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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

          武漢新芯閃存芯片廠動工 中國半導體產(chǎn)業(yè)能否后來居上?

          •   中國正打造一個世界級的半導體產(chǎn)業(yè),生產(chǎn)廣泛用于電子設備的存儲芯片。中國正斥資240億美元打造一個世界級的半導體產(chǎn)業(yè),將與一家美國公司合作生產(chǎn)廣泛用于電子設備的存儲芯片。   武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)發(fā)言人表示,武漢新芯周一將在湖北省武漢市動工興建中國自己的首家閃存芯片工廠。這家芯片代工企業(yè)為中國政府所有。   武漢新芯去年與美國閃存生產(chǎn)商Spansion Inc. (CODE)結(jié)成合作伙伴,共同研發(fā)下一代芯片技術(shù)。Spansion后來在一樁50億美元的全股票合并交易中被柏士半導體(C
          • 關鍵字: 新芯  閃存  

          中國砸240億美元躍進3D NAND閃存時代

          • 國內(nèi)終于要有了存儲,剩下的問題就是國產(chǎn)閃存應該如何與三星、Intel、東芝們競爭呢?初期的價格戰(zhàn)是不可避免的,但長久來看還得是技術(shù)立足。
          • 關鍵字: 3D NAND  存儲  

          東芝將向NAND投資8600億日元,預計2016財年銷售不到5萬億日元

          •   “失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無法預測需要多長時間,但希望能獲得新生,成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開了2016年度業(yè)務計劃說明會,代表執(zhí)行董事社長室町正志在會上這樣說道。   東芝的一系列結(jié)構(gòu)改革都已有了目標。在說明會前一天,東芝宣布將把醫(yī)療器械子公司——東芝醫(yī)療系統(tǒng)出售給佳能,將把白色家電業(yè)務出售給美的集團(參閱本站報道1)。關于個人電腦業(yè)務與其他公司進行業(yè)務合并一事,室町表示“希望在201
          • 關鍵字: 東芝  NAND  

          東芝將投資3,600億日圓擴大閃存芯片生產(chǎn)

          •   東芝公司(Toshiba Corp., 6502.TO, TOSSY)周四稱,將投資3,600億日圓(合32億美元),用于擴大閃存芯片生產(chǎn)。這是東芝為保持與韓國對手三星電子(Samsung Electronics Co., 005930.SE)的競爭能力而推出的最新舉措。   東芝預計,在截至3月底的當前財政年度內(nèi),公司將出現(xiàn)巨額虧損。東芝正在進行全方位的企業(yè)重組,包括削減數(shù)千個工作崗位和出售較小的部門等,旨在將重心放在半導體及核電廠業(yè)務上。   東芝說,這項3,600億日圓的投資計劃將跨越未來三
          • 關鍵字: 東芝  閃存  

          2016年迎3D NAND技術(shù)拐點,誰輸在起跑線?

          •   為了進一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益,2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn),但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限,加快向3D技術(shù)導入已迫在眉睫,2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點。   1、積極導入48層3D技術(shù)量產(chǎn),提高成本競爭力   與2D工藝相比,3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb,與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。  
          • 關鍵字: 3D NAND  2D  

          主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進遇瓶頸 閃迪/美光/Intel怎么樣了?

          • 除供過于求價格下滑幅度加劇,現(xiàn)階段主流NANDFlash制程轉(zhuǎn)進已遇到瓶頸,另外開發(fā)與生產(chǎn)過程良率不佳的問題,制程轉(zhuǎn)進所帶來的成本下滑效益逐漸縮減。
          • 關鍵字: NAND  美光  

          2015年第四季NAND品牌商營收/利潤衰退

          •   2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求,除通路顆粒合約價下滑9~10%外,智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期,也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示,在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下,第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構(gòu)研究協(xié)理楊文得表示,除價格下滑幅度加劇外,現(xiàn)階段主流NAND Flash製程轉(zhuǎn)進已遇到瓶頸,三星(Sam
          • 關鍵字: NAND  三星  

          2015年第四季NAND廠商營收排行

          •   2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求,除通路顆粒合約價下滑9~10%外,智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期,也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示,在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下,第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構(gòu)研究協(xié)理楊文得表示,除價格下滑幅度加劇外,現(xiàn)階段主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進已遇到瓶頸,三星(Sam
          • 關鍵字: NAND  SSD  

          運用材料工程解決半導體行業(yè)技術(shù)拐點的挑戰(zhàn)

