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	nand 閃存
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          東芝公布2016財年財報：全年凈虧損88億美元 低于分析師預期
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)國外媒體報道，原本在6月底就應該公布的東芝2016財年財報，因東芝陷入困境而未能如期發(fā)布，在推遲了一個多月之后，東芝終于公布了2016財年的財報。
　　在得到審計機構的批準之后，東芝在周四公布了2016財年的財報，財報顯示，在截至今年3月31日的2016財年，東芝的營收為4.8萬億日元(約合436億美元)，較2015財年降低了5.5%。
　　由于美國核電業(yè)務減記，東芝2016財年虧損已是無法避免的事，而事實也的確如此。
　　在近日公布的財報中，東芝2016財年的凈虧損為9657億日元(約合88
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          • 關鍵字：
                        東芝  閃存                          
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          1Tb V-NAND內存即將面世
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三星計劃在明年推出容量達1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤。
　　三星(Samsung)計劃明年推出容量達1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。 該公司并表示，去年發(fā)表的Z-NAND產品也開始出樣，據(jù)稱這款產品能夠達到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內存的低延遲能力。
　　三星的Tbit NAND可支持高達每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率，并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達4
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          • 關鍵字：
                        V-NAND  NVMe                          
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          打破壟斷 國產閃存芯片之路有多遠？
          
                                                            
            
                    	
          • 文章云里霧里的，但是一點沒錯：國產化閃存顆粒，已刻不容緩。
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          • 關鍵字：
                        閃存  芯片                          
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          三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達1Tb
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。
　　在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產品。
　　三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續(xù)減小體積。
　　如此精巧之后，連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標準。
　　其
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          • 關鍵字：
                        三星  V-NAND                          
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          東芝傳計劃砸1兆日元建新廠、增產3D NAND
          
                                                            
            
                    	
          • 　　日刊工業(yè)新聞7日報導 ，為了提高3D架構的NAND型閃存(Flash Memory)產能、以因應三星電子等競爭對手加快擴產腳步，東芝(Toshiba)將進一步祭出增產投資，計劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預計于2018年度動工、 2021年度啟用，總投資額將達1兆日圓的規(guī)模。 東芝目前已在四日市工廠廠區(qū)內興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。
　　該座3D NAND新工廠興建計劃由東芝半導體事業(yè)子公司「東芝內存(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負責
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          • 關鍵字：
                        東芝  NAND                          
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          存儲器分類匯總，DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎？
          
                                                            
            
                    	
          • 　　RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區(qū)別。　　SRAM：靜態(tài)隨機存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態(tài)隨機存儲器那樣，每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                           
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          東芝轉讓閃存業(yè)務進展不順 日政府看不下去全面介入
          
                                                            
            
                    	
          • 　　由于財務狀況惡化，日本東芝公司已經被東京股票交易所從主板摘牌，距離退市已經越來越近，但是時至今日，轉讓閃存芯片業(yè)務的進展卻并不順利。據(jù)外媒最新消息，面對東芝高管所表現(xiàn)出的領導無方，日本政府已經全面介入到這一轉讓交易中。
　　按照原定計劃，東芝準備把閃存芯片業(yè)務以大約180億美元的價格，轉讓給一個美日韓聯(lián)合體，其中包括日本開發(fā)銀行、日本產業(yè)革新機構、美國貝恩資本、韓國海力士半導體，不過東芝的芯片業(yè)務合資伙伴西部數(shù)據(jù)，卻以海力士的涉足為由，提出了反對意見，并已經述諸法律手段。
　　有消息稱，由于和西部
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          • 關鍵字：
                        東芝  閃存                          
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          半導體人才流失中國，三星呼吁韓國政府幫忙
          
                                                            
            
                    	
          • 　　根據(jù)韓國英文媒體 《The Korea Times》 的報導，三星副總裁權五鉉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韓國政府喊話，要韓國政府給予半導體產業(yè)更多的支持，以解決人才荒的問題。
　　報導中指出，目前是三星副總裁，也是領導三星顯示器部門的權五鉉，日前在一項公開演講中指出，韓國的半導體產業(yè)自認為有其競爭的實力。 不過，卻面臨當當前半導體人才不足的問題。 權五鉉進一步指出，半導體產業(yè)是第 4 次工業(yè)革命的重要基礎，因此希望韓國政府能藉由科技培訓的管道，持續(xù)為半導體與設備產業(yè)供應需要的人才。

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          • 關鍵字：
                        三星  NAND                           
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          解讀：上半年中國固態(tài)硬盤市場發(fā)展現(xiàn)狀
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　受NAND Flash供貨緊張影響，以及數(shù)據(jù)中心、企業(yè)、移動設備等領域SSD強勁需求，2017年上半年NAND Flash價格持續(xù)走高。根據(jù)ZDC統(tǒng)計，NAND Flash價格累計漲幅達26%，消費類每GB銷售價格突破了0.3美金。
　　

