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          三星計(jì)劃到2030年推出1000層3D NAND新材料

          • 據(jù)外媒報(bào)道,三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)”作為下一代NAND閃存材料,希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND,并實(shí)現(xiàn)pb級(jí)ssd。如果上述材料研發(fā)順利,將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性,有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預(yù)測(cè),到2030年左右,其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過(guò)1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講,分析鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroel
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  存儲(chǔ)  

          三星1000層NAND目標(biāo),靠它實(shí)現(xiàn)

          • 三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級(jí)”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期,V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出,三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)實(shí)現(xiàn)目標(biāo),且可能是關(guān)鍵。目前,三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲(chǔ)器,而據(jù)業(yè)內(nèi)消息,三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆疊技術(shù),堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過(guò)1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑,為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。最新消息是,KAIST的研究
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  Flash  

          三星1000層NAND目標(biāo),靠它實(shí)現(xiàn)?

          • 三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級(jí)”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期,V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出,三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)實(shí)現(xiàn)目標(biāo),且可能是關(guān)鍵。目前,三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲(chǔ)器,而據(jù)業(yè)內(nèi)消息,三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆疊技術(shù),堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過(guò)1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑,為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。最新消息是,KAIST的
          • 關(guān)鍵字: 三星  1000層  NAND  

          SK海力士開發(fā)新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”

          • · 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品,將于今年第3季度開始量產(chǎn)并搭載于端側(cè)AI手機(jī)· 與前一代產(chǎn)品相比,長(zhǎng)期使用所導(dǎo)致的性能下降方面實(shí)現(xiàn)大幅改善,其使用壽命也提升40%· “繼HBM后,也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)”2024年5月9日,SK海力士宣布,公司開發(fā)出用于端側(cè)(On-Device)AI*的移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**(Zoned UFS)4.0”。SK海力士表示:“ZUFS 4.0為新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品,其產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  AI  存儲(chǔ)  NAND  

          SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

          • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨(dú)特的性能。
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  3D NAND  

          第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%;NAND Flash約15~20%

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估,第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%;NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%,全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小,約10%。403地震發(fā)生前,TrendForce集邦咨詢?cè)阮A(yù)估,第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%;NAND Flash為13~18%,相較第一季漲幅明顯收斂,當(dāng)時(shí)從合約價(jià)先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價(jià)格就可看出,現(xiàn)貨價(jià)已出現(xiàn)連續(xù)走弱,上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因,主要是除了AI以外的終端需求不振,尤其筆電、智能手機(jī)
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND Flash  TrendForce  

          累計(jì)上漲100%還不停!消息稱SK海力士將對(duì)內(nèi)存等漲價(jià) 至少上調(diào)20%

          • 5月6日消息,供應(yīng)鏈爆料稱,SK海力士將對(duì)旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價(jià),漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說(shuō)法,海力士DRAM產(chǎn)品價(jià)格從去年第四季度開始逐月上調(diào),目前已累計(jì)上漲約60%-100%不等,下半年漲幅將趨緩??恐鎯?chǔ)漲價(jià),三星電子2024年第一季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到了6.606萬(wàn)億韓元。財(cái)報(bào)顯示,三星電子一季度存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營(yíng)收17.49萬(wàn)億韓元,環(huán)比增長(zhǎng)11%,同比暴漲96%,在整體的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收當(dāng)中的占比高達(dá)75.58%。三星表示,一季度存儲(chǔ)市場(chǎng)總體需求強(qiáng)勁,特別是生
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  三星  DDR5  NAND Flash  上漲  

          美光率先量產(chǎn)面向客戶端和數(shù)據(jù)中心的200+層QLC NAND產(chǎn)品

          • Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布,美光232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn),并在部分?Crucial?英睿達(dá)固態(tài)硬盤(SSD)中出貨。與此同時(shí),美光?2500 NVMeTM?SSD?也已面向企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)客戶量產(chǎn),并向?PC OEM?廠商出樣。這些進(jìn)展彰顯了美光在?NAND?技術(shù)領(lǐng)域的長(zhǎng)期領(lǐng)導(dǎo)地位。美光?232?層?QLC NAND?可為移動(dòng)
          • 關(guān)鍵字: 美光  QLC NAND  

          群聯(lián)3月營(yíng)收年增73%,創(chuàng)歷史單月新高紀(jì)錄

          • 近日,存儲(chǔ)廠商群聯(lián)公布了2024年3月份營(yíng)運(yùn)結(jié)果,合并營(yíng)收為新臺(tái)幣67.75億元,年成長(zhǎng)達(dá)73%,刷新歷史單月營(yíng)收新高紀(jì)錄。全年度營(yíng)收累計(jì)至3月份達(dá)新臺(tái)幣165.26億元,年成長(zhǎng)達(dá)64%,為歷史同期次高。群聯(lián)表示,2024年3月份SSD控制芯片總累計(jì)總出貨量年成長(zhǎng)達(dá)96%,其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達(dá)176%,刷新歷史單月新高。此外,全年度累計(jì)至3月份之整體NAND閃存位元數(shù)總出貨量的年成長(zhǎng)率(Bit Growth Rate)也達(dá)80%,刷新歷史同期新高,顯示整體市場(chǎng)需求持續(xù)緩步回升趨勢(shì)不
          • 關(guān)鍵字: 群聯(lián)  SSD固態(tài)硬盤  NAND Flash  

          3D NAND,1000層競(jìng)爭(zhēng)加速

          • 據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道,日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術(shù)官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布,該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應(yīng)用幾乎無(wú)處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后,NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  存儲(chǔ)芯片  鎧俠  

          3D NAND,1000層競(jìng)爭(zhēng)加速!

