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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

          c行業(yè)周期即將逆轉,存儲器芯片景氣或觸頂

          •   摩根士丹利(Morgan Stanley,大摩)26日以明年存儲器芯片獲利恐難顯著成長為由,將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投資評等自“加碼”降至“中性權重”,目標價下修3.4%至280萬韓元。大摩指出,隨著NAND型快閃存儲器報價在2017年第四季開始反轉,下行風險隨之升高;在此同時,2018年第一季以后的DRAM供需能見度也已降低。自2016年一季度以來半導體行業(yè)所享受的強勁市場需求和史無前例的定價權難以為繼,N
          • 關鍵字: 內(nèi)存  閃存  

          讓汽車更智能,適用于汽車遠程信息處理系統(tǒng)的全新 NAND+LPDDR4 MCP

          •   被譽為世界三大車展之一的東京車展于近日開幕,來自全世界的主要汽車生產(chǎn)廠商通過展示最新的產(chǎn)品和技術來描繪下一代汽車發(fā)展藍圖,其中 “人工智能”、“自動駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車產(chǎn)業(yè)界公認的未來的發(fā)展方向?! ±?,豐田展出的“愛i”系列,能憑借大量數(shù)據(jù)分析解駕駛員的日常習慣及行為模式,甚至判斷出駕駛員的興趣愛好、感情狀態(tài)等。不僅是轎車,豐田展示的依靠氫燃料電池提供動力的大巴“SORA”,不僅助力環(huán)保,更在智能性方面有了極大提高。SORA內(nèi)外搭載有8個高清晰攝像頭,能捕捉到周圍的行人、車輛
          • 關鍵字: NAND  LPDDR4  

          圖解中國存儲器三大勢力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)

          • 中國存儲器后進廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出,目前狀況到底如何?
          • 關鍵字: DRAM  NAND  

          三星擴產(chǎn)NAND Flash IC Insights估恐過剩

          •   三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元,其中,又將以3D NANDFlash為最大宗,研調(diào)機構IC Insights認為,3D NANDFlash恐將供過于求。   IC Insights預估,今年全球半導體資本支出金額將達908億美元,將成長35%;其中,三星今年資本支出將倍增至260億美元,比英特爾(Intel)與臺積電的總和還多。   三星今年的資本支出主要投入3D儲存型閃存(NAND Flash),將達140億美元,IC Insights指出,三星將斥資70億美元,推進動態(tài)
          • 關鍵字: 三星  NAND  

          東芝第二財季運營利潤增長76% 芯片業(yè)務表現(xiàn)強勁

          •   11月9日消息,據(jù)國外媒體報道,日本東芝公司今天公布財報顯示,由于受到旗下內(nèi)存芯片業(yè)務強勁業(yè)績的驅動,該公司本財年第二季度運營利潤增長了76%。最近,該公司同意將旗下內(nèi)存芯片業(yè)務以180億美元對外出售。   處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示,本財年7至9月份這個第二季度運營利潤從上年同期的768.8億日元增長至1250,8億日元(約合12億美元)。   這個業(yè)績好于分析師預期,湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據(jù)5位分析師預估,東芝本財年第二季度運營利潤是1244.7億日
          • 關鍵字: 東芝  NAND  

          美光3D NAND技術發(fā)威 搶占邊緣存儲商機

          •   美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術逐漸成熟后,開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度,日前耕耘工業(yè)領域有成,將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案,32GB和64GB版microSD卡搶先問世,預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣,同年第2季量產(chǎn)。   美光的64層3D NAND技術今年成熟且開始量產(chǎn),除了主攻服務器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領域,也積極推動工業(yè)領域應用,日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合,以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。  
          • 關鍵字: 美光  3D NAND  

          美光3D NAND技術發(fā)威 搶占邊緣存儲商機

          •   美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術逐漸成熟后,開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度,日前耕耘工業(yè)領域有成,將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案,32GB和64GB版microSD卡搶先問世,預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣,同年第2季量產(chǎn)。   美光的64層3D NAND技術今年成熟且開始量產(chǎn),除了主攻服務器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領域,也積極推動工業(yè)領域應用,日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合,以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。  
          • 關鍵字: 美光  NAND  