          •   今年,半導體行業(yè)將迎來幾大重要的技術(shù)拐點。存儲器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù),從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設備。我們預計2016年所有主要存儲器制造商都將實現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。   由平面結(jié)構(gòu)向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產(chǎn)工藝上的新要求,促進了由材料所推動的芯片尺寸縮微,推升了對新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個背景下,對厚度和一致性能夠進行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設備,對于制造多層堆疊存儲單元來說至關重要。此外,隨著越來越多支持圖案
          • 關鍵字: 半導體  NAND  

          國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)開始崛起 主控芯片廠商最有希望拔得頭籌

          •   2015年中國半導體廠商在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈相關的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外,主控芯片得益于在整體NANDFlash產(chǎn)業(yè)極大的戰(zhàn)略地位,也將成為下一波中國半導體業(yè)值得關注的焦點。   TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,在營運上中國國產(chǎn)主控芯片廠商除直接銷售芯片外,多半推出完整的固態(tài)硬盤解決方案以便直接切入市場應用。主要目標客戶群多以企業(yè)級存儲、政府機關與國防軍工等原先合作關系密切,或是有投資關系的戰(zhàn)略伙伴為主。產(chǎn)品開發(fā)則傾力下個世代
          • 關鍵字: NAND  SSD  

          慧榮科技攜嵌入式存儲和圖形產(chǎn)品亮相2016嵌入式世界展會

          •   在設計和推廣固態(tài)存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德國紐倫堡舉行的2016嵌入式世界展會,在1號廳160號展臺向業(yè)界展示其針對汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應用的各種嵌入式存儲及圖形解決方案?! 』蹣s科技展臺將展出如下產(chǎn)品:  Ferri-eMMC?解決方案  Ferri-eMMC解決方案是一款集成了NAND閃存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸產(chǎn)
          • 關鍵字: 慧榮科技  NAND  

          中國廠商積極發(fā)展記憶體主控芯片

          • 未來中國國產(chǎn)主控晶片產(chǎn)業(yè)與行業(yè)內(nèi)公司的發(fā)展將呈現(xiàn)百花爭鳴的態(tài)勢,產(chǎn)品應用也有機會從企業(yè)級儲存產(chǎn)品,向下延伸至消費性產(chǎn)品,這也是下一波國內(nèi)半導體的焦點。
          • 關鍵字: NAND  半導體  

          存儲器接連刷新歷史最高紀錄,768Gbit 3D NAND亮相

          •   在“ISSCC 2016”(2016年1月31日~2月4日于美國舊金山舉行)會議上,NAND的大容量化和微細化、SRAM的微細化,以及DRAM的高帶寬化等存儲器 技術(shù)取得穩(wěn)步進展,接連刷新了歷史最高紀錄。除了這些存儲器的“正常推進”之外,此次的發(fā)表還涉及車載高可靠混載閃存等的應用、新型緩存及TCAM,內(nèi)容 豐富?! 〈鎯ζ鲿h共有3個。分別以非易失存儲器、SRAM、DRAM為主題。3場會議共有14項發(fā)表。其中有12項來自亞洲,日本有2項(內(nèi)容均為非易失存儲器)。下面來介紹
          • 關鍵字: 存儲器  NAND  

          3D NAND技術(shù)謹慎樂觀 中國存儲產(chǎn)能有望釋放

          •   全球DRAM市場先抑后揚。2015年DRAM收入預計下降2.4%,2016年將下降10.6%,有望在2017年與2018年迎來復蘇。但是,預測隨著中國公司攜本地產(chǎn)品進入DRAM市場,DRAM價格將在2019年再次下降;占2014年內(nèi)存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產(chǎn)品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產(chǎn)量預計在2015年下降11.6%,并在2016年進一步下降6.7%。   DRAM市場2016年供過于求   近期,我們對于DRAM市場的預測不會發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑,而在
          • 關鍵字: 3D NAND  

          Toshiba準備出售NAND以外的半導體業(yè)務

          •   根據(jù)日本當?shù)氐呢斀?jīng)媒體《日經(jīng)新聞(Nikkei)》近日報導,大廠東芝(Toshiba)已經(jīng)決定出售半導體業(yè)務,僅留下快閃記憶體產(chǎn)品線;此舉被視為是經(jīng)歷過假帳丑聞、付出高昂組織重整代價的該公司轉(zhuǎn)虧為盈之必要步驟。   未來東芝將專注并強化在快閃記憶體與核能業(yè)務的投資與經(jīng)營,該公司并將上述兩大業(yè)務做為成長支柱。東芝目前是僅次于三星電子(Samsung Electronics)的全球第二大NAND快閃記憶體供應商,這也是該公司保留記憶體業(yè)務、將出售其他半導體業(yè)務的原因。   將出售的東芝半導體業(yè)務包括類
          • 關鍵字: Toshiba  NAND  
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          nand 閃存介紹

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