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一季度 NAND Flash合約價預計上漲15%-20%
- 供應商為了盡量減少損失，正在推高 NAND Flash 價格。
- 關鍵字： NAND Flash
預估2024年第一季NAND Flash合約價平均季漲幅15~20%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，盡管適逢傳統(tǒng)淡季需求呈現(xiàn)下降趨勢，但為避免缺貨，買方持續(xù)擴大NAND Flash產(chǎn)品采購以建立安全庫存水位，而供應商為減少虧損，對于推高價格勢在必行，預估2024年第一季NAND Flash合約價季漲幅約15~20%。值得注意的是，NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價格漲幅，但由于短期內(nèi)漲幅過高，需求腳步卻跟不上，后續(xù)價格上漲仍需仰賴Enterprise SSD拉貨動能恢復。2024年第一季供應商的投產(chǎn)步伐不一，隨著部份供應商產(chǎn)能利用率提早拉升
- 關鍵字： NAND Flash TrendForce
SSD 正迎來量價齊升
- 2023 已近尾聲，跌跌不休的存儲行情終在四季度發(fā)生逆轉(zhuǎn)，尤其以 Flash Wafer 為代表的產(chǎn)品在 9 月、10 月、11 月的價格連續(xù)上漲，站在目前的時間節(jié)點，雖然從需求端看完全改善還需時日，但在各大原廠積極減產(chǎn)的作用下，供應已經(jīng)大幅度收緊。根據(jù) CFM 閃存市場數(shù)據(jù)，自 10 月份以來，現(xiàn)貨市場 NAND Flash 價格指數(shù)漲幅已達 40%。近日西部數(shù)據(jù)更是直接打響了 NAND 大漲價的第一槍。NAND 大漲價！近日，全球第四大 NAND Flash 供應商西部數(shù)據(jù)對客戶發(fā)出漲價通知信。在信中
- 關鍵字： SSD NAND
DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元（當前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
- 關鍵字： 存儲 DRAM NAND Flash
日本東芝正式退市
- 據(jù)日媒報道，12月20日，日本東芝公司正式退市，結(jié)束其作為一家上市公司74年的歷史。今年8月起，以日本國內(nèi)基金“日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴”（JIP）為主的財團正式開始向東芝發(fā)起總額約2萬億日元的要約收購。東芝在官網(wǎng)發(fā)布的文件中稱，該財團將從普通股東收購剩余股份，將東芝收購為全資子公司。公開資料顯示，東芝創(chuàng)立于1875年，距今已有140多年的歷史。東芝是日本制造業(yè)的代表之一，在家電、電氣、能源、基建等領域都有巨大影響力。此外，東芝還是日本最大的半導體制造商，曾發(fā)明NAND閃存芯片。
- 關鍵字： 東芝 家電 NAND 閃存 退市
集邦咨詢稱 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價環(huán)比增長 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布報告，預估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長 18-23%，而且不排除進一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健，由于存儲器價格漲勢明確，帶動買方積極擴大購貨需求，以建設安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認為買賣雙方庫存降低，加上原廠減產(chǎn)效應作用，這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價格的強勁漲勢。集邦咨詢認為明年第 1 季
- 關鍵字： 存儲 DRAM NAND Flash
明年半導體暴增20%，哪些賽道市場回暖？
- 今年的半導體可謂寒風瑟瑟，市場下滑的消息從年頭傳到年尾，半導體企業(yè)也疲于應對蕭瑟的市場環(huán)境，不斷傳出減產(chǎn)、虧損的消息。熬過冬就是春，最近的半導體市場總算是迎來了一些好消息。IDC 最新的預測，認為半導體市場已經(jīng)觸底，明年開始半導體將會加速恢復增長。在它的預測中，2023 年全球半導體市場收入從 5188 億美元上調(diào)至 5265 億美元，2024 年收入預期也從 6259 億美元上調(diào)至 6328 億美元。到明年，全球半導體收入將同比增長 20.2%。IDC 全球半導體供應鏈技術情報研究經(jīng)理 Rudy Tor
- 關鍵字： NAND flash 射頻前端 CPU 模擬芯片
300層之后，3D NAND的技術路線圖
- 開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
- 關鍵字： 3D NAND
存儲市場前瞻：DDR5 需求顯著增長、AI 崛起讓手機內(nèi)存邁入 20GB 時代
- IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產(chǎn)的效果逐漸顯現(xiàn)，以及特定應用市場的持續(xù)強勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲，并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預估，2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價格預計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預計上漲約 10-15%，上漲趨勢會持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動 DRAM：根據(jù)國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機的一個明顯變化是
- 關鍵字： 閃存 DRAM NAND
越便宜越?jīng)]人買！全球SSD出貨量暴跌10% 用戶買漲不買跌
- 11月22日消息，據(jù)TrendForce最新報告，2022年全球SSD出貨量為1.14億塊，同比下降10.7%。報告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影響，SSD出貨量不高；但在2022年下半年供應情況已經(jīng)極大緩解，渠道SSD市場恢復正常供需狀態(tài)。隨著個人電腦和計算機硬件市場的萎縮，固態(tài)硬盤的需求依然疲軟，而更多的用戶也是買漲不買跌（便宜了還能更便宜，便宜反而買單的人銳減）。TrendForce稱，由于NAND閃存供應商積極減產(chǎn)，導致整個行業(yè)價格上漲，市場情緒在2022年第三季度末"迅速
- 關鍵字： SSD 固態(tài)硬盤 閃存 NAND
一文看懂TSV技術
- 前言從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項技術是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術，是實現(xiàn)3D先進封裝的關鍵技術之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們?nèi)绾喂ぷ饕约八鼈兊挠猛尽Ｔ?000年的第一個月，Santa Clara Universi
- 關鍵字： 芯片 TSV HBM NAND 先進封裝
市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨
- NAND Flash現(xiàn)貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財報，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務指標來看，第三季財報數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務成績表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財務數(shù)
- 關鍵字： 內(nèi)存 ?NAND Flash DRAM
2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&東芯半導體股份有限公司
- 在本次展會上，東芯半導體也來到了EEPW的直播間。東芯半導體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業(yè)，東芯半導體擁有獨立自主的知識產(chǎn)權(quán)，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設計和銷售，是目前國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產(chǎn)品方案的存儲芯片研發(fā)設計公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導體副總經(jīng)理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導體這次在展會上帶來了全線的產(chǎn)品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
- 關鍵字： 東芯半導體 NAND NOR DRAM 存儲
預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因，供應方面：三星擴大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動，華為Mate
- 關鍵字： Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]
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