          • 據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道,日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術(shù)官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布,該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應(yīng)用幾乎無(wú)處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后,NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  集邦咨詢  

          第二季NAND Flash合約價(jià)季漲13~18%,Enterprise SSD漲幅最高

          • TrendForce集邦咨詢表示,除了鎧俠(Kioxia)和西部數(shù)據(jù)(WDC)自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率外,其它供應(yīng)商大致維持低投產(chǎn)策略。盡管第二季NAND Flash采購(gòu)量較第一季小幅下滑,但整體市場(chǎng)氛圍持續(xù)受供應(yīng)商庫(kù)存降低,以及減產(chǎn)效應(yīng)影響,預(yù)估第二季NAND Flash合約價(jià)將強(qiáng)勢(shì)上漲約13~18%。eMMC方面,中國(guó)智能手機(jī)品牌為此波eMMC最大需求來(lái)源,由于部分供應(yīng)商已降低供應(yīng)此類別產(chǎn)品,中國(guó)模組廠出貨大幅提升。買方為了滿足生產(chǎn)需求開始擴(kuò)大采用模組廠方案,助益中國(guó)模組廠技術(shù)進(jìn)一步升級(jí)及
          • 關(guān)鍵字: TrendForce  NAND Flash  Enterprise SSD  

          西部數(shù)據(jù)NAND Flash業(yè)務(wù)拆分最新進(jìn)展,新任CEO揭曉

          • 月5日,西部數(shù)據(jù)宣布,在NAND Flash業(yè)務(wù)拆分后,將保留原名,專注經(jīng)營(yíng)核心HDD業(yè)務(wù),并表示這一分拆過(guò)程有望在2024年下半年完成。與此同時(shí),將為即將分拆的閃存和傳統(tǒng)硬盤業(yè)務(wù)任命CEO。西部數(shù)據(jù)稱,現(xiàn)任西部數(shù)據(jù)全球運(yùn)營(yíng)執(zhí)行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨(dú)立 HDD公司的CEO,繼續(xù)以西部數(shù)據(jù)的身份運(yùn)營(yíng)?,F(xiàn)任CEO David Goeckeler則受命轉(zhuǎn)往NAND Flash部門成立的新公司,出任新公司執(zhí)行長(zhǎng)。圖片來(lái)源:西部數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并進(jìn)展如何?據(jù)悉,自2021年以來(lái),西部數(shù)據(jù)及
          • 關(guān)鍵字: 閃存芯片  NAND Flash  西部數(shù)據(jù)  

          2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值環(huán)比增長(zhǎng) 24.5%:三星增長(zhǎng) 44.8% 居首位

          • IT之家 3 月 6 日消息,集邦咨詢近日發(fā)布市場(chǎng)研究報(bào)告,表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產(chǎn)值 114.9 億美元,環(huán)比增長(zhǎng) 24.5%,2024 年第 1 季度 NAND 產(chǎn)值將繼續(xù)保持上漲,預(yù)估環(huán)比會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)兩成。三星第四季營(yíng)收以三星(Samsung)增長(zhǎng)幅度最高,主要是服務(wù)器、筆記本電腦與智能手機(jī)需求均大幅增長(zhǎng)。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%,平均銷售價(jià)格環(huán)比增加 12%,帶動(dòng)營(yíng)收上升至 42 億美元,環(huán)比增加 44.8%。SK 集團(tuán)SK 集團(tuán)(SK Group)受惠于價(jià)
          • 關(guān)鍵字: NAND 閃存  存儲(chǔ)  市場(chǎng)分析  

          1年利潤(rùn)暴跌84.9%!三星樂(lè)觀 今年業(yè)績(jī)回暖:存儲(chǔ)漲價(jià)是開始

          • 2月1日消息,存儲(chǔ)一哥三星2023年的日子不太好過(guò),全年利潤(rùn)暴跌84.9%,確實(shí)沒(méi)辦法,不過(guò)他們保持樂(lè)觀態(tài)度。2023年IT市場(chǎng)整體低迷,尤其是存儲(chǔ)芯片價(jià)格暴跌的背景下,三星全年?duì)I收為258.94萬(wàn)億韓元,同比減少14.3%;營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為6.57萬(wàn)億韓元,同比下滑84.9%。按照三星的說(shuō)法,2024年上半年業(yè)績(jī)會(huì)回暖,其中以存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格回暖最為明顯,相關(guān)SSD等產(chǎn)品漲價(jià)不會(huì)停止,只會(huì)更猛烈。NAND芯片價(jià)格止跌回升后,目前報(bào)價(jià)仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應(yīng)商達(dá)到損益兩平點(diǎn)有一段差距。國(guó)內(nèi)重量級(jí)NAN
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  三星  鎂光  海力士  NAND  
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          nand介紹

          一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR. 簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō),NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達(dá)二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲(chǔ)存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]

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