nand flash 文章 進入nand flash技術(shù)社區(qū)
Gartner：蓬勃的DRAM市場為內(nèi)存制造商帶來增長
- Gartner發(fā)布初步統(tǒng)計結(jié)果，2014年全球半導體總營收為3398億美元，與2013年的3150億美元相比增長7.9%。前25大半導體廠商合并營收增長率為11.7%，優(yōu)于該產(chǎn)業(yè)整體表現(xiàn)。前25大廠商占整體市場營收的72.1%，比2013年的69.7%更高。 Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“就群體來看，DRAM廠商的表現(xiàn)勝過半導體產(chǎn)業(yè)其他廠商。這股趨勢始于2013年DRAM市場因供給減少及價格回穩(wěn)雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續(xù)至今，2014年營收也因而增長31.
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三星2015年內(nèi)量產(chǎn)48層V NAND 已著手研發(fā)64層產(chǎn)品
- 三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無法生產(chǎn)V NAND的競爭業(yè)者將技術(shù)差距拉大到2年以上，并在次世代存儲器芯片市場上維持獨大地位，計劃在2015年內(nèi)量產(chǎn)堆疊48層Cell的3D垂直結(jié)構(gòu)NAND Flash。 據(jù)首爾經(jīng)濟報導，三星近來已完成48層結(jié)構(gòu)的V NAND研發(fā)，并著手研發(fā)后續(xù)產(chǎn)品64層結(jié)構(gòu)V NAND。48層V NAND將于2015年內(nèi)開始量產(chǎn)。原本韓國業(yè)界推測三星會在2015年下半完成48層V NAND，并在2016年才投入量產(chǎn)，然三星大幅提前了生產(chǎn)日程。
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創(chuàng)客作品：自制足球游戲解說員
- 有時，在小型開發(fā)板上分模塊地測試代碼，要比自己在大腦里想出整個完整的多模塊應用更切實際。你要做的只是現(xiàn)在就著手，一行一行地編寫代碼。 周末我們打算在電子棋盤游戲系統(tǒng)上開發(fā)幾款游戲。我們要做的是將思路轉(zhuǎn)化成實際的一款游戲，而非只是模糊的設(shè)計理念或想法。 最終我們打算做一款虛擬足球游戲。假設(shè)您是玩家，請問您是否更希望比賽時有同步的現(xiàn)場解說呢?當您控制球場上的角色，嘗試攔截、搶球但球卻不小心漏掉時，此時若恰好出現(xiàn)評論員或解說員的聲音，您是否會更有身臨其境之感? 我們堅信這款游戲定會很受歡迎
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Flash的下一站藍海在哪里？
- 物物相聯(lián)，萬物智能的時代漸行漸近，越來越多的設(shè)備都將擁有“智慧”，除了處理器、傳感器之外，F(xiàn)lash存儲器也是不可或缺的核心部件之一。 物聯(lián)網(wǎng)或帶動Flash新需求 物聯(lián)網(wǎng)的場景很美好，但其中涉及太多的跨品牌、跨平臺、跨設(shè)備之間的無線通訊。只有不斷的在通信技術(shù)領(lǐng)域全面而迅速的發(fā)展，才能打造出智慧城市，從而實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)中的互聯(lián)互通。 NOR Flash應用的另一大重要場景就是網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備。 大量的網(wǎng)絡(luò)通信產(chǎn)品需要升級換代，以作為搶占客廳入口的路由器為例，因智
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高交會上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向
- 全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長25%以上，營收較上季度成長23.7%。 東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露，2014年東芝在中國的閃存生意非常好，在高交會電子展上展示的存儲技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動向，也在引領(lǐng)未來閃存的發(fā)展趨勢。
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Spansion面向嵌入式市場推出新型工業(yè)級e.MMC NAND閃存產(chǎn)品
- 不久前，Spansion宣布面向嵌入式系統(tǒng)的全新工業(yè)級e.MMC產(chǎn)品系列。眾所周知，Spansion于2012年推出了立足嵌入式應用的SLC NAND產(chǎn)品。至此，我們?yōu)镾LC NAND解決方案發(fā)展了一個強大的客戶群，而且我們還發(fā)現(xiàn)，這些客戶對嵌入式集中規(guī)模存儲解決方案的需求也越來越大。對于那些不僅僅是要購買一款“現(xiàn)成”產(chǎn)品的嵌入式客戶而言，Spansion全新的e.MMC系列產(chǎn)品是一個完美的選擇。 作為Spansion第一款管理型NAND產(chǎn)品系
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海力士前高層加入慧榮 SSD大戰(zhàn)鳴槍
