nand 閃存 文章 進入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
華為閃存技術(shù)，不止快人一步
- 云計算、大數(shù)據(jù)、移動互聯(lián)正在改變世界。據(jù)預(yù)測，到2020年，全球移動寬帶用戶將從2016年的40億基礎(chǔ)上，增加20億移動寬帶用戶，全球大數(shù)據(jù)、大數(shù)據(jù)分析以及大數(shù)據(jù)技術(shù)市場規(guī)模將高達2000億美元。 華為在2016全球聯(lián)接指數(shù)中預(yù)測，2020年，數(shù)字經(jīng)濟時代將全面來臨，屆時，大數(shù)據(jù)分析將無處不在，想象一下，數(shù)十億計的智能電話、數(shù)百萬智能汽車、數(shù)百萬智能無人機、數(shù)百萬智能機器人在我們的身邊運轉(zhuǎn)，遍布的物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)等技術(shù)將給人們的生活帶來巨大的改變和驚喜。 數(shù)據(jù)同樣在企業(yè)中蔓延，IDC預(yù)測，202
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武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND
- 紅色供應(yīng)鏈來勢洶洶，外界原本認為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預(yù)測，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。 巴 倫(Barronˋs)6日報導(dǎo)，美系外資晶片設(shè)備分析師Atif Malik稱，中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權(quán)。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
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DRAM和NAND技術(shù)助三星占據(jù)市場主導(dǎo)地位
- 全球大部分半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾，但韓國三星電子憑借強大的技術(shù)優(yōu)勢可以擴大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場份額，甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。 全球個人電腦(PC)銷量下降，以及智能手機增長放緩，讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。 高通曾表示，第三財季芯片(晶片)出貨量可能下降達22%。SK海力士周二公布季度營業(yè)利潤下降65%，這是其三年來的最差業(yè)績。 將于周四公布第一季財報的三星，也難免遇挫。市場廣泛預(yù)計三星芯片獲利將會下降，一些分析師預(yù)測1-
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TrendForce：2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片
- 中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。 TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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傳三星邀協(xié)力廠研發(fā)EMI遮蔽制程 意在瞄準蘋果NAND訂單
- 傳聞三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體暨裝置解決方案事業(yè)部(DS)正與多家業(yè)者共同進行EMI遮蔽制程研發(fā)，有意重啟對蘋果(Apple)供應(yīng)NAND Flash存儲器，過去4年來三星電子與蘋果的NAND Flash交易中斷。 據(jù)韓媒ET News報導(dǎo)，日前業(yè)界表示，三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點膠機(Dispense)業(yè)者，共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進行EMI遮蔽制程。
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三星NAND Flash 傳四年后重返iPhone
- 韓廠積極打進蘋果iPhone供應(yīng)鏈。韓國媒體報導(dǎo)，三星電子計畫提供NAND型快閃記憶體給iPhone，這將是睽違4年后三星電子NAND型快閃記憶體重返iPhone供應(yīng)鏈。 韓國網(wǎng)站媒體ET News報導(dǎo)，蘋果從2012年iPhone 5推出開始，就沒有采用三星電子(Samsung Electronics)的NAND型快閃記憶體，在于三星電子并未接受蘋果要求、在NAND型快閃記憶體封裝技術(shù)上采用電磁干擾屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference s
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武漢新芯發(fā)表240億美元投資計劃 著手3D NAND研發(fā)
- 大陸國營企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。依韓國業(yè)界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術(shù)差距，但將是大陸市場上的潛在最大對手。 據(jù)韓聯(lián)社報導(dǎo)，大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。地方政府已從投資機構(gòu)湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。 韓聯(lián)社引述EE Times
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東芝計劃投資3600億日元建設(shè)3D閃存新廠房
- 東芝近日公布聚焦能源、社會基礎(chǔ)設(shè)施、半導(dǎo)體存儲業(yè)務(wù)領(lǐng)域，擴大在存儲業(yè)務(wù)上的投資。為擴大3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產(chǎn)，東芝在毗鄰日本四日市工廠(三重縣四日市市)的區(qū)域建造新廠房以及引進生產(chǎn)設(shè)備的投資方案已獲得董事會批準。 閃存廣泛應(yīng)用于智能手機等產(chǎn)品，根據(jù)預(yù)測，以企業(yè)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心為主的需求今后也將不斷擴大。東芝四日市工廠將進行改造以便于在3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產(chǎn)中，能夠高效利用與2D閃存通用的現(xiàn)有制造工序。在四
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DRAM及NAND市場價格下跌 美光營收下滑
- 不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價，跌跌不休的價格導(dǎo)致美光營收下滑了30%，當季凈虧損9700萬美元，對未來季度的預(yù)測同樣悲觀。 美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財年Q2財報，當季營收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。 美光當季毛利只有5.79億美元，遠遠低于上季度的8
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中國NAND快閃存儲器產(chǎn)業(yè)邁入新紀元
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程，目標最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規(guī)劃將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下，將開始進入新的里程碑。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得指出，現(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強大的企圖心。不同于國際NAND Fla
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投資10nm/3D NAND 晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%
- 國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)最新報告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅(qū)動2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升，預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長3.7%，達372億美元;而2017年則可望再成長13%，達421億美元。 SEMI指出，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲備動能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成
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