府決定延長(zhǎng)對(duì)出口管制規(guī)定的豁免。我們相信,這一決定將
          • 關(guān)鍵字: 三星  SK海力士  NAND  DRAM  半導(dǎo)體設(shè)備  

          存儲(chǔ)芯片,果真回暖了

          • 受需求放緩、供應(yīng)增加、價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇等因素影響,存儲(chǔ)芯片的價(jià)格在 2022 年最后兩個(gè)季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示,DRAM 的平均價(jià)格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后,在第四季度的跌幅擴(kuò)大到了 34.4%。今年 Q1,DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 13%~18%,Q2 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似,NAND 閃存的市場(chǎng)需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價(jià)格跌幅均超過(guò) 20%,今年 Q1 NAN
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  DRAM  
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          nand 閃存介紹

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