- 固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱，持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導體大廠，使出渾身解數(shù)綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔任公司高層。 慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內(nèi)嵌式存儲器eMMC業(yè)務外，有機會延伸至SSD產(chǎn)品線上，2015年更是關(guān)鍵年，慧榮內(nèi)部極度重視SSD產(chǎn)品線，立下通吃NAND Flash大廠和存儲器模組兩大族群的目標，看好公司營運
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NAND閃存將被RRAM顛覆？存儲器市場暗潮涌動
- NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲的霸主，不過它也存在諸多問題，尤其是壽命隨著工藝的先進化而不斷縮短，TLC格式也引發(fā)了諸多質(zhì)疑，因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲技術(shù)勢在必行。 從FRAM到相變式存儲器，新選手不斷涌現(xiàn)，但目前還未能挑戰(zhàn)NAND的地位。直到最近，名為電阻式RAM的新貴出現(xiàn)了，它最被看好，三星、閃迪等巨頭都在投入，不過，走在最前列的是一家美國創(chuàng)業(yè)公司Crossbar。 RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級別，Crossba
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DRAM樂觀 NAND有隱憂
- 記憶體市況今年將不同調(diào);動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩(wěn)定獲利，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。 DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。 臺塑集團旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進超過1個股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀錄。 NAND Flash市場競爭、變化相對激烈，且難以預料;去年下半
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東芝擴充海外內(nèi)存芯片廠，會是中國嗎
- 據(jù)國外媒體報道，東芝首席執(zhí)行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示，公司將在始于明年4月份的下一財年決定在何處新建一座內(nèi)存芯片工廠，并且在選擇建廠地址時會考慮海外地區(qū)。 東芝在不到4個月前在四日市新開了一座NAND閃存芯片加工廠，田中久雄在接受采訪時稱，需求超過了產(chǎn)能，公司必須擴大產(chǎn)能。NAND閃存芯片主要被用于智能手機和其他電子產(chǎn)品。 田中久雄稱：“三星已經(jīng)在中國西安市建廠，海力士也在中國建了一座生產(chǎn)廠。”當被問及中國是否會是海外建廠的最佳地區(qū)時，他補充說
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美光聯(lián)手華邦電：推NOR Flash搶攻物聯(lián)網(wǎng)應用商機
- 美國存儲器大廠美光(Micron)宣布，與存儲器廠商華邦電擬進一步合作開發(fā)新一代超高速序列式編碼型快閃存儲器(Serial NOR Flash)，搶攻汽車電子、穿戴裝置，以及智慧家庭等物聯(lián)網(wǎng)應用商機，預計2015年1月就會開始送樣認證1GB芯片。 ? 據(jù)了解，美光日前宣布與華邦電結(jié)盟，雙方將開發(fā)新一代Twin-Quad的超高速序列式NOR Flash產(chǎn)品線;雙方所合作的Twin-Quad序列式NOR Flash，比NAND Flash速度更快，且比現(xiàn)有序列式NOR Fla
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慧榮科技推出業(yè)界首款車載IVI級單封裝SSD解決方案
- 在設(shè)計及推廣用于固態(tài)存儲設(shè)備的NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其專為車載信息娛樂(IVI)系統(tǒng)設(shè)計的汽車級PATA及SATA FerriSSD解決方案。 FerriSSD解決方案旨在代替以往被廣泛應用在車載IVI系統(tǒng)等嵌入式應用中的SATA及PATA硬盤驅(qū)動器。由于集成了NAND閃存及慧榮科技業(yè)界領(lǐng)先的控制器并采用小尺寸BGA封裝，F(xiàn)erriSSD解決方案與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動器相比不僅運行速度更
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NAND閃存窮途末路 下一代閃存技術(shù)百花齊放
- 由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機械硬盤有了較大幅度的提升，但縱觀整個計算架構(gòu)，閃存仍舊是計算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線已經(jīng)達到15nm的水平，存儲密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲技術(shù)。 日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設(shè)備大會)上就公布了其最新的可變電阻式存儲
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nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
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