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nand 閃存
nand 閃存 文章 進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢(shì)明顯 價(jià)格走揚(yáng)
- 第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)。 TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示,第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng),而近一個(gè)月漲幅開(kāi)始增加。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,NAND Flash原廠持續(xù)降低對(duì)于通路(Channel)的供貨比重來(lái)滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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中國(guó)成為全球新建晶圓廠主要推手
- 全球在2016年與2017年將開(kāi)始興建的晶圓廠至少有19座,其中有半數(shù)以上都是在中國(guó)。 根據(jù)SEMI的統(tǒng)計(jì),全球在2016年與2017年將開(kāi)始興建的晶圓廠至少有19座,其中有半數(shù)以上都是在中國(guó);而2016年全球半導(dǎo)體廠商晶片制造設(shè)備支出估計(jì)將可達(dá)到360億美元,較2015年增加1.5%,2017年則可望再成長(zhǎng)13%、達(dá)到407億美元。 包括全新、二手與專屬(in-house)晶圓廠設(shè)備支出,在2015年衰退了2%;而SEMI預(yù)期,3D NAND快閃記憶體、10奈
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三星否認(rèn)擴(kuò)產(chǎn)3D NAND?外資:三星明年3D產(chǎn)能將擴(kuò)充至37.5%
- 據(jù)韓國(guó)時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo),三星電子于15日宣稱“2017年底前斥資25兆韓元擴(kuò)充3D NAND型快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)能”的投資內(nèi)容尚未敲定,但有分析師似乎認(rèn)為韓媒的報(bào)導(dǎo)內(nèi)容相當(dāng)可信。 barron`s.com16日?qǐng)?bào)導(dǎo),JP摩根發(fā)表研究報(bào)告指出,三星應(yīng)該會(huì)在今年底將3D NAND的月產(chǎn)能拉高至接近16萬(wàn)片晶圓 (西安廠12萬(wàn)片、Line 16廠接近4萬(wàn)片)。三星的西安廠目前已接近產(chǎn)能全開(kāi),且該公司還計(jì)劃把Line 16廠的部分2D NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為3D。 另外,三星也將善用Line
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中國(guó)半導(dǎo)體成效驚人 包攬近兩年過(guò)半全球新增產(chǎn)能
- 中國(guó)砸銀彈扶植半導(dǎo)體進(jìn)度、成效驚人,國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI)上周五發(fā)布最新報(bào)告指出,今明兩年全球新增的半導(dǎo)體產(chǎn)能,預(yù)估有超過(guò)一半都將來(lái)自中國(guó)。 據(jù)SEMI表示,全球2016-2017年共將興建17座半導(dǎo)體廠,當(dāng)中有10座設(shè)在中國(guó),其中兩座生產(chǎn)存儲(chǔ)器、晶圓代工四座、剩余四座規(guī)模較小,主要生產(chǎn)類比式芯片、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems)與
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逆天閃存設(shè)備 居然能將數(shù)據(jù)保存至少百年
- 據(jù)俄羅斯“衛(wèi)星”消息,俄羅斯經(jīng)濟(jì)與社會(huì)項(xiàng)目創(chuàng)新與發(fā)展社發(fā)布消息稱,俄羅斯Raidix公司將與日本松下共同開(kāi)發(fā)能將數(shù)據(jù)保存至少100年的創(chuàng)新閃存設(shè)備。 目前,所有的閃存設(shè)備對(duì)數(shù)據(jù)的保存可以被認(rèn)為是暫時(shí)的,它們可以無(wú)錯(cuò)誤地保存數(shù)據(jù)5到10年,在此之后則需要將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到新的閃存中。 日俄雙方公司均認(rèn)為,合作應(yīng)該是互利的。松下公司將向俄方提供自己處理“冷保存”(訪問(wèn)頻率不高)數(shù)據(jù)的freeze-ray技術(shù),同時(shí),Raidix公司的工作是將&ldquo
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NAND需求好轉(zhuǎn) 將帶動(dòng)DRAM市場(chǎng)趨于健康
- 蘋(píng)果iPhone 7已展開(kāi)備貨,記憶體容量倍增,銷售也看好,業(yè)界預(yù)期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉(zhuǎn),大廠的產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向NAND快閃記憶體,這將帶動(dòng)DRAM市況也趨健康,記憶體模組廠創(chuàng)見(jiàn)、威剛、宇瞻等,預(yù)估下半年?duì)I運(yùn)會(huì)比上半年好。 創(chuàng)見(jiàn)預(yù)期今年記憶體市況將比去年好轉(zhuǎn),主要因上游大廠資本支出較保守,產(chǎn)能增加有限,致使價(jià)格趨緩跌;受惠智能手機(jī)等產(chǎn)品儲(chǔ)存容量不斷上升,加上SSD取代硬盤(pán)態(tài)勢(shì)成形,SSD需求強(qiáng)勁,儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。 威剛董事長(zhǎng)陳立白日
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM
從Nand特性談其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)
- 為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失敗?為什么燒錄成功了,一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運(yùn)行不起來(lái)?…,等等,問(wèn)了那么多為什么,那我反問(wèn)一個(gè)問(wèn)題:你了解Nand Flash的特性及其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)嗎? ? 一、Nand flash的特性 1、位翻轉(zhuǎn) 在 NAND 閃存是通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)單元(Cell)進(jìn)行充電來(lái)完成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的,存儲(chǔ)單元的閾值電壓就對(duì)應(yīng)著數(shù)據(jù)值。當(dāng)讀取的時(shí)候,通過(guò)將它的閾值電壓與參考點(diǎn)對(duì)比來(lái)獲得其數(shù)據(jù)值。對(duì)SLC 而言,就只有兩種狀態(tài)和一個(gè)
- 關(guān)鍵字: Nand 燒錄
2016年第一季NAND品牌營(yíng)收排行榜
- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示,在平均銷售單價(jià)下滑幅度明顯高于位元出貨量成長(zhǎng)的情況下,第一季NAND Flash品牌商營(yíng)收較去年第四季下滑2.9%,已連續(xù)兩個(gè)季衰退。 2016年第一季全球NAND Flash市況持續(xù)受供過(guò)于求影響,通路顆粒合約價(jià)下滑約10%;智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦出貨大幅衰退也讓eMMC、用戶級(jí)固態(tài)硬碟(SSD)跌價(jià)幅度擴(kuò)大至13~18%。 TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示