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　　2017年上半年，中國市場智能手機、平板電腦等移動設備需求出現(xiàn)下滑，再加上NAND Flash的價格持續(xù)走高，高價壓力下的SSD市場呈現(xiàn)一片低迷景象。但隨著6月份需求旺季的到來，固態(tài)硬盤的關注度有所回升。
　　

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          • 關鍵字：
                        固態(tài)硬盤  NAND                           
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          ICinsights:DRAM、NAND售價已暴漲一年
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價已經連續(xù)四個季度上漲。
　　
不過因為原廠紛紛提出擴產計劃，IC Insights稍早憂心忡忡認為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產能，大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場，3D NAND Flash產能供過于求的可能性相當高。
 
　　近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進行3D NAND Flash和DRAM兩大內存
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          NAND閃存供應短缺，三星斥資186億美元投資芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 　　韓國三星電子有限公司本周二表示，計劃在韓國投資至少21.4萬億韓元(約合186.3億美元)，以鞏固其在內存芯片和下一代智能手機領域的領先地位。
　　作為世界最大的記憶芯片生產商，三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外，位于華城市的半導體生產線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元，將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時，三星還計劃為西安的NAND閃存生產基地添置一條新的生產線。
　　近年來，三星、東芝和SK海力士已投入了數(shù)百億美元來推動NAND閃存的
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          • 關鍵字：
                        NAND  三星                          
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          ICinsights:DRAM、NAND漲勢第四季微幅逆轉
          
                                                            
            
                    	
          • 　　ICinsights認為，全球內存下半年價格上漲動能可能減緩，包含DRAM與NAND閃存均是如此。
　　盡管漲勢減緩，但DRAM與NAND今年營收預料仍將創(chuàng)新高記錄，這完全都是拜先前平均售價快速上漲之賜。 以DRAM為例，DRAM平均售價今年預估年漲幅高達63%，此為1993年有記錄以來之最。
　　內存價格從去年第三季起漲，ICinsights預期動能可能持續(xù)至2017年第三季，第四季可能微幅轉負，為這波正向循環(huán)劃下休止符。
　　ICinsights指出，隨著價格走揚，內存制造商也再次增加資本投
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          機械硬盤持續(xù)大幅滑坡 閃存將取代HDD存儲市場？
          
                                                            
            
                    	
          • 　　如今，機械硬盤持續(xù)大幅滑坡，這讓西數(shù)、希捷兩大廠商不得不做戰(zhàn)略轉型向SSD市場?！　”娝苤瑱C械硬盤(HDD)曾是電腦不可或缺的部件，行業(yè)競爭也非常激烈。最后，全球的機械硬盤被西部數(shù)據(jù)、希捷與東芝三家巨頭所壟斷，其他品牌都被并購或直接淘汰。　　在這其中，東芝是最先轉型到固態(tài)硬盤領域的，今年年初，據(jù)外媒報道，東芝方面吐露將不再考慮生產15KHDD新品。　　再來看看希捷的情況，今年年初關閉蘇州工廠后，又低調的關閉了位于韓國的HDD研發(fā)中心。而該研究中心從成立至今還不到4年，主攻2.5英寸機械硬盤。閃存市
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          • 關鍵字：
                        閃存  HDD                          
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          KBS：聚焦韓國半導體產業(yè)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　韓國半導體產業(yè)發(fā)展風生水起。世界上最大的內存芯片供應商三星電子公司宣布，其在韓國平澤的新建半導體生產線已經開始量產。NAND閃存技術開發(fā)商SK海力士公司已經加入了一個同盟，將投標收購日本東芝的內存部門。今天，我們邀請到了韓國真好經濟研究院的李仁喆(音譯：???)先生，與他共同聊一聊韓國半導體產業(yè)的未來。首先，我們了解一下7月4日三星電子公司在平澤投產的半導體工廠的意義。
　　根據(jù)IT市場研究公司的數(shù)據(jù)，第一季度三星電子公司在NAND閃存市場上的份額為35.4%。 這個數(shù)字具有絕對優(yōu)勢，但平澤半導體廠
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          • 關鍵字：
                        半導體  NAND                          
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          NOR Flash行業(yè)趨勢解讀：供不應求或成常態(tài) 大陸存儲雄心勃勃
          
                                                            
            
                    	
          • 　　這個時間點我們討論NorFlash行業(yè)趨勢與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業(yè)績即將公布，而相關公司一季度業(yè)績沒有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關標的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會反饋意見等)，同時我們調高AMOLED與TDDINor的需求拉動預期，詳細測算供需缺口，以求對未來趨勢定性、定量研究;
　　汽車電子與工控拉動行業(yè)趨勢反轉TDDI+AMOLED新需求錦上添花
　　1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉
　　從各方面驗證，2016年是NOR的拐點
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          • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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          nand 閃存介紹
          
      			
          
		      	
          
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