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	nand 閃存
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          存儲器大廠3D NAND良率升 NAND Flash恐過剩
          
                                                            
            
                    	
          • 三星、東芝等存儲器大廠已擬定3D NAND擴產計畫，新產能將在2019年后開出，屆時NAND Flash市場將供過于求。
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          • 關鍵字：
                        存儲器  NAND                          
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          ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而越來越廣泛地應用在如嵌入式產品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領域?！　?nbsp; 
　　圖1 Nand-Flash與eMMC芯片　　1.1存儲器件使用壽命　　使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
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          • 關鍵字：
                        Nand-Flash  eMMC                          
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          未來企業(yè)級閃存市場發(fā)展前景依然強勁
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近日，根據(jù)一份來自IDC最新的有關企業(yè)級SSD閃存市場的報告顯示，SSD企業(yè)級市場未來前景依然強勁，2016年到2021年期間，出貨量、收入和總出貨容量預計都會呈現(xiàn)顯著增長。IDC預計全球SSD出貨量的5年復合年增長率將達到15.1%。SSD行業(yè)收入預計到2021年達到336億美元，復合年增長率為14.8%。
　　SSD市場前景改善的關鍵因素是產品可用性的提升，以及更好的定價動態(tài)，因為整個行業(yè)都在向3D NAND閃存過渡。IDC認為，目前NAND閃存供應的限制將在2018年開始減少，并進一步推動整個
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          • 關鍵字：
                        閃存                          
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          東芝宣布興建第7座NAND Flash工廠
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年，零售價格的暴漲帶動了廠商的營收，同時還對獲利有了巨大貢獻。 所以，當前全球的 4 大 NAND Flash 廠商，包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進行新一波的投資。 而根據(jù)外電的報導，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日圓的金額，準備興建第 7 座閃存工廠(Fab7)，地點就在日本的四日市(Yokkaichi)。
　　事實上，目前東芝的第 6 座工廠(Fab 6)正在建設當中，預計將于 2018 年第 4 季完工
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          • 關鍵字：
                        東芝  NAND                          
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          明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
          
                                                            
            
                    	
          • DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態(tài)，產品價格同步高漲，而明年上半年將轉為供過于求。
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          • 關鍵字：
                        NAND  DRAM                          
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          明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
          
                                                            
            
                    	
          • 　　內存明年市況恐將不同調，DRAM市場仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉為供過于求。
　　DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態(tài)，產品價格同步高漲，只是業(yè)界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。
　　內存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊，價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術日益成熟，生產良率改善，可望填補供貨缺口。
　　另一內存模塊廠威剛表示，短期內全球 DRAM
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          投資機構稱2018年半導體需求將放緩 良好業(yè)績難再重現(xiàn)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　半導體指數(shù)在兩年的上漲中上漲了92%。
　　投資者應該有選擇性地選擇證券，并關注需求放緩。
　　

 
　　分析人士認為，不要指望今年半導體類股的領先市場表現(xiàn)會在2018年重演。
　　盡管近期出現(xiàn)拋售，費城半導體指數(shù)自2016年初以來已經上漲了92%，并有望連續(xù)第二年超過所有11個標準普爾板塊，這是由于獲利增加和前所未有的整合期。
　　盡管這一趨勢并沒有令分析師們感到悲觀，但一些分析師建議投資者要謹慎選擇，并警惕需求放緩和庫存水平上升的跡象。
　　以下是分析師對2018年的看
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          • 關鍵字：
                        半導體  閃存                          
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          中國反壟斷機構關注DRAM連漲七個季度,何處是盡頭?
          