- 關(guān)鍵字: NAND 英特爾
下半年NAND Flash一定缺貨,且會(huì)非常缺
- 全球儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示,固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格已到甜蜜點(diǎn),今年出貨將大爆發(fā),成為成長(zhǎng)最強(qiáng)勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺(tái)廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見(jiàn)、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等,可望掀比價(jià)效應(yīng)。 慧榮是以臺(tái)灣為研發(fā)重心,立足全球的國(guó)際公司,上周五(20日)股價(jià)以每股42.19美元?jiǎng)?chuàng)2005年6月在美國(guó)那斯達(dá)克掛牌以來(lái)新高,市值達(dá)1.48億美元(約新臺(tái)幣48.5億元),同創(chuàng)歷史新高。 茍嘉章昨天主持慧榮愛(ài)心園游會(huì)后,針對(duì)今年NAND Fl
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華為閃存技術(shù),不止快人一步
- 云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、移動(dòng)互聯(lián)正在改變世界。據(jù)預(yù)測(cè),到2020年,全球移動(dòng)寬帶用戶將從2016年的40億基礎(chǔ)上,增加20億移動(dòng)寬帶用戶,全球大數(shù)據(jù)、大數(shù)據(jù)分析以及大數(shù)據(jù)技術(shù)市場(chǎng)規(guī)模將高達(dá)2000億美元。 華為在2016全球聯(lián)接指數(shù)中預(yù)測(cè),2020年,數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代將全面來(lái)臨,屆時(shí),大數(shù)據(jù)分析將無(wú)處不在,想象一下,數(shù)十億計(jì)的智能電話、數(shù)百萬(wàn)智能汽車、數(shù)百萬(wàn)智能無(wú)人機(jī)、數(shù)百萬(wàn)智能機(jī)器人在我們的身邊運(yùn)轉(zhuǎn),遍布的物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)等技術(shù)將給人們的生活帶來(lái)巨大的改變和驚喜。 數(shù)據(jù)同樣在企業(yè)中蔓延,IDC預(yù)測(cè),202
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武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND
- 紅色供應(yīng)鏈來(lái)勢(shì)洶洶,外界原本認(rèn)為,陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地,不過(guò)有分析師預(yù)測(cè),陸廠研發(fā)腳步迅速,可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。 巴 倫(Barronˋs)6日?qǐng)?bào)導(dǎo),美系外資晶片設(shè)備分析師Atif Malik稱,中國(guó)透過(guò)Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權(quán)。2月份,Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲(chǔ)存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
- 關(guān)鍵字: 新芯 NAND
DRAM和NAND技術(shù)助三星占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位
- 全球大部分半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾,但韓國(guó)三星電子憑借強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)可以擴(kuò)大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場(chǎng)份額,甚至可能提高營(yíng)收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。 全球個(gè)人電腦(PC)銷量下降,以及智能手機(jī)增長(zhǎng)放緩,讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬(wàn)。 高通曾表示,第三財(cái)季芯片(晶片)出貨量可能下降達(dá)22%。SK海力士周二公布季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)下降65%,這是其三年來(lái)的最差業(yè)績(jī)。 將于周四公布第一季財(cái)報(bào)的三星,也難免遇挫。市場(chǎng)廣泛預(yù)計(jì)三星芯片獲利將會(huì)下降,一些分析師預(yù)測(cè)1-
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TrendForce:2020年中國(guó)大陸國(guó)內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬(wàn)片
- 中國(guó)大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開(kāi)展,成為中國(guó)大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報(bào)告顯示,隨著紫光國(guó)芯(原同方國(guó)芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠,及國(guó)際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預(yù)估2020年中國(guó)大陸國(guó)內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬(wàn)片,相較于2015年增長(zhǎng)近7倍。 TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長(zhǎng)率達(dá)47%,其最終消費(fèi)端需求年平均位增長(zhǎng)率亦高達(dá)46%,顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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蘋(píng)果采用三星NAND閃存顆粒+AMOLED屏幕
- 蘋(píng)果已經(jīng)秘密與三星談下合作,在iPhone上采用三星的NAND閃存芯片。時(shí)隔5年,蘋(píng)果再一次采用了三星的NAND flash。先前也有消息指出iPhone將會(huì)采用AMOLED屏幕。 先前蘋(píng)果不用三星閃存,是因?yàn)槿窍M陂W存顆粒封裝上采用特殊圖層的方式來(lái)做電池干擾屏蔽,但是三星并不愿意做。如今臺(tái)灣供應(yīng)商發(fā)出了噴涂圖層工藝,三星有望使用這個(gè)技術(shù),來(lái)讓閃存顆粒滿足蘋(píng)果的EMI屏蔽標(biāo)準(zhǔn)。又因?yàn)檫@一工藝較為廉價(jià),所以三星比較重視。 使用三星NAND閃存顆粒+AMOLED
- 關(guān)鍵字: 蘋(píng)果 NAND
nand 閃存介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條nand 閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)nand 閃存的理解,并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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