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西數(shù)超車三星電子或點(diǎn)燃NAND價(jià)格戰(zhàn)
- 全球硬盤機(jī)大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作，打算超車三星電子，搶先生產(chǎn)64層3D NAND Flash。不過外資警告，要是WD和東芝真的追上三星，三星可能會(huì)擴(kuò)產(chǎn)淹沒市場，重創(chuàng)NAND價(jià)格。 巴倫(Barronˋs)11日報(bào)道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和東芝計(jì)劃搶在三星之前，生產(chǎn)64層3D NAND flash，此舉可能導(dǎo)致三星擴(kuò)產(chǎn)還擊。報(bào)告稱，當(dāng)前三星在業(yè)界握有主導(dǎo)權(quán)，將密切關(guān)注WD/閃迪(WD去年收購了
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第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯 價(jià)格續(xù)揚(yáng)
- TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示，在智能手機(jī)及各種固態(tài)硬盤的強(qiáng)勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價(jià)格將持續(xù)上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價(jià)格也呈現(xiàn)上漲，預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營收及利潤將較第三季更為出色。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆掳肽闚AND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強(qiáng)的主要因素來自于智能手機(jī)需求的成長。雖然iPhone 7的銷售
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TrendForce：第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯，價(jià)格續(xù)揚(yáng)
- TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，在智能手機(jī)及各種固態(tài)硬盤的強(qiáng)勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價(jià)格將持續(xù)上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價(jià)格也呈現(xiàn)上漲，預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營收及利潤將較第三季更為出色。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強(qiáng)的主要因素來自于智能手機(jī)需求的成長。雖然iPh
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中國手機(jī)出貨強(qiáng)勁 推動(dòng)?xùn)|芝營業(yè)利潤預(yù)期上調(diào)一倍
- 據(jù)外媒報(bào)道，東芝今天將截至9月份的上半財(cái)年?duì)I業(yè)利潤預(yù)期上調(diào)一倍以上至700億日元(約合6.95億美元)，此前預(yù)期為300億日元。 受此消息推動(dòng)，東芝股價(jià)在周三快速上漲，創(chuàng)下自去年10月以來的最高點(diǎn)。這是東芝第二次上調(diào)營業(yè)利潤預(yù)期，該公司在今年5月份最初預(yù)計(jì)上半財(cái)年將營業(yè)虧損200億日元。 智能機(jī)存儲(chǔ)芯片的強(qiáng)勁需求推動(dòng)?xùn)|芝上調(diào)營業(yè)利潤預(yù)期。另外，比東芝保守預(yù)期更為疲軟的日元匯率也發(fā)揮了推動(dòng)作用。 芯片需求的增長源于中國智能機(jī)出貨量的強(qiáng)勁表現(xiàn)。盡管全球智能機(jī)市場表現(xiàn)乏力，但是中國智能機(jī)出
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NAND閃存需求提升 東芝調(diào)高上半年獲利預(yù)測
- 先前，因?yàn)槭艿竭B續(xù)7年作假帳風(fēng)波，因而導(dǎo)致公司商譽(yù)嚴(yán)重受損，并且沖擊投資人信心的日本電子大廠東芝(Toshiba)，28日宣布上調(diào)2016年上半年度的獲利預(yù)測，預(yù)估將上調(diào)至850億日元的水準(zhǔn)，較原本預(yù)估的700億日元調(diào)高21.43%，每股EPS也將達(dá)到20.08日元，等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。 東芝于28日發(fā)出的消息表示，由于受惠于智能手機(jī)對(duì)于NAND閃存的提升，尤其在中國市場，在手機(jī)制造商不斷提升產(chǎn)品的儲(chǔ)存能力，所以需要性能越來越好的NAND閃存產(chǎn)品，導(dǎo)致相關(guān)價(jià)格的不斷上揚(yáng)，如此以進(jìn)一
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三大變化為日本半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)增添活力
- 日媒稱，日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)日前宣布8月份半導(dǎo)體制造設(shè)備的訂貨金額(3個(gè)月移動(dòng)平均值，速報(bào)值)為1348億日元(約合人民幣90億元)，同比增長30.8%。這是自2014年3月(34.0%)以來時(shí)隔29個(gè)月增長率首次超過30%。中國半導(dǎo)體制造商興起、半導(dǎo)體的微細(xì)化、立體化這三大變化為整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來了活力。另一方面，半導(dǎo)體設(shè)備制造商之間的優(yōu)勝劣汰也有可能變得更加明顯。 據(jù)外媒報(bào)道，“采購設(shè)備的時(shí)間提前了”，東電電子社長河合利樹無法掩飾他對(duì)半導(dǎo)體制造商們強(qiáng)烈設(shè)備投資欲的驚訝。
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日媒：中國半導(dǎo)體制造設(shè)備市場大幅增長
- 據(jù)韓聯(lián)社9月19日報(bào)道，韓國市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IHS和半導(dǎo)體業(yè)界19日消息，三星電子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二，銷售額占有率為11.3%，與英特爾的差距縮小到3.4個(gè)百分點(diǎn)。 今年第二季度三星電子銷售額達(dá)94.52億美元，排名第一的美國英特爾半導(dǎo)體銷售額達(dá)122.72億美元，市場份額為14.7%。 三星與英特爾的市場份額差距在2012年達(dá)5.3個(gè)百分點(diǎn)，2013年為4.2個(gè)百分點(diǎn)，2014年3.4個(gè)百分點(diǎn)，2015年為3.2個(gè)百分點(diǎn)。雖然，今年第一季度差距拉大到4個(gè)百分點(diǎn)以上，但
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第二季NAND Flash品牌營收排行
- 第二季NAND Flash品牌商營收較上季成長3.4%，結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢。 受惠于中國智慧型手機(jī)品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊;TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，2016年第二季eMMC、用戶級(jí)固態(tài)硬碟與企業(yè)級(jí)固態(tài)硬碟的合約價(jià)跌幅開始收斂，通路端wafer價(jià)格更從四月起逐月走揚(yáng)，第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%，結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢。 DRAM
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美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析
- 美光公司日前開始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫入速度分別高達(dá)每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅(qū)動(dòng)器(HDD)改善了90倍，據(jù)稱也更加耐用。 Crucial SSD的售價(jià)為200美元，這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項(xiàng)，而且我們發(fā)現(xiàn)有越來越多的電腦設(shè)備開始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰，不過必須承認(rèn)的
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TrendForce：市況逐步回穩(wěn)，第二季NAND Flash品牌商營收季成長3.4%
- 受惠于中國智能手機(jī)品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊。 TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報(bào)告顯示，第二季eMMC、消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤與企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤的合約價(jià)跌幅開始收斂，渠道端wafer價(jià)格更從4月起逐月上揚(yáng)，第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%，結(jié)束前兩季度連續(xù)衰退的頹勢。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆谌?/li>
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nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
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