                                                            
            
                    	
          • 圍繞著此輪DRAM產業(yè)的上漲行情，無論是“供需論”還是“壟斷說”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現(xiàn)的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無奈，領軍者的得意，入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺。
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長
          
                                                            
            
                    	
          • 　　DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。
　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。
　　手機中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產存儲器是為了將中國存儲器產業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產業(yè)開始進入試產階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          紫光集團：32層64G三維閃存芯片明年將實現(xiàn)量產
          
                                                            
            
                    	
          • 　　紫光集團董事長趙偉國近日在第四屆世界互聯(lián)網大會表示，近年來，紫光集團把企業(yè)發(fā)展的重點聚焦在了集成電路上。在移動領域，紫光現(xiàn)在每年向全球提供的手機芯片超過7億部套片;在存儲領域，紫光已經研發(fā)出了32層64G的完全自主知識產權的三維閃存芯片，明年將實現(xiàn)量產。
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          • 關鍵字：
                        紫光  閃存                          
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          三星量產512GB閃存，Galaxy S9容量有望翻倍
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三星宣布512GB閃存已進入量產，意謂著明年Galaxy S9與Galaxy Note 9等新旗艦機儲存容量有望從當前最大256GB翻倍成長。
　　512GB閃存主要因應4K超高分辨率影片的錄制需求增加，據(jù)三星表示，新內存芯片可容納130個10分鐘4K短片。 (日經新聞)
　　三星從2015年開發(fā)出128GB內存以來，已連續(xù)三年將內存逐年倍增，成功將3D 64層閃存商業(yè)化。 展望未來，三星將再推出96層3D堆棧閃存。
　　目前iPad Pro、微軟Surface平板均有提供512GB機種，不過三
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          • 關鍵字：
                        三星  閃存                          
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          潘健成：明年3D NAND進入96層　群聯(lián)準備好了
          
                                                            
            
                    	
          • 　　今年全球NAND Flash產業(yè)成功轉換至64/72層3D NAND規(guī)格，隨著制程轉換完成，全球缺貨問題也逐漸紓解，群聯(lián)董事長潘健成指出，2018年底將進入96層的3D NAND技術世代，帶動單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技術也全面提升至新層次，群聯(lián)的關鍵技術已經準備好了，呈現(xiàn)蓄勢待發(fā)的姿態(tài)!
　　今年的NAND Flash產業(yè)受到技術轉換不順、數(shù)據(jù)中心對于儲存容量需求快速攀升之故，導致產業(yè)供需失衡，芯片價格一直高居不下，但這樣的狀況停留太久后，導致終端產品的需求被抑制，
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          • 關鍵字：
                        SSD  NAND                           
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          美光任命Derek Dicker為存儲產品事業(yè)部副總裁兼總經理
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 為存儲產品事業(yè)部副總裁兼總經理?！　≡诖寺毼簧?，Dicker 將負責領導和拓展美光的固態(tài)存儲業(yè)務，包括打造世界領先的存儲解決方案，從而把握云端、企業(yè)級和客戶端計算等大型細分市場中日漸增多的機遇。他將向美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務官 Sumit Sadana 匯報。　　Dicker 在半導體行業(yè)擁有 20 年的從業(yè)經驗，包括在 Intel、
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          • 關鍵字：
                        美光  NAND                          
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          旺宏NAND論文 獲國際肯定
          
                                                            
            
                    	
          • 　　內存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構的論文入選國際電子組件大會(IEDM)，被評選為「亮點論文」，是今年臺灣產學研界唯一獲選的廠商，彰顯旺宏在先進內存研發(fā)實力受到國際高度肯定，也顯示旺宏在業(yè)界最關注的3D NAND議題上扮演重要角色。
　　旺宏強調，獨立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結構(SGVC)，相較其他大廠現(xiàn)有技術，以相同的堆棧層數(shù)，卻可達到二到三倍的內存密度。
　　目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
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          • 關鍵字：
                        旺宏  NAND                          
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          內存/閃存行業(yè)周期即將逆轉，存儲器芯片景氣或觸頂
          
                                                            
            
                    	
          • 自2016年一季度以來半導體行業(yè)所享受的強勁市場需求和史無前例的定價權難以為繼，NAND閃存超級周期料將發(fā)生逆轉。
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                        內存  閃存                          
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          nand 閃存介紹
          
      			
          
		      	
          
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