          手機行業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)連續(xù)兩年增長

          •   2017年9月5日,工信部首次發(fā)布《中國電子信息產(chǎn)業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)研究報告》,其中電子信息制造業(yè)綜合指數(shù)專門針對我國產(chǎn)業(yè)進行規(guī)模、效益、研發(fā)、環(huán)境等全方位的評價,并包括全國、分地區(qū)和分行業(yè)三大細分指數(shù)。行業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)主要通過我國與全球同行業(yè)比較的方式,明確我國產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平和特點,手機行業(yè)作為了行業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)評價的首個領域。   2016年,手機行業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)132分,相比2015年分數(shù)提升20%,呈現(xiàn)連續(xù)兩年增長的態(tài)勢。其中除產(chǎn)業(yè)效益指標得分相比2015年有所下降外,其他四個一級指標均呈現(xiàn)上漲
          • 關鍵字: OLED  閃存  

          IC Insights:全球半導體2017年上調(diào)市場預測提升至22%

          •   據(jù)IC Insights預測,2017年的IC市場增長率有望提高到22%,較今年年中預期的16%再提升6個百分點,出貨量增長率預測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。   此外,IC Insights同時調(diào)稿對O-S-D(光電子,傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場的預測??傮w而言,2017年半導體產(chǎn)業(yè)整體預計增長達20%,比年中預期調(diào)高5個百分點。   2017年,IC Insights預測DRAM的平均售價將大漲77%,預計今年將推動DRAM
          • 關鍵字: DRAM  NAND  

          DRAM/NAND都是啥?科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別

          • DRAM/NAND都是啥?科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別-現(xiàn)如今隨著手機的不斷推廣和普及,已掩蓋電腦時代的輝煌,很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。
          • 關鍵字: DRAM  NAND  存儲器  

          東芝受惡意攻擊導致NAND停產(chǎn):預估少生產(chǎn)40萬TB容量

          •   援引DigiTimes報道,東芝的NAND部門近日遭受了非常嚴重的惡意攻擊,被迫關閉NAND生產(chǎn)線數(shù)周時間,這將導致近階段公司NAND閃存的供應比較緊張。   DigiTimes消息稱為了清除惡意程序,東芝公司的NAND生產(chǎn)線將停工3-6周時間才能恢復正常供應,預估將減少10萬個wafers產(chǎn)量。PCGamesN網(wǎng)站預估假設這段停產(chǎn)時間正常生產(chǎn),能夠帶來5000萬個芯片或者40萬TB的NAND閃存。   近年來由于智能手機和服務器的需求不斷增大,NAND的售價也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產(chǎn)
          • 關鍵字: 東芝  NAND  

          DRAM漲潮再起 誰才是真正贏家?

          • DRAM供貨吃緊的情況下,其再次出現(xiàn)價格瘋漲現(xiàn)象,在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中,也許大家都是贏家。
          • 關鍵字: DRAM  NAND   

          Flash存儲器閃存工作原理及具體步驟

          • Flash存儲器閃存工作原理及具體步驟-什么是閃存?閃存的存儲單元為三端器件,與場效應管有相同的名稱:源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層,用來保護浮置柵極中的電荷不會泄漏。
          • 關鍵字: flash存儲器  閃存  

          基于magnum 2 測試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試技術研究

          •   摘要:NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應用,然而在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會出現(xiàn)壞塊增長的情況,針對這種情況,本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法,實驗結果表明,此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外,針對NAND FLASH的關鍵時序參數(shù),如tREA(讀信號低電平到數(shù)據(jù)輸出時間)和tBERS(塊擦除時間)等,使用測試系統(tǒng)為器件施加適當?shù)目刂萍睿瓿蒒AND FLASH的時序配合,從而達到器件性
          • 關鍵字: NAND  magnum   

          DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

          • DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較,弄清兩者的區(qū)別
          • 關鍵字: DRAM  NAND  RAM  
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          nand 閃存介